为了研究Al分数对AlxGa1-xN光电阴极的影响，建立并比较了GaN（0001）和Al0.25Ga0.75N（0001）表面的模型。利用基于第一原理密度泛函理论的超软伪势平面波计算和比较了Al0.25Ga0.75N（0001）表面和GaN（0001）表面的Cs活化机理。在这项工作中，为Al0.25Ga0.75N（0001）表面选择了七个可能的Cs吸附位点，而在GaN（0001）表面的计算模型中考虑了五个高对称位点。获得了吸附能，功函，表面偶极矩和光电流曲线。结果表明，Cs吸附降低了表面功函数，