孙志国，许志，利定东（应用材料中国有限公司, 上海 201203）摘要：在大规模集成电路的制造过程中，MOCVD TiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVD TiN 厚度对于W 填充能力的影响。 关键词： MOCVD TiN ; 厚度 ; W ; 填充能力 中图分类号：TN304.055 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2003)11-0029-03 1引言 在DRAM，LOGIC等的制造过程中，TiN经常被广泛用作W