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  1. 用于研究SOI的最新（2017年4月）BSIM模型

  2. 伯克利大学团队开发的BSIMSOI模型的最新版，其中NMOS和PMOS模型都是以VA语言编写，注意，虽然文档中没有说明使用尺寸，但是我试了一下，最小适用于0.18μm，沟长再小，短沟道效应比较严重，器件特性变化明显。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-11-08
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：u011516175

  1. ISSCC 2018- Digest HighRes.rar

  2. ISSCC2018-DigestHighRes.docx ISSCC2018-DigestHighRes.pdf PAPER SESSIONS Plenary Session 6 Processors 32 Analog Techniques 48 mm-Wave Radios for 5G and Beyond 64 Image Sensors 78 Ultra-High-Speed Wireline 100 Neuromorphic, Cloc

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-04-04
    • 文件大小：158334976
    • 提供者：weixin_44035342

  1. 通信与网络中的FDSOI在移动领域的应用前景

  2. ARM,Globalfoundries, IBM, 意法半导体, 法国Soitec以及法国CEA-Leti公司等公司的联盟，为了在下一代晶体管技术竞赛中位居前列，宣布了对FD-SOI技术（全耗尽型SOI技术,有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI）的*估结果和有关的参数特性，并称这项技术适合 20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品使用。并演示了基于ARM处理器上的平面型FD-SOI技术的优势。 图1 基于ARM处理器上的平面型FD-SOI技术的优势 　　FDSOI如何克服SOI的弱

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：120832
    • 提供者：weixin_38647039

  1. FDSOI设备的后门恢复

  2. FDSOI设备的后门恢复

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38724611

  1. SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究

  2. 研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38694674