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搜索资源列表

  1. 步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计.pdf

  2. 本文介绍了在步进电机驱动器中利用;6!EE"? 完成A4?9>= 驱动的设计，并给出试验结果。 步进电机；;?!EE"?；A4?9>=；驱动器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2009-12-21
    • 文件大小：327680
    • 提供者：jeck515

  1. 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南,高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

  2. 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南,高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-18
    • 文件大小：353280
    • 提供者：fanshowtime

  1. MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配设计

  2. 对MOSFET的驱动要求和性能作了详细的分析，感觉不错。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-04-28
    • 文件大小：361472
    • 提供者：mao1217

  1. AN799 MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计应用笔记（中文）

  2. AN799 MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计应用笔记（中文）

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2012-07-07
    • 文件大小：361472
    • 提供者：andy33446

  1. mos管驱动设计

  2. 讲述mosfet的主要驱动技术，以及相应的短路过流保护方法

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-03-27
    • 文件大小：117760
    • 提供者：guixxing

  1. 步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计

  2. 步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计 步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计 步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-03-14
    • 文件大小：327680
    • 提供者：wanglef

  1. SIC MOSFET的驱动IC设计

  2. 帮助设计SIC MOSFET产品的驱动电路，完整的评估板设计线路，满足客户的参考设计以及系统平台的评估

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_46048648

  1. Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法.pdf

  2. Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法pdf,Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法mp whf VEE %hi laen OUT 变压宣按动 图5所示这种直接驱动方法的突出优点是成本最低,但由于变压器只能传递交流 信号,因此输出的正负脉冲幅值随占空比而变,只适用于占空比在0.5左右、而 且变化不大的情况。同时由于变压器的负载是M0S管的输入电容,驱动脉冲的 前后沿一般不会很理想。 有源变压器驱动 REn OUT 原大 笔动 压龄外加 用变压器传送管号,次级另加隔离电源和放大电路,如图6所示。因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：621568
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 高端MOSFET的驱动技术

  2. 本文档是IR高压门极驱动芯片的设计指南，中文版本，值得收藏。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-08-23
    • 文件大小：420864
    • 提供者：naxiecn

  1. MOSFET管驱动电路的设计.pdf

  2. MOSFET管驱动电路的设计：详细讲解了MOS管驱动电路如何设计，对理解MOS驱动电路的细节原理很有帮助

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. igbt及MOSFET隔离驱动技术

  2. 为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38628183

  1. 元器件应用中的步进电机的MOSFET管驱动设计

  2. H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向电流，这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。 　　电路原理 　　图1给出了H桥驱动电路与步进电机AB相绕组连接的电路框图。 　　 　　4个开关K1和K4，K2和K3分别受控制信号a，b的控制，当控制信号使开关K1，K4合上，K2，K

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：133120
    • 提供者：weixin_38638002

  1. 接口/总线/驱动中的关于MOSFET管驱动电路总结

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。     1、MOS管种类和结构     MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：149504
    • 提供者：weixin_38703906

  1. 电源技术中的一款1700V，200～300A IGBT的驱动和保护电路设计

  2. 0  引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38614462

  1. 电源技术中的电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件

  2. 在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商（包括TI在内）拥有现成的MOSFET集成电路驱动器解决方案，但这通常不是成本最低的解决方案。通常会选择价值几美分的分立器件。 图1 简单的缓冲器可驱动2Amps以上的电流。 　　图1中的示意图显示了一个NPN/PNP发射跟随器对，其可用于缓冲控制IC的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：154624
    • 提供者：weixin_38684633

  1. 元器件应用中的MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

  2. 摘要：率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。 　　功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38580959

  1. 基于混合SET/MOSFET的比较器

  2. 基于双输入单电子晶体管与MOSFET 的混合结构I-V 特性和数字电路的逻辑设计思想，提出了一种由5 个双栅极SET 和6 个MOSFET 构成的一位比较器电路结构。该比较器有以下优点：利用双栅极SET和 MOSFET 构成逻辑块使电路结构大为简化；减少了管子的数目；电压兼容性好，驱动性能高；输入和输出高低电平都接近于1V 和0V；静态总功耗低，为nW 级。仿真结果验证了它的正确性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：231424
    • 提供者：weixin_38656462

  1. 模拟技术中的基于KAI-01050 CCD功率电路的驱动方案

  2. 导读：本方案对部分重点电路进行了仿真验证，并通过测试验证了本方案所设计的驱动电路各部分功率驱动电路满足KAI-01050 CCD 的功率驱动要求，在四通道输出模式下，帧频可达120 f/s,充分验证了该方案的合理性。 　　此CCD功率驱动电路的难点包括40 MHz高速水平转移和复位时钟驱动、三电平阶梯波形垂直转移时钟V1和高压脉冲电子快门信号驱动设计。利用高速时钟驱动器ISL55110和钳位电路实现了高速水平转移时钟的驱动；利用两个高速MOSFET驱动器组合的方案，实现了三电平阶梯波形垂直转移

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：273408
    • 提供者：weixin_38740130

  1. 电源技术中的开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃

  2. 功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS控制器带来了契机。那些与SMPS控制器集成在一起的驱动器只适用于电路简单、输出电流小的产品；而那些用分立的有源或无源器件搭成的驱动电路既不能满足对高性能的要求，也无法获得专用单片式驱动器件的成本优势。专用驱动器的脉冲上升延时、下降延时和传播延迟都很短暂，电路种类也非常齐全，可以满足各类产品的设计需要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38578242

  1. MOSFET的驱动保护电路的设计与应用

  2. 率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配；设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-31
    • 文件大小：758784
    • 提供者：weixin_38693173
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