长期以来，人们一直在研究以量子点（QD）作为电荷存储层（CSL）的MONOS型非易失性存储设备，以取代传统的多晶硅浮栅存储器，因为它具有以下优点：工作电压较小，编程/擦除速度更快，更小的尺寸，更好的耐用性以及更高的位存储密度。 作为关键部分，已经广泛研究了不同类型的半导体量子点，例如GeError！ 找不到参考源。，SiCError！ 找不到参考源。，SiGeError！ 找不到参考源。InP和ZnO。 在这项工作中，已研究了不同的溅射厚度和沉积后退火（PDA）温度对ZnO QDs形成尺寸的影响