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搜索资源列表

  1. TOSHIBA Photocoupler GaAlAs Ired & Photo−IC TLP250

  2. The TOSHIBA TLP250 consists of a GaAlAs light emitting diode and a integrated photodetector. This unit is 8−lead DIP package. TLP250 is suitable for gate driving circuit of IGBT or power MOS FET.

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-28
    • 文件大小：157696
    • 提供者：liao123

  1. GaAs/GaAlAs激光器列阵有源区电场分布研究

  2. 用连续波电光检测法测量了激光器列阵发光区电场分布，并对其注入电流扩展作了模拟讨论。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：808960
    • 提供者：weixin_38617196

  1. 透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器

  2. 本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：1009664
    • 提供者：weixin_38644599

  1. 掩蔽与选择性热氧化GaAs—GaAlAs多层结构中的应力和光弹性效应

  2. 本文计算了掩蔽与选择性热氧化GaAs-GaAlAs多层结构中的应力与光弹性效应.提出介质洛埃镜干涉法,直接观测了GaAs上掩蔽生长热氧化膜引起的应力-光弹性效应的折射率分布,测量结果在定性和数量级上与理论计算一致.本文也扼要介绍了应力和光弹性效应对半导体激光器特性的影响及应用于集成光学的可能性.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38660108

  1. 长寿命连续注入式GaAlAs/GaAs激光器

  2. 注入式激光器寿命的解决会从根本上扩大它的实际应用范围。弄清激光器退化的因素后，就研究出消除退化的方法。位错落入激活区、生长过程中的氧污染和激光二极管的表面机械损伤已列入生产的废品类，它们的影响已大为降低。这使我们在实际试验中得到的无故障工作为104小时以上(1~3)，而根据加速试验外推的技术寿命则达到105~106小时。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38544781

  1. 闪耀光栅弱反馈GaAlAs单模半导体激光器的频率调谐特性

  2. 对于单模GaAlAs半导体激光器, 使用一种简单的闪耀光栅外部弱反馈构型, 迫使其工作在852.11 nm波长处, 得到了2.2 GHz的频率连续调谐范围, 获得的输出功率约为半导体激光器自由运转时的90%以上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38608189

  1. GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

  2. 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到10 W(室温,连续),峰值波长为806～809 nm。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：620544
    • 提供者：weixin_38714637

  1. GaAlAs/GaAs量子阱结构的实验研究

  2. 利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：880640
    • 提供者：weixin_38747216

  1. GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器: 1. 设计

  2. 从理论上重点分析和研究了器件行波电极的微波特性,在半绝缘GaAs衬底上设计了具有n+重掺杂外延层和共平面电极的GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器。针对实验中发现的行波电极上微波的高传输损耗问题,分析了起因并提出了器件的改进设计方案,从而设计出可达到35 GHz带宽的高速调制效应的光波导调制器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1046528
    • 提供者：weixin_38692184

  1. GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器Ⅱ. 实验

  2. 在理论分析设计的基础上,进行了GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器实验。建立了器件行波电极微波特性的测试系统,由此系统进行实验确定器件最佳结构参数,完成器件的制作。器件采用共平面行波电极,击穿电压28 V。用1.06 μm YAG激光器进行测试,开关电压8.5 V。由微波网络分析仪测试器件行波电极的微波特性,测得电极中微波与波导中光波间的速率失配小于3%,且在30 GHz下,微波传输损耗小于30dB,表明器件的3 dB调制带宽超过32 GHz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：848896
    • 提供者：weixin_38605144

  1. DH-GaAlAs激光器的非对称脉冲振荡研究

  2. 本文报道了DH-GaAlAs半导体激光器的非对称激光脉冲振荡的实验观察结果.用求解激光器的速率方程得出的数值解,可较好地解释所观察到的非对称激光脉冲振荡现象.通过计算给出了半导体激光器的非对称脉冲振荡工作区,即产生非对称激光脉冲时,偏置直流、射频电流和调制频率的范围.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38523728

  1. 用湿化学蚀刻法制造的GaAlAs短腔激光器

  2. 使用化学蚀刻新工艺，已制造出阈电流为30亳安的GaAlAs短腔条形激光器，该工艺采用了多层金属掩模。这种激光器长为23微米，宽为12微米，在蚀刻面上没有反射涂层。在脉冲条件下获得了准单模运转。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38633967

  1. 光栅耦合GaAs和GaAlAs环形激光器

  2. 据D. R. Scifres等人报道，在GaAs和GaAlAs环形激光器中他们观察到借助光栅进行的光耦合输出。这种装置与所有的二极管环形激光器一样，具有激光阈值低、偏振输出光准直度高的优点。在温度为77 K的情 况下测得激光阈值为700安培/厘米2，输出功率为70毫瓦，这时光的发散度为1°×7°。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：668672
    • 提供者：weixin_38625448

  1. 光触发GaAs/GaAlAs异质结负阻激光器

  2. 采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38662327

  1. GaAlAs/GaAs DH激光器的红外透射研究

  2. 本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果.实验表明,红外透射技术是研究GaAlAs/GaAsDH激光器的又一有效工具.我们获得的有关GaAlAs/Ga AsDH激光器的外延层、条区结构和作用区发光情况的综合照片,是用普通的光学显微镜或扫描电子显微镜所不能得到的.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38706824

  1. 200兆比特/秒注入式GaAs-GaAlAs双异质结激光器的调制实验

  2. 本文介绍了采用江入式GaAs-GaAlAs DH激光器进行的200兆比特/秒的调制实验.调制时的偏置电流低于阈值.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38664532

  1. DH-GaAlAs/GaAs激光二极管的一种可靠实用的键合方法

  2. This paper deseribes in detail a reliable and practical technique for bonding DH-GaAlAs/GaAs laser diodes. The series resistance, thermal resistance and bonding strain of DH-GaAlAs/GaAs laser diodes fabricated by this technique have been obviously re

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：518144
    • 提供者：weixin_38747815

  1. 条形GaAs-GaAlAs双异质结激光器的发射光谱特性

  2. 介绍条形GaAs—GaAlAs双异质结激光器的四种发射光谱类型。探讨了它们的可能起因。有源区及其周围的不均匀性将导致多模结构。测量了不同电流下模式的转移与竞争。当电流增加时, 波长向短波方向漂移。热阻较大的器件, 实验的结果与以上结论相反。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38705640

  1. 窄沟槽衬底条形GaAlAs/GaAs DH激光器特性的测量和分析

  2. 本文着重讨论窄沟槽衬底条形GaAlAs/GaAsDH激光器的观察和测量。显示了单模激光器和多丝激光器特性的基本差别,讨论了引起这些差别的基本原因和这两类器件的应用前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38643212

  1. 无点阵失配补偿的GaAs/GaAlAs双异质结构激光器连续运转10000小时

  2. 改进了晶体生长条件后，由通常的金属条纹状双异质结构激光器，而不用在GaAs激活区内添加Al或在GaAlAs邻接层中添加P，就能获得10000小时的连续运转。该激光器仍在运转。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38616505
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