根据红外测温原理、薄膜等厚干涉模型及相关光学参数，在Al2O3、SiC、Si三种衬底上用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术制备10 μm GaN外延层的过程中，对940 nm单色测温、1550 nm单色测温、940 nm/1550 nm比色测温的发射率引起表观温度误差、真实温度与表观温度偏差进行理论比较。利用Si(111)衬底上制备InGaN/GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED）外延片过程的940 nm单色测温及940 nm/1550 nm比色测温结果，验证该建模及计算的正确性