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IGBT各类驱动芯片
相当齐全的IGBT驱动,希望对各位有用 对于IGBT 电压型功率器件,目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片,如IR2110、EXB841、M57962 等,它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点[2]。这些混合IC具有各自的特点,应用于不同的场合,也有一定的局限性.....
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-08-19
文件大小:24576
提供者:
gaoyubin8
IGBT驱动保护电路的改良设计
在实际应用电力电子技术过程中,绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动保护电路的合理设计应根据具体器件的特性,选择合适的参数,使之实现最优驱动和有效可靠的保护。文中针对具体工程,对IGBT驱动保护电路的难点进行了分析,采用连续调节IGBT保护整定值的办法实现精确检测及使用延时判断电路用以判断真假过流的设计思想,对常用的IGBT驱动保护电路进行改进,克服了在使用中无过流自锁功能、过流保护的阈值过高、无法对真假过流进行判断的缺陷,获得令人满意的实验结果,已安全应用于有源电力滤波器装置中。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-05-19
文件大小:237568
提供者:
yygw1
IGBT驱动参数计算
结合3300V功率模块的IGBT驱动参数计算
所属分类:
硬件开发
发布日期:2013-05-20
文件大小:333824
提供者:
ydlhoho
IGBT驱动计算
描述IGBT驱动设计与选型,参数计算,动态详细描述
所属分类:
硬件开发
发布日期:2013-10-06
文件大小:1048576
提供者:
ccfk716
IGBT驱动脉冲变压器工作过程分析及参数选择.pdf
IGBT驱动脉冲变压器工作过程分析及参数选择pdf,
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-12
文件大小:89088
提供者:
weixin_38743481
基于光电耦合器HCPL316J的对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路研究.pdf
基于光电耦合器HCPL316J的对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路研究pdf,本文主要对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路进行研究,从门极驱动电压、门极驱动电阻、驱动电路功率与IGBT的关系以及驱动保护等方面分析了驱动电路的设计。最后设计了以基于光电耦合器HCPL316J的驱动电路,计算了电路的参数。通过驱动实验和短路保护实验,验证了设计的正确性。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-16
文件大小:3145728
提供者:
weixin_38743481
矿用三电平变频器驱动电路设计
针对矿用三电平变频器,为提高系统的运行效率且减少电流和电压的过冲,延长电机和变频器寿命,采用新型高压大功率IGBT驱动模块2QD30A17K-I进行驱动电路设计,分析了驱动电路的工作原理,设计了电流过流和短路保护、欠压保护电路,给出了基本三电平的驱动电路原理图,元器件的参数计算和选型,实验调试验证了该驱动电路的可行性和正确性,可以在煤矿行业内推广应用。
所属分类:
其它
发布日期:2020-04-18
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38570202
IGBT驱动保护电路的分类及保护电路的分析与研究.pdf
介绍IGBT门极驱动保护电路的分类。分析IGBT驱动保护电路的发展趋势,对常用IGBT驱动器如光耦隔离型、变压器隔离型等典型电路进行分析,并将市场上常用厂家生产的IGBT驱动工作参数和性能进行比较。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2020-02-01
文件大小:1048576
提供者:
yuazhang
矿用变频器功率器件选型及其驱动保护设计
分析了煤矿井下设备对变频器功率器件IGBT的需求和在IGBT选型时需要考虑的电气参数,介绍了基于2SD315模块的IGBT驱动保护电路的设计。实际应用表明,采用文中介绍的方法选用的IGBT和设计的驱动保护电路后,变频器运行稳定,IGBT驱动有效,保护完善。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-17
文件大小:97280
提供者:
weixin_38683721
IGBT驱动电路设计考虑及电路图
在IGBT的栅极电路中,主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-16
文件大小:18432
提供者:
weixin_38696458
IGBT构成的交流传动逆变器的设计
分析了IGBT构成的交流传动逆变器的主电路原理、逆变电路结构及缓冲保护电路结构,并对主电路的安装布局以及电压电流参数的选取做出了说明,同时提出了一种由M57959构成的IGBT驱动电路的设计,该电路对逆变器的设计有一定的应用价值。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-21
文件大小:222208
提供者:
weixin_38677806
电机控制器IGBT驱动电源的设计
针对IGBT全桥模块提出一种新型驱动电源方案,传统驱动电源采用反激拓扑或变压器单原边多副边的方案。反激拓扑只在开关关断时才向副边传输能量,导致瞬态特性差;而单原边多副边的方案中6组驱动电源空间分布过于密集,电气间隙和爬电距离难以满足要求。基于英飞凌FS400R07A3E3全桥模块设计一种驱动电源,首先分析了各个模块的工作原理及参数计算;然后在仿真软件上验证设计的合理性;最后样机测试表明,电源具有良好的调整率及输出精度,能够稳定驱动IGBT。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-15
文件大小:770048
提供者:
weixin_38723105
三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析
对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析,对TLP250、EXB8系列和M579系列进行了深入的讨论,给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图,还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项。对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验,通过有关的波形验证了它们的特点。最后得出结论:IGBT驱动集成电路的发展趋势是集过流保护、驱动信号放大功能、能够外接电源且具有很强抗干扰能力等于一体的复合型电路。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:408576
提供者:
weixin_38618312
一种适合中频感应加热电源的IGBT驱动技术
为了满足感应加热电源中对IGBT驱动与保护功能的要求,采用北京落木源电子技术有限公司生产的专用于大功率单管MOSFET和IGBT的驱动芯片TX-KA101为核心器件设计一个驱动电路。该驱动芯片具备完善的三段式过流保护功能,工作频率高(可达80 kHz),延迟时间小,驱动能力强,保护功能完善,因而非常适合10~50 kW感应加热电源的应用。对此驱动电路的构成、工作原理、外围电路的设计和参数设置作了详细的描述并给出实验结果,最后经部分公司在中频感应加热电源上的成功应用进一步验证了由KA101驱动芯片
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-17
文件大小:486400
提供者:
weixin_38735790
国内外大功率IGBT驱动模块应用研究分析
目前,IGBT应用领域的驱动方案很多,现在市场上流行着很多种类非常成熟的IGBT驱动模块专用产品,各公司驱动模块都各有特点,但各个公司往往又因维护各自的知识产权,所以通用性较差,在驱动保护功能配置等方面也有不尽完善的地方,因此文章从各公司驱动器驱动性能、电参数、价格、外形尺寸、外围电路及应用领域等进行了详细的说明,为使用者提供参考,并为进一步推广IGBT驱动模块的应用打下基础,同时也为各同行积累经验。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-17
文件大小:704512
提供者:
weixin_38589774
分析影响IGBT驱动电路性能参数的因素
驱动电路就是将控制电路输出的PWM信号进行功率放大, 以满足驱动IGBT的要求, 所以, 驱动电路设计的是否合理直接关系到IGBT的安全、可靠使用。为了确保驱动电路设计的合理性, 使用时必须分析驱动电路中的参数。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:301056
提供者:
weixin_38706531
模拟技术中的分析影响IGBT驱动电路性能参数的因素
0 引言 IGBT 即绝缘门极双极型晶体管( IsolatedGate Bipolar Transistor), 这是八十年代末九十年代初迅速发展起来的一种新型复合器件。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身, 具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动(MOSFET的优点), 同时通态压降较低, 可以向高电压、大电流方向发展(GTR的优点)。因此, IGBT发展很快, 特别是在开关频率大于1kHz, 功率大于5kW的应用场合具有很大优势。在全桥逆变电路中, IGBT是核心器件, 它
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:318464
提供者:
weixin_38657465
电源技术中的多路输出IGBT驱动电路的设计
摘要:介绍了大功率IGBT的驱动原理及工作特性,设计了一种高可靠可维护具有四路驱动信号输出的高电压大功率IGBT驱动电路,给出了电路的原理图和关键参数设计原理及相关波形。 0 引 言 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种电压控制型功率器件,具有输入阻抗高、驱动功率小、低损耗等优良特性。目前,IGBT 越来越广泛应用于大功率开关电源、交流变频器等电力电子装置中。而在IGBT的实际使用中,驱动器的性能是其可靠工作正常运行的关键。目前市场上有不少专用的驱动芯片,一般采用混合厚膜封装技术或集成
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:57344
提供者:
weixin_38551431
基础电子中的新型绝缘栅双极晶体管IGBT驱动芯片MC33153
IGBT(Isolate Gate Bipolar Transistor)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管工作电压高、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几kHz~几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位[1~2]。 对于IGBT 电压型功率器件,目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片,如IR2110、EXB841、M57962 等,它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-15
文件大小:59392
提供者:
weixin_38681628
分析影响IGBT驱动电路性能参数的因素
0 引言 IGBT 即绝缘门极双极型晶体管( IsolatedGate Bipolar Transistor), 这是八十年代末九十年代初迅速发展起来的一种新型复合器件。由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身, 具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动(MOSFET的优点), 同时通态压降较低, 可以向高电压、大电流方向发展(GTR的优点)。因此, IGBT发展很快, 特别是在开关频率大于1kHz, 功率大于5kW的应用场合具有很大优势。在全桥逆变电路中, IGBT是器件, 它可在
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:433152
提供者:
weixin_38621441
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