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  1. IRZ110在驱动大中功率IGBT模块中的应用

  2. 介绍了IR2110驱动芯片的特点，对驱动电路作了部分改进，通过选取合理的参数、加上脉宽限制和电平箱位路，使其应用于驱动大中功率IGBT模块。实验证明了该电路的可行性。

  3. 所属分类：嵌入式

  1. IR2110在IGBT驱动电路中的应用

  2. 针对IGBT的半桥或者全桥的驱动，利用具有双通道集成驱动的IR2110来驱动IGBT。对其自举工作原理进行了分析，同时增加了栅极电平箝位电路，克服了IR2110不能产生负偏压的缺点，并在2 kW、400 V汽车直流充电器中以此驱动IKW40N120T2电路的试验中验证了其理论分析的正确性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：194560
    • 提供者：weixin_38631599

  1. 基础电子中的新型绝缘栅双极晶体管IGBT驱动芯片MC33153

  2. IGBT（Isolate Gate Bipolar Transistor）是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管工作电压高、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几kHz～几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位[1~2]。 　　对于IGBT 电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962 等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38681628

  1.  IR2110驱动芯片在光伏逆变电路中的设计应用

  2. IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片，它采用高度集成的电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，同时提高了驱动电路的可靠性[1]。对于我设计的含有ZCS环节的单相光伏逆变电路中有6个IGBT，只需要3片芯片即可驱动，通过dsp2812控制实现软开关和逆变的功能，同时只需要提供3.3 V，12 V的基准电压即可工作，在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统可靠性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：727040
    • 提供者：weixin_38732252

  1. IR2110在无刷直流电机驱动电路中的应用

  2. 引言美国IR公司的IR2110芯片是一种双通道、栅极驱动、高压高速功率器件的单片式集成驱动模块。由于它具有体积小、成本低、集成度高、响应速度快、偏值电压高、驱动能力强等特点，自推出以来，这种适于功率MOSFET、IGBT驱动的自举式集成电路在电机调速、电源变换等功率驱动领域中获得了广泛的应用。IR2110采用先进的自举电路和电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，使得每对MOSFET（上下管）可以共用一片IR2110，并且所有的IR2110可共用一路独立电源。对于典型的6管构成的三

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：145408
    • 提供者：weixin_38592611