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  1. MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响

  2. 孙志国,许志,利定东(应用材料中国有限公司, 上海 201203)摘要:在大规模集成电路的制造过程中,MOCVD TiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVD TiN 厚度对于W 填充能力的影响。 关键词: MOCVD TiN ; 厚度 ; W ; 填充能力 中图分类号:TN304.055 文献标识码: A 文章编号:1003-353X(2003)11-0029-03 1引言 在DRAM,LOGIC等的制造过程中,TiN经常被广泛用作W
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-09
    • 文件大小:80896
    • 提供者:weixin_38661100