全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。 　　全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式Direct

功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。 　　全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供