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搜索资源列表

  1. 模拟CMOS集成电路设计1

  2. 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-07-15
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：brucezhan

  1. 低相位噪声宽带LC压控振荡器设计

  2. 基于0.13 μm CMOS工艺，设计了一款低相位噪声宽带LC压控振荡器。采用开关电容阵列使VCO在达到宽调谐范围的同时保持了低相位噪声。采用可变容阵列提高了VCO频率调谐曲线的线性度。仿真结果表明，在1.2 V电源电压下，电路功耗为3.6 mW。频率调谐范围4.58 GHz-5.35 GHz，中心频率5 GHz，在偏离中心频率1 MHz处相位噪声为-125dBc/Hz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38612527

  1. 基于DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计

  2. 本文设计了一种应用于DSP内嵌锁相环的低功耗、高线性CM0S压控环形振荡器。电路采用四级延迟单元能方便的获得正交输出时钟，每级采用RS触发结构来产生差分输出信号，在有效降低静态功耗的同时．具有较好的抗噪声能力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-30
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38587005

  1. 一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计

  2. 采用恒流源充放电技术,以比较器为核心,利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号,设计一种基于0.5μm CMOS工艺的扩展频谱振荡器,振荡频率在1~1.6 MHz的范围内。通过Cadence spectre仿真工具对电路进行仿真验证,结果表明,该方案能够在1~1.6 MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC/DC转换器的噪声性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38698860

  1. 一种宽频低功耗低相位噪声的CMOS压控振荡器设计

  2. 本文设计了可应用于DRM/DAB接收机的压控振荡器，并对普通的电路结构进行改进，以降低功耗和相位噪声，经仿真分析，性能满足设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-13
    • 文件大小：258048
    • 提供者：weixin_38606639

  1. CMOS 数控振荡器设计

  2. 设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS 静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO 结构（Digitally-Controlled Oscillator），这种数字控制振荡器采用全数字电路构成，较之LC振荡器更加易于设计和制造，适合于高频高性能数字锁相环的应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：528384
    • 提供者：weixin_38698860

  1. DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计

  2. 绍了一种用于DSP内嵌锁相环的低功耗、高线性CMOS压控环形振荡器。电路采用四级延迟单元来获得相位相差90°的正交输出时钟,每级采用调节电流源大小,改变电容放电速度的方式。基于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型的仿真结果表明,电路可实现2MHz至90MHz的频率调节范围,在中心频率附近具有很高的调节线性度,且总功耗仅为3.5mW。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：205824
    • 提供者：weixin_38689055

  1. CMOS振荡器设计

  2. 本文基于STMicroelectronics的90nm CMOS混合信号工艺，采用Cadence Virtuoso 设计软件，使用Analog Environment 中的Spectre仿真器进行仿真。由于电路完全与数字集成电路工艺兼容，因此也可以采用诸如硬件描述语言来设计电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：299008
    • 提供者：weixin_38526612

  1. 基础电子中的基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

  2. 引言　　随着移动通信技术的发展，射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO)，是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管，MOS变容管便应运而生了。　　MOS变容管　　将MOS晶体管的漏，源和衬底短接便可成为一个简单的MOS电容，其电容值随栅极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：182272
    • 提供者：weixin_38651812

  1. 可编程模拟电路提供单片机正弦振荡器设计方案

  2. 可编程逻辑设备在数字设计中提供实现复杂功能的通用方法。虽然厂商还没有提供与VLSI数字电路相比更复杂的模拟电路，但现场可编程模拟电路被广泛用于信号调理和滤波器的应用。基于CMOS运算跨导放大器和开关电容放大器，这些设备提供了解决相对复杂设计的简单方案。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：210944
    • 提供者：weixin_38721252

  1. CMOS数控振荡器设计

  2. 与传统的模拟锁相环（AnalogPhase-LockedLoop）相比，由于数字锁相环较少采用高阻值电阻、电容以及电感等非线性器件，可以采用与高速数字逻辑电路相兼容的制造工艺来设计和制造，也更加容易在数字系统中应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：302080
    • 提供者：weixin_38706782

  1. 低相位噪声宽带LC压控振荡器设计

  2. 基于0.13 μm CMOS工艺，设计了一款低相位噪声宽带LC压控振荡器。采用开关电容阵列使VCO在达到宽调谐范围的同时保持了低相位噪声。采用可变容阵列提高了VCO频率调谐曲线的线性度。仿真结果表明，在1.2 V电源电压下，电路功耗为3.6 mW。频率调谐范围4.58 GHz-5.35 GHz，中心频率5 GHz，在偏离中心频率1 MHz处相位噪声为-125dBc/Hz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：688128
    • 提供者：weixin_38611796

  1. DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计

  2. 本文提出了一种采用四级延迟单元的CMOS环形压控振荡器，每级采用调节电流源大小，改变电容放电速度的方式，在方便的提供正交输出时钟的同时，具有2MHz至90MHz频率调节范围以及较低的功耗，可满足DSP芯片时钟系统的应用要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38631960

  1. 一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计

  2. 在现代开关电源的控制电路中，振荡器对模拟电路和信号处理起着很重要的作用。在多数情况下，其工作频率被设计为某一固定频率或是基于一定负载的恒定值，在该工作频率下存在大量的噪声信号。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38698539

  1. 模拟技术中的全硅 CMOS 振荡器-IDT3C02 振荡器

  2. IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术，可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，而无需使用任何机械频率源或锁相环（PLL）。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口，如千兆以太网、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。该产品是通用石英晶体振荡器的一种低功耗、低抖动替代方案，因此非常适合服务器和企业设计，以及采用以太网端口的数据通信设备。 　　IDT3C02 振荡器可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38717843

  1. 通信与网络中的基于802.11a标准的5 GHz振荡器设计

  2. 0 引言 　　随着宽带无线通信技术的不断发展和市场的不断扩大，802.11a标准的5 GHz无线射频频段以其数据传输速率快、信号质量好、干扰小等优点得到了越来越广泛的推广；随着CMOS工艺的进步．使其生产出的高集成度、低价、低功耗射频芯片比砷化镓工艺或双极性硅工艺的芯片具有明显的性价比优势，而压控振荡器(VCO)是射频通信系统中非常重要的组成元件之一。它主要应用于锁相环路和频率合成器中来实现精确的参考频率，对通信系统的性能至关重要。本文用先进的0．18μm CMOS工艺设计了一个工作在802．

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：219136
    • 提供者：weixin_38726407

  1. 电子测量中的IDT推出首家采用晶圆和封装形式CMOS振荡器

  2. IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)日前宣布，推出全硅CMOS振荡器MM8202和MM8102，使IDT成为业界首家采用晶圆和封装形式CMOS振荡器提供石英晶体级性能的公司。这些集成电路满足小型化要求，在消费、计算和存储应用中无需使用石英谐振器和振荡器，为所有常见串行有线接口提供优异的链接性能，其中包括S-ATA、PCIe、USB 2.0 和USB 3.0。产品提供的晶圆形式实现了板上芯片(CoB)和多芯片模块(MCM)组装设计，有效节省了空间。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38711333

  1. 一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计

  2. 一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计、电子技术,开发板制作交流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：272384
    • 提供者：weixin_38694541

  1. IDT推出采用晶圆和封装形式CMOS振荡器

  2. IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)日前宣布，推出全硅CMOS振荡器MM8202和MM8102，使IDT成为业界采用晶圆和封装形式CMOS振荡器提供石英晶体级性能的公司。这些集成电路满足小型化要求，在消费、计算和存储应用中无需使用石英谐振器和振荡器，为所有常见串行有线接口提供优异的链接性能，其中包括S-ATA、PCIe、USB 2.0 和USB 3.0。产品提供的晶圆形式实现了板上芯片(CoB)和多芯片模块(MCM)组装设计，有效节省了空间。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38597300

  1. 全硅 CMOS 振荡器-IDT3C02 振荡器

  2. IDT3C02 振荡器采用 IDT 的 CMOS 振荡器技术，可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，而无需使用任何机械频率源或锁相环（PLL）。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口，如千兆以太网、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。该产品是通用石英晶体振荡器的一种低功耗、低抖动替代方案，因此非常适合服务器和企业设计，以及采用以太网端口的数据通信设备。 　　IDT3C02 振荡器可产生

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38502428
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