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搜索资源列表

  1. MOS管应用--消除振铃方法

  2. MOS管应用--消除振铃方法 SNUBBER DESIGN FOR NOISE REDUCTION IN SWITCHING CIRCUITS

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-07-08
    • 文件大小：228352
    • 提供者：shlocky

  1. MOS管驱动电路总结

  2. MOS管种类和结构、MOS管导通特性、MOS开关管损失、MOS管驱动、MOS管应用电路（低压应用、宽电压应用、双电压应用....）

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-08-01
    • 文件大小：34816
    • 提供者：yangli_bang

  1. 晶体管原理和MOS管原理

  2. 晶体管原理和MOS管原理，主要描述mos管得常见应用，以及基本功能

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-02-18
    • 文件大小：327680
    • 提供者：xfhy55

  1. MOS管应用资料

  2. MOS管应用资料 很经典的mos管经验资料讲义分享，很有用

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-04-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：tobing

  1. MOS管驱动电路总结.rar

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最 大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不 是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原 创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2020-04-01
    • 文件大小：537600
    • 提供者：Leo_LEE88

  1. MOS管FQA28N15

  2. 这是一款大电流，高频率的N沟道Mos管。应用于开关电源技术。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2012-11-02
    • 文件大小：814080
    • 提供者：zhbyb

  1. 三极管与MOS管开关原理比较.pdf

  2. 三极管与MOS管开关原理比较：分别讲解了三极管和MOS管的开关特性，对正确应用三极管和MOS管有一定的借鉴意义

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. 关于MOS管失效原因，这6个原因你一定要知道！.pdf

  2. 关于MOS管失效原因，这6个原因你一定要知道：详细讲解了MOS失效的多个原因，对正确应用MOS管很有帮助

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. 功率MOS管的五种损坏模式详解-设计应用.pdf

  2. 功率MOS管的五种损坏模式详解-设计应用：讲解了MOS损坏的五种模式，对MOS管的正确应用有一定的启示意义

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：623616
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. 工程师秘籍：多颗MOS管的并联应用研究 - 门极驱动器 - LED社区.pdf

  2. 讲解了MOS管并联均流的应用原理，由于MOS并联时特性较难掌握，此文章对多个MOS并联的技术进行了相关研究

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：681984
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. 全面解析MOS管特性、驱动和应用电路

  2. 本文是对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：77824
    • 提供者：weixin_38613154

  1. MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？

  2. 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38520275

  1. MOS管常见相关知识整理

  2. MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。 早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。 而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区别，首先由于功能较大输入电容也比较大，这样接触到静电就有一个充电的过程，产生的电压较小，引起击穿的可能较小，再者现在的大功率MOS管在内部的栅极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：148480
    • 提供者：weixin_38516386

  1. MOS管防反接防过压电路

  2. MOS管防反接防过压电路。 上篇文章写道了一种简易的防反接防过压电路，其有个比较大的缺点就是不能用于电流较大的电路中。针对大电流的应用，下面介绍下MOS管的防反接防过压电路。 NMOS管防反接电路 如上图 当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通，后续因为Vgs大于Vgsth门限电压，MOS管导通。 当电源接反时，体二极管不通，并且Vgs的电压也不会符合要求，所有NMOS管不通，电路中没有电流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38724247

  1. 小电流mos管发热分析

  2. 小电流mos管发热分析 mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。 无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图： 在开关电源中常用MOS管的漏极开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38626179

  1. 关于MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点

  2. 我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗（地是作为驱动电路的旁路电容和电源网络滤波网的返回路径）。在某些情况下，加入测量电流的小电阻也可能产生额外的感抗。 mos管是什么？ mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insul

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：322560
    • 提供者：weixin_38662213

  1. 关于mos管参数解读

  2. mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38724106

  1. 有关mos管的参数解读

  2. mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%开端到VDS上升到其关断电压时10%的时刻。 Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻。 Td（on）：导通延迟时刻。从有输入电压上升到10%开端到VDS下降到其幅值90%的时刻。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38727579

  1. 自我总结之MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理 电路设计 问题总结）.rar

  2. 文件名 大小 MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/MOSFET管经典驱动电路设计大全.pdf MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/MOSFET驱动电路设计参考.pdf MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/MOS管电路工作原理及详解.ppt 2516KB MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/mos管驱动电流计算.pdf MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/高速MOS驱动电路设计和应用

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-07-23
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：WUAILINA

  1. 三极管和MOS管应用在开关中怎样区分

  2. 在一些开关上，我们会应用到三极管和MOS管这两种类别，但是这两种有啥具体的区分和功能，一些人还是不清楚，为了方便大家知晓，现在就从专业的角度上来给大家来说说这两者的区别。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-05
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38535848
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