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  1. 智能功率模块_IPM_的驱动与保护

  2. IPM智能功率模块是一种新型功率开关器件,它集成了GTR和MOSFET的优点,具有高耐压、高输入阻抗、高开关频率、低驱动功率等优点,而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路,从而大大提高了系统的可靠性,因此,使用起来非常方便。本文以三菱公司PM75DSA120 为例介绍IPM的驱动电路和保护电路的设计。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2015-08-03
    • 文件大小：191488
    • 提供者：baidu_27972697

  1. 电力双极型晶体管（GTR）详解 3

  2. GTR的驱动和保护电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38605801

  1. GTR的驱动保护

  2. 驱动电路、保护电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38711529

  1. 接口/总线/驱动中的IGBT中错误解决方法，三大案例破局

  2. IGBT经常被应用在各类大功率电源当中，其好坏关系到电路的性能。本文将为大家介绍在IGBT中应用会遇见的一些问题，以及解决方法。     选用有效的过流保护驱动电路     在IGBT的应用中，关键是过流保护。IGBT能承受的过流时间仅为几微秒，这与scr、gtr（几十微秒）等器件相比要小得多，因而对过流保护的要求就更高了。IGBT的过电流保护可分为两种类型，一种是低倍数（1.2~1.5倍）的过载电流保护；     另一种是高倍数（8~10倍）的短路电流保护。对于过载保护可采用瞬时封锁门极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38638799

  1. 电源技术中的三种在IGBT当中的错误解决方案

  2. IGBT经常被应用在各类大功率电源当中，其好坏关系到电路的性能。本文将为大家介绍在IGBT中应用会遇见的一些问题，以及解决方法。     选用有效的过流保护驱动电路     在IGBT的应用中，关键是过流保护。IGBT能承受的过流时间仅为几微秒，这与scr、gtr（几十微秒）等器件相比要小得多，因而对过流保护的要求就更高了。IGBT的过电流保护可分为两种类型，一种是低倍数（1.2~1.5倍）的过载电流保护；     另一种是高倍数（8~10倍）的短路电流保护。对于过载保护可采用瞬时封锁门极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38670208

  1. 电源技术中的简述IGBT保护电路设计中必知问题

  2. 1 引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：167936
    • 提供者：weixin_38736562

  1. 电源技术中的一款1700V，200～300A IGBT的驱动和保护电路设计

  2. 0  引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38614462

  1. 电源技术中的浅谈LED开关电源选用及使用注意事项

  2. LED开关电源高频化是其发展的方向，高频化使开关电源小型化，并使开关电源进入更广泛的应用领域，特别是在高新技术领域的应用，推动了高新技术产品的小型化、轻便化。另外开关电源的发展与应用在节约能源、节约资源及保护环境方面都具有重要的意义。LED开关电源中应用的电子器件主要为：LED二极管、IGBT和MOSFET。SCR在开关电源输入整流电路及软启动电路中有少量应用，GTR驱动困难，开关频率低，逐渐被IGBT和MOSFET取代。 　　一、金属外壳电源线与外壳一般与地（FG）连接，要可靠接地，以确保安全

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38524246

  1. 工业电子中的2SD315模块在IGBT驱动保护电路中的应用

  2. 1、引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，从而成为当今电力电子行业的首选器件。 　　电力电子器件的发展

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：240640
    • 提供者：weixin_38617001

  1. 电源技术中的解析IGBT的一种驱动和过流保护电路的设计

  2. 一 引言 　　绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点。是取代GTR的理想开关器件。IGB

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：207872
    • 提供者：weixin_38667849

  1. 工业电子中的浅谈IGBT驱动器提供可靠保护方案

  2. 为确保电力电子组件在非允许工作的条件影响下得到可靠的保护，需要快速和可靠的错误检测及有效的保护措施。在功率模块中，即可通过系统控制器或者通过IGBT驱动器提供错误管理。绝缘栅双极晶体管 IGBT 是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管 GTR 和功率场效应管 MOSFET 的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 （10-40 kHz） 的特点，是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。 IGBT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：142336
    • 提供者：weixin_38621630

  1. 创新方法优化IGBT电路保护

  2. IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。 　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式--所需余量较大，系统庞大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38692836

  1. 元器件应用中的新型IGBT系统电路保护设计的解决方案

  2. IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，对IGBT的保护显得尤为重要。 　　 　　目前，在使用和设计IGBT的过程中，基本上都是采用粗放式的设计模式--所需余量较大，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：158720
    • 提供者：weixin_38729022

  1. 电子测量中的IGBT在逆变器中的应用与保护保电路

  2. IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。图1所示为N沟道增强型垂直式IGBT单元结构，IGBT采用沟槽结构，以减少通态压降，改善其频率特性。并采用NFT技术实现IGBT的大功率。IGBT用MOSFET作为输入部分，其特性与N沟道增强型。MOS器件的转移特性相似，形成电压型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：256000
    • 提供者：weixin_38629976

  1. 元器件应用中的IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护

  2. IGBT综述 　　1．1 IGBT的结构特点 　　IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。图1所示为N沟道增强型垂直式IGBT单元结构，IGBT采用沟槽结构，以减少通态压降，改善其频率特性。并采用NFT技术实现IGBT的大功率。IGBT用MOSFET作为输入部分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：250880
    • 提供者：weixin_38645133

  1. 元器件应用中的IGBT的驱动和过流保护电路的研究

  2. 摘要：本文首先谈论了IGBT的驱动电路的基本要求和过流保护分析,然后运用IGBT集电极退饱和原理,提供了一个采用分立元件构成的IGBT驱动电路和过流保护电路。仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行性。 　　一 引言 　　绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipo1ar Transistor，IGBT)是MOSFET 与GTR 的 复合器件，因此，它既具有MOSFET 的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简 单、热温度性好的优点,又包含了GTR 的载流量大、阻断电压高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：254976
    • 提供者：weixin_38746387

  1. 正负脉冲电源用双重保护电路的研究

  2. 摘　要：针对正负脉冲电源中对IGBT保护的要求，提出并分析了一种廉价而简洁的、适用于各种保护电路的控制电路，给出了设计时需要注意的问题。该控制电路对于实际操作中可能遇到的过载、瞬时过流、短路等现象能进行很好的监测和控制。   关键词：正负脉冲电源；控制电路；瞬时过流；短路；采样电流    在材料保护领域，等离子体表面处理、阳极氧化、微弧氧化、脉冲电镀等新技术正在国内兴起。工业生产需要的特种电源以大功率正负脉冲电源为先进的一种。电源的研制过程中，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)始终是功率开关器件的首

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：206848
    • 提供者：weixin_38709312

  1. IGBT在逆变器中的应用与保护保电路

  2. IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。图1所示为N沟道增强型垂直式IGBT单元结构，IGBT采用沟槽结构，以减少通态压降，改善其频率特性。并采用NFT技术实现IGBT的大功率。IGBT用MOSFET作为输入部分，其特性与N沟道增强型。MOS器件的转移特性相似，形成电压型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：350208
    • 提供者：weixin_38503483

  1. 2SD315模块在IGBT驱动保护电路中的应用

  2. 1、引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，从而成为当今电力电子行业的器件。 　　电力电子器件的发展水平

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：281600
    • 提供者：weixin_38552083

  1. 浅谈IGBT驱动器提供可靠保护方案

  2. 为确保电力电子组件在非允许工作的条件影响下得到可靠的保护，需要快速和可靠的错误检测及有效的保护措施。在功率模块中，即可通过系统控制器或者通过IGBT驱动器提供错误管理。绝缘栅双极晶体管 IGBT 是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管 GTR 和功率场效应管 MOSFET 的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 （10-40 kHz） 的特点，是目前发展为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。 IGBT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：139264
    • 提供者：weixin_38742656
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