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  1. CMOS工艺流程与MOS电路版图举例

  2. CMOS工艺流程与MOS电路版图举例 详细说明了CMOS工艺的版图秩序哦过程 非常好

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-17
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：hfutsky

  1. CMOS工艺流程与MOS电路版图举例

  2. CMOS工艺流程与MOS电路版图举例 详细介绍cmos工艺下的版图设计工作，详细，清楚，明了。是初学者的首选。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-26
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：skyzcp

  1. 半导体教程.rar

  2. 第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时第三章 光刻－－－－－－－－－4学时第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时第五章 金属化、封装与可靠性－2学时第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2008-04-10
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：g22261846

  1. CMOS工艺流程英文

  2. 英文版介绍CMOS工艺流程 Basic CMOS Process Flow

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-06-24
    • 文件大小：241664
    • 提供者：fengrlove

  1. 现代CMOS工艺基本流程

  2. 现代CMOS工艺基本流程,很直观

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-08-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：suirosu

  1. CMOS工艺简介

  2. cmos工艺简介，主要讲解cmos工艺流程flow

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-12-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：fy1407369

  1. 集成电路制造工艺原理

  2. 集成电路制造工艺原理 第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时 第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时 第三章 光刻－－－－－－－－－4学时 第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时 第五章 金属化、封装与可靠性－2学时 第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时 第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2008-12-21
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：jucaiju

  1. CMOS基础及基本工艺流程

  2. 介绍CMOS基本工艺流程，包括扩散，光刻，刻蚀，离子注入等等

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-01-05
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：tjm888

  1. IC版图设计工程师面试题.doc

  2. IC版图设计工程师面试题，一、 简述CMOS工艺流程，并附图形加以说明 二、 请根据下面的版图画出电路图

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-06-25
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_42106517

  1. N阱cmos工艺流程

  2. N阱cmos场效应管的制备工艺流程，详细介绍了从衬底的选择到刻铝的各个步骤的细节，入门首选

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2013-03-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：hexintong2009

  1. 半导体工艺

  2. 详细介绍半导体工艺流程，wafer 处理，IC架构，CMOS架构---

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-11-19
    • 文件大小：963584
    • 提供者：wunaitianhan

  1. 工业电子中的半导体电镀工艺解析

  2. 金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强，因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用，例如：在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块；在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等；在雷达上金镀层作为气桥被应用；电镀还被用于UBM阻挡层的保护层，以及用于各种引线键合的键合面等等。     1  电镀金工艺1.1 电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程：     ①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层，再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层；②涂布光刻胶，光刻显影出电镀所需的图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38743391

  1. 基于0．5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后，在T-spice中进行电路的瞬态仿真，插入CMOS，PNP和NPN的工艺库，对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整，最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_38680957

  1. 新型BiCMOS集成运算放大器设计

  2. 为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括MOS器件的宽长比和电容电阻的值。完成电路设计后，在T-spice中进行电路的瞬态仿真，插入CMOS，PNP和NPN的工艺库，对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整，最终在W-Edit输出波形图。在MCNC 0.5μm工艺平台上完成由MOS、双极型晶体管和电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：235520
    • 提供者：weixin_38593644

  1. 格科微成功研发TSI图像传感器制造技术

  2. GalaxyCore Inc. （格科电子有限公司，“格科微”），中国内地规模最大、技术最先进的CMOS图像传感器设计公司，日前宣布其在台湾积体电路制造股份有限公司（“TSMC”）的12寸90nm（奈米）逻辑平台上研发的“透硅成像”（Through Silicon Illumination, 简称“TSI”）图像传感器制造技术取得成功，并即将进入量产阶段。 　　格科微的TSI技术具有全面的自主知识产权，包括电路设计、像素版图设计以及与像素相关的工艺流程技术。该技术可以用于大规模制造1.75μm

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38526225

  1. 使用新SRAM工艺实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计

  2. 基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器，因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程，不需要增添任何额外的工艺步骤。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：404480
    • 提供者：weixin_38608025

  1. 模拟技术中的SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造

  2. 摘 要：该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构，所以可灵活调整不同反馈电阻，同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。 　　基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有使用占片面积大的螺旋电感，最终研制出的SiGe HBT LNA 芯片面积仅为0.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：398336
    • 提供者：weixin_38620741

  1. 元器件应用中的金属间光波导

  2. 与标准CMOS工艺兼容的金属间氧化层光波导，利用CMOS工艺中的一层金属和二层金属间的氧化层作为光波导芯 层，第一层金属作为光波导下包层，二层金属作为光波导上包层。如图1所示，利用有源区与阱间的pn结作为发光 二极管，二氧化硅覆盖在pn结上。发光二极管发出的光直接耦合进入金属间氧化层光波导，实现发光二极管与光 波导的集成，利用有源区与阱间的pn结作为光探测器，二氧化硅覆盖在pn结上。光波导将光直接耦合到光探测器 ，实现光探测器与光波导（110）的集成。 图1 金属间氧化物光波导结构 　　金属

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38548704

  1. 电源技术中的智能功率电路

  2. 智能功率电路是指在一个芯片上把电压的CMOS的VLSI CPU、逻辑电路和模拟电路和高压功率器件集成在一起。目前，智能功率电路的集成度还很低，只是几个逻辑电路和高压功率器件集成在一起。SOI衬底可以灵活的把双极性器件、高压器件、低压器件、SOI器件或其它器件集成在同一个芯片上。图1.28[45]给出了一个改进后的智能功率电路的工艺流程。 图1.28 键合智能功率电路 （1）在低掺杂的n-硅片上局部腐蚀，形成深度~3μm的浅槽，离子注入在浅槽的底部的下面形成N+的掩埋层。接着，热氧化使硅片的表面

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 格科微成功研发TSI图像传感器制造技术

  2. GalaxyCore Inc. （格科电子有限公司，“格科微”），中国内地规模、技术的CMOS图像传感器设计公司，日前宣布其在台湾积体电路制造股份有限公司（“TSMC”）的12寸90nm（奈米）逻辑平台上研发的“透硅成像”（Through Silicon Illumination, 简称“TSI”）图像传感器制造技术取得成功，并即将进入量产阶段。 　　格科微的TSI技术具有全面的自主知识产权，包括电路设计、像素版图设计以及与像素相关的工艺流程技术。该技术可以用于大规模制造1.75μm（微米），

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38724333
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