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  1. 模拟CMOS集成电路设计1

  2. 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-07-15
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：brucezhan

  1. MOS场效应管及其电路

  2. 1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2．FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自偏压式和分压式两种。 3． FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：smallmuou

  1. 硬件工程师手册156页的硬件开发参考

  2. 第一章 概述 3 第一节 硬件开发过程简介 3 §1.1.1 硬件开发的基本过程 4 §1.1.2 硬件开发的规范化 4 第二节 硬件工程师职责与基本技能 4 §1.2.1 硬件工程师职责 4 §1.2.1 硬件工程师基本素质与技术 5 第二章 硬件开发规范化管理 5 第一节 硬件开发流程 5 §3.1.1 硬件开发流程文件介绍 5 §3.2.2 硬件开发流程详解 6 第二节 硬件开发文档规范 9 §2.2.1 硬件开发文档规范文件介绍 9 §2.2.2 硬件开发文档编制规范详解 10 第三节

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-07-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：duanlnn

  1. 硬件工程师手册（附目录）

  2. 第一章 概述 3 第一节 硬件开发过程简介 3 §1.1.1 硬件开发的基本过程 4 §1.1.2 硬件开发的规范化 4 第二节 硬件工程师职责与基本技能 4 §1.2.1 硬件工程师职责 4 §1.2.1 硬件工程师基本素质与技术 5 第二章 硬件开发规范化管理 5 第一节 硬件开发流程 5 §3.1.1 硬件开发流程文件介绍 5 §3.2.2 硬件开发流程详解 6 第二节 硬件开发文档规范 9 §2.2.1 硬件开发文档规范文件介绍 9 §2.2.2 硬件开发文档编制规范详解 10 第三节

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-08-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：mantou22

  1. 如何应用网上的Saber模型文件.pdf

  2. 网上有一些器件厂商提供了Saber 的模型(.sin)文件，在SaberSketch 中应用还需 要作如下的工作（以MOS 管2n7002l 为例）：

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-09-25
    • 文件大小：184320
    • 提供者：reader1

  1. 硬件工程师手册(全)

  2. 第一章 概述 3第一节 硬件开发过程简介 3§1.1.1 硬件开发的基本过程 4§1.1.2 硬件开发的规范化 4第二节 硬件工程师职责与基本技能 4§1.2.1 硬件工程师职责 4§1.2.1 硬件工程师基本素质与技术 5第二章 硬件开发规范化管理 5第一节 硬件开发流程 5§3.1.1 硬件开发流程文件介绍 5§3.2.2 硬件开发流程详解 6第二节 硬件开发文档规范 9§2.2.1 硬件开发文档规范文件介绍 9§2.2.2 硬件开发文档编制规范详解 10第三节 与硬件开发相关的流程文件介

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2008-03-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：love0422

  1. 短沟效应与MOS器件模型

  2. 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型 短沟效应与MOS器件模型

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-03-22
    • 文件大小：932864
    • 提供者：dx5026765

  1. Microwind2

  2. Microwind 是法国青年学者Etienen Sicard 编制一个集成电路设计与仿真教学免费程序。与 某些仿真程序不同，Microwind 在提供集成电路低层（Layout）设计工具的同时，还提供了基 本的Spice 仿真工具。 Microwind 具有如下功能： BJT MOS 元件结构设计绘制，可用来设计二极管、 、 管、电阻、电容和电感。 16 层金属连线绘制。 3D 制造过程显示。 2D 器件 断面显示。 Spice 1 3 BSIM4 仿真，包括模型 、模型 和 模型。 采用0

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-06-19
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：sunchen312417

  1. CMOS射频集成电路设计 托马斯李 经典射频中文译书

  2. 这本被誉为射频集成电路设计的指南书，全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络以及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-07-11
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：askw2008

  1. [模拟CMOS集成电路设计].Design.Of.Analog.CMOS.Integrated.Circuits.-.Behzad.Razavi

  2. 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-07-12
    • 文件大小：42991616
    • 提供者：a370690317

  1. AFT05MP075N

  2. NXP 恩智浦 飞思卡尔 ATF系列075 MOS管 ads仿真器件模型

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2018-05-18
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_37930278

  1. ESD MOS Devices

  2. 主要讲解了ESD静电保护器件的模型及原理，可以通过该资料对ESD器件有初步的了解

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-12-14
    • 文件大小：720896
    • 提供者：mlw4869

  1. 模拟CMOS集成电路设计]Behzad.Razavi

  2. tica, Arial, sans-serif">《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-03-14
    • 文件大小：42991616
    • 提供者：scyyj520

  1. CH2 MOS 器件基础物理

  2. 1. MOS结构 2. MOS的I/V特性 2.1MOS的阈值电压Vth、 2.2 I/V特性的推导 3.二阶效应 3.1体效应 、 3.2 亚阈值效应、 3.3 沟道调制效应 4. 小信号模型 5.MOS器件电容

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：917504
    • 提供者：weixin_47373620

  1. MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数

  2. MOS管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-15
    • 文件大小：108544
    • 提供者：weixin_38501826

  1. HSPICE的MOS管模型中文文档

  2. 文档包含了MOS管的模型的参数、以及遵从的数学公式。除此之外，不仅有针对MOS管的模型还有针对一些其他器件的模型，比如LTPS TFT（LEVEL 62）

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-09-27
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：qq_39814612

  1. MOS管短沟道效应及其行为建模

  2. 随着集成电路工艺的不断革新,集成电路器件的尺寸不断减小,当MOS管的尺寸小到一定程度时,会出现短沟道效应,此时MOS管特性与通常相比有很大不同。本文介绍了描述短沟道MOS管特性的一些公式,然后利用硬件描述语言VHDL2AMS对短沟道MOS管进行了行为建模,并利用混合信号仿真器SMASH5. 5对模型进行了仿真,将短沟道MOS管模型特性与一般模型特性作了比较。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38550137

  1. MOSFET栅漏电流噪声分析

  2. 栅漏电流大的MOS器件噪声特性的研究仍是现今研究中活跃的课题。尤其当MOS-FET缩减至直接隧穿尺度(<3nm)时，栅漏电流噪声模型显得尤为重要，并可为MOSFET可靠性表征和器件设计提供依据。文中基于MOSFET栅氧击穿效应和隧穿效应，总结了栅漏电流噪声特性，归纳了4种栅漏电流噪声模型，并对各种模型的特性和局限性进行了分析。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：156672
    • 提供者：weixin_38689857

  1. 电源技术中的集成电路中的MOS晶体管模型

  2. MOS模型 MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米，栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。 MOSFET的二级模型是基于几何图形的分析模型。在MOSFET的二级模型中，考虑了小尺寸器件的一些二级效应的影响。该模型适于沟长大于2微米,沟道宽度在6微米左右，栅氧化层厚度大于250埃的MOSFET。考虑的主要的二级效应包括：（1） 短沟和窄沟效应对阈值电压的影响。（2） 表面电场对载流子迁移率的影响。（

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38644168

  1. 横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望

  2. 横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一。分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前国内外消除SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的技术,比较了各种技术的比导通电阻与击穿电压的关系。最后,从设计技术、工艺及理论模型三个方面,对横向超结器件的发展方向进行了展望。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38590775
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