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搜索资源列表

  1. IGBT模块驱动及保护技术

  2. IGBT模块驱动及保护技术 对焊机维修很有帮助

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-08-21
    • 文件大小：137216
    • 提供者：hongnen

  1. IGBT模块驱动及其保护技术

  2. 介绍IGBT的驱动技术，主要是。。。。。。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-09-27
    • 文件大小：182272
    • 提供者：phinxiuke

  1. IGBT模块驱动及保护电路

  2. 对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-05-18
    • 文件大小：143360
    • 提供者：laughing333

  1. 一种用于IGBT模块的新型半桥驱动电路

  2. 一种用于IGBT模块的新型半桥驱动电路，驱动ic使用的是IR22141,性能可靠

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2011-07-15
    • 文件大小：647168
    • 提供者：azq6399184

  1. 2013青铜剑IGBT模块驱动产品介绍

  2. 2013青铜剑IGBT模块驱动产品介绍 驱动器

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-01-05
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：idiuenew1

  1. IGBT模块驱动及保护技术.pdf

  2. IGBT模块驱动及保护技术.pdf

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2013-05-06
    • 文件大小：141312
    • 提供者：hanweiwallywang

  1. 半桥逆变IGBT模块压电驱动与保护电路设计.pdf

  2. 半桥逆变IGBT模块压电驱动与保护电路设计pdf,半桥逆变IGBT模块压电驱动与保护电路设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 高频电源模块驱动电路设计

  2. 性能优越的驱动电路是高频电源模块运行可靠的保证。采用驱动器M57962AL实现IGBT的驱动电路,可以使IGBT工作可靠,性能稳定。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：181248
    • 提供者：weixin_38674992

  1. 小编推荐：如何用EG8010大功率IGBT模块制作驱动板

  2. 本文小编针对于如何用EG8010大功率IGBT模块制作驱动板为读者提供了一个方案供读者参考学习。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：325632
    • 提供者：weixin_38663007

  1. 基于IGBT模块驱动及保护技术研究

  2. IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：247808
    • 提供者：weixin_38645335

  1. 基于IGBT模块驱动及保护技术

  2. IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：247808
    • 提供者：weixin_38696922

  1. 基础电子中的IGBT模块使用中的注意事项

  2. 由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点： 　　在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38610277

  1. IGBT模块驱动及保护技术

  2. 对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的有效方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：146432
    • 提供者：weixin_38728183

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的高压IGBT集成驱动模块的应用研究

  2. 2SD315AI-33是瑞士CONCEPT公司专为3300V高压IGBT的可靠工作和安全运行而设计的驱动模块，它以专用芯片组为基础，外加必需的其它元件组成。该模块采用脉冲变压器隔离方式，能同时驱动两个IGBT 模块，可提供±15V的驱动电压和±15A的峰值电流，具有准确可靠的驱动功能与灵活可调的过流保护功能，同时可对电源电压进行欠压检测，工作频率可达兆赫兹以上；电气隔离可达到6000VAC. 　　1 2SD315AI-33简介 　　1.1 外形及管脚功能 　　图1所示为2SD315AI-33的外

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38631599

  1. 基于IGBT模块驱动及保护技术

  2. 导读:  IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。        IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。 　　I

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：193536
    • 提供者：weixin_38625599

  1. IR新增完善的IGBT模块系列

  2. 全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出完善的IGBT模块系列，适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及焊接应用等高功率工业应用。 　　全新模块系列采用IR极为坚固可靠的IGBT技术（包括非击穿平面栅极和场截止沟道栅极技术）及成熟的二极管技术，提供一系列稳健的高效模块。这些产品采用了行业标准封装，加上宽泛的配置及电流额定值范围，有助于设计师灵活、轻易地部署高功率系统。这72款模块提供600V或120

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38746574

  1. Littelfuse推出高额定值的IGBT模块功率半导体产品

  2. Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A。这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 除了标准设计外，Littelfuse还可提供定制解决方案以满足客户的具体规范。 这些模块将被用于工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源/开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38705873

  1. NX系列IGBT模块实现超低损耗

  2. 三菱电机株式会社推出新一代功率半导体模块：第6代NX系列IGBT模块。第6代NX系列IGBT模块用于驱动一般工业变频器，实现了在变频运行下世界最低的电力损耗。首先面世的将是由6单元组成的1200/150A模块。今后将会陆续推出不同单元组成、不同电流等级的新产品，以丰富该系列产品的产品线。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38595528

  1. 电源技术中的关于高频电源模块驱动电路设计

  2. 1、驱动电路的基本要求 　　一个理想的IGBT驱动电路应具有以下基本性能： 　　(1)动态驱动能力强，能为IGBT栅极提供具有陡峭前后沿的驱动电压脉冲； 　　(2)IGBT导通后，栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态，瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区而损坏； 　　(3)能向IGBT提供适当的正向栅压，一般取+15V为宜； 　　(4)能向IGBT提供足够的反向栅压，利于IGBT的快速关断，幅值一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：191488
    • 提供者：weixin_38690095

  1. IGBT模块驱动及保护技术

  2. IGBT模块驱动及保护技术 蒋怀刚，李乔，何志伟 (华南理工大学雅达电源实验室，广东广州510641） 1引言IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件，在它的栅极?发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极?发射极间存在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38741101
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