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  1. 单片集成ISM频段315433MHz射频接收机.pdf

  2. 目前，家庭自动化控制、无线门铃、遥控装置、报警和安全系统等短距离无线控制系统 得到广泛应用。本课题致力于研制一种工作在315／433]ⅥI-IZ ISM频段的低成本、低功耗和 高稳定性的单片集成无线接收机，满足日益增长的短距无线控制需求。 由于具有低成本、低功耗和易集成等优点，超再生结构成为本课题接收方案的首选。但 基于超再生结构的传统接收机容易受到器件离散性的影响，核心电路超再生振荡器的起振状 态非常不稳定，导致系统不稳定，且成品率低，给规模应用带来困难。本文采用类似锁相环 的负反馈控制环路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2018-07-21
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：dongdeji

  1. 5G通信 Sub 6GHz 宽带 阵列 通信射频收发芯片

  2. 包含内容： 专利 大论文 小论文 5G毫米波射频前端技术复杂度成倍提升.docx Sub-6GHz频段包括800MHz、900MHz、1.8GHz、2.1GHz、2.6GHz、3.5GHz、4.9GHz .docx 3.5GHz_5G大规模MIMO数字多波束阵射频关键技术的研究_黄菲.caj 3_5GHz射频接收前端电路研究与设计_杨丽娟.caj 5G通信6GHz以下频段FBAR滤波器镀膜关键技术研究_兰伟豪.caj LTE多模接收机前端研究与设计_王肖(1).caj U

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-06-28
    • 文件大小：142606336
    • 提供者：weixin_44035342

  1. 采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

  2. 设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构，引入栅极电感补偿高频的增益损失，电路具有高增益、低噪声的特点，并且具有平坦的通带增益。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38590996

  1. CMOS多频段低噪声放大器设计

  2. 近年来,随着无线通信技术的蓬勃发展,可兼容多种移动通信系统标准的新一代移动终端的研究正逐渐成为热点。要实现多频段的移动终端接收系统,需要解决的首要问题就是如何实现位于该系统第一级的低噪声放大器LNA的多频段化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：177152
    • 提供者：weixin_38712416

  1. 用ADS实现一个2.38GHz全集成化低噪声放大器设计

  2. 目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38706007

  1. 采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

  2. 设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构，引入栅极电感补偿高频的增益损失，电路具有高增益、低噪声的特点，并且具有平坦的通带增益。设计采用UMC 0.18 μm工艺，后仿真显示：在1.8 V供电电压下，LNA的直流功耗约为9.45 mW，电路的最大增益约为23 dB，3 dB频带范围为0.1 GHz~1.35 GHz，3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB~5 dB；在1 V供电电压下，电路依然能够保持较高的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：350208
    • 提供者：weixin_38625448

  1. 模拟技术中的CMOS多频段低噪声放大器设计

  2. 近年来，随着无线通信技术的蓬勃发展，可兼容多种移动通信系统标准的新一代移动终端的研究正逐渐成为热点。要实现多频段的移动终端接收系统，需要解决的首要问题就是如何实现位于该系统第一级的低噪声放大器LNA的多频段化。传统的方法是将多个单频段的LNA并联起来使用，但会造成较大的功耗，占用较大的芯片面积，增加成本，而且随着接收标准的不断增多，该方法最终将不可行；另外一种实现多频段的方式是采用开关式LNA，但其只能工作于一个频段下，当希望能同时工作于多个频段时，该方法也将不适用；还可以采用宽带LNA来实现多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：224256
    • 提供者：weixin_38588854

  1. 基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计

  2. 1 引 言　　目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。　　由于LNAs通常位于整个接收电路的   级，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：112640
    • 提供者：weixin_38714653