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  1. 步进电机驱动芯片THB7128资料大全

  2. THB7128 高细分、大功率 两相混合式步进电机驱动芯片 特性: ● 双全桥MOSFET驱动,低导通电阻Ron=0.53Ω ● 最高耐压40VDC,大电流3.3 A(峰值) ● 多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128) ● 自动半流锁定功能 ● 内置混合式衰减模式 ● 内置输入下拉电阻 ● 内置温度保护及过流保护
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2010-03-29
    • 文件大小:678912
    • 提供者:jek0027
  1. IXDD414驱动芯片

  2. IXDD414CI是IXYS公司生产的专门用于MOSFET和IGBT的高速驱动芯片,为5脚TO-220封装,具有宽电源电压范围、高速、低传输延迟时间、大驱动电流输出、低输出阻抗、低能耗和适应TTL和CMOS电平的输入电压等特点。该芯片具有使能控制端;当使能端为低电平时,输出为高阻状态。
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2010-04-17
    • 文件大小:249856
    • 提供者:myth3710
  1. MOSFET/IGBT 半桥驱动芯片IR2111 的应用研究

  2. 介绍了MOSFET/IGBT 半桥驱动芯片IR2111 的使用情况, 分析了其工作电路中外围各元器件的作用, 同时指出了在使 用过程中应注意的一些问题和现象, 并对不同公司的MOSFET/IGBT 驱动芯片作了简要介绍。
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2010-08-24
    • 文件大小:701440
    • 提供者:xchftt
  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用,其中有解释和说明
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2011-03-05
    • 文件大小:133120
    • 提供者:zuoshouge2009
  1. UC3843 MOSFET驱动芯片

  2. 噶时光噶萨嘎岁嘎嘎嘎嘎阿萨嘎嘎嘎嘎嘎啊嘎嘎嘎嘎阿哥啊嘎嘎阿哥
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2011-07-20
    • 文件大小:152576
    • 提供者:i498791949
  1. MC33886电机驱动芯片

  2. The 33886 is a monolithic H-Bridge ideal for fractional horsepower DC-motor and bi-directional thrust solenoid control. The IC incorporates internal control logic, charge pump, gate drive, and low RDS(ON) MOSFET output circuitry. The 33886 is able t
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-01-19
    • 文件大小:643072
    • 提供者:zwc475793240
  1. THB7128 高细分、大功率两相混合式步进电机驱动芯片

  2. THB7128 高细分、大功率两相混合式步进电机驱动芯片 双全桥MOSFET驱动,低导通电阻Ron=0.53Ω 最高耐压40VDC,大电流3.3 A(峰值) 多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128) 自动半流锁定功能 内置混合式衰减模式 内置输入下拉电阻 内置温度保护及过流保护
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2012-07-21
    • 文件大小:539648
    • 提供者:mingmingwangqaz
  1. MOSFET_IGBT半桥驱动芯片IR2111的应用研究.pdf

  2. 驱动MOSFET_IGBT,采用芯片IR2111
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-12-19
    • 文件大小:699392
    • 提供者:feiyu312
  1. 步进电机驱动芯片THB7128芯片用户手册

  2. THB7128 高细分、大功率 两相混合式步进电机驱动芯片 一、 特性: ● 双全桥MOSFET驱动,低导通电阻Ron=0.53Ω ● 最高耐压40VDC,大电流3.3 A(峰值) ● 多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128) ● 自动半流锁定功能 ● 内置混合式衰减模式 ● 内置输入下拉电阻 ● 内置温度保护及过流保护
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2013-07-10
    • 文件大小:352256
    • 提供者:qb9787
  1. THB6016H步进驱动资料电路

  2. THB6016H 步进驱动 驱动器设计双全桥MOSFET驱动,低导通电阻Ron=0.6Ω(上桥+下桥)
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2013-10-17
    • 文件大小:616448
    • 提供者:u012485094
  1. 高端MOSFET的驱动技术

  2. 本文主要目的是祥述在应用高压门极驱动芯片驱动半桥时所可能遇到的最常见的问题及对策, 应用实例是电机驱动。
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2008-11-07
    • 文件大小:420864
    • 提供者:BOBONO2
  1. AT4931 三相无刷直流电机预驱动芯片.pdf

  2. AT4931是一款三相无刷直流电机预驱动芯片,能够在较宽的电压范围内驱动N沟道功率MOSFET,且电机电源最高可支持到30V。换相逻辑由三个相位差为120°的霍尔元件确定。 AT4931其它特性包括:具有固定关断时间的脉宽调制(PWM)电流控制:延迟时间可调的堵转保护;热关断保护;过压监控和同步整流。内置的同步整流电路在电流衰减时开启对应的MOSFET,低导通阻抗的MOSFET将体二极管短接,从而降低功耗。在电机线圈续流过程中,当电源电压上升到高于过压保护阈值时,同步整流功能被禁用。 AT49
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2020-05-20
    • 文件大小:403456
    • 提供者:weixin_47298284
  1. 驱动芯片资料

  2. DRV8833电机驱动芯片,DRV8833器件为玩具、打印机及其他机电一体化应用提供了一款双桥电机驱动器 解决方案。 该器件具有两个 H 桥驱动器,能够驱动两部直流刷式电机、一部双极步进电机、多个螺线管或其他感性负载。 每个 H 桥的输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成,用于驱动电机绕组。每个 H 桥均具备调节或限制绕组电流的电路。 该器件利用故障输出引脚实现内部关断功能,提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护。另外,还提供了一种低功耗休眠模式。lEXAS
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-03-02
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:lewis1501
  1. 半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择:变压器还是硅芯片

  2. 半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择:变压器还是硅芯片
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2010-07-13
    • 文件大小:149504
    • 提供者:fisherxw
  1. 恒功率LED驱动芯片SM2510P高PF低THD投光灯方案

  2. 恒功率 LED 驱动芯片SM2510P 是一款高 PF、低 THD、恒功率 LED 驱动芯片。芯片采用专利的分段导通控制模式,驱动外置 MOSFET,控制输出电流跟随线网电压变化得到平滑的正弦波电流,使得系统具有较高的 PF和较低的 THD,电路简单,成本低
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:197632
    • 提供者:weixin_38670065
  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 随着电力电子技术的发展,各种新型的驱动芯片层出不穷,为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路,外围电路大大减少,使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁,.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单,高效,快速的驱动芯片。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-30
    • 文件大小:150528
    • 提供者:weixin_38731239
  1. saber下MOSFET驱动仿真实例

  2. 设计中,根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数,利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,图5-1所示MOSFET DC Characteristics设置,图5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics设置,Body Diode 参数采用默认设置。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:167936
    • 提供者:weixin_38708461
  1. 专用芯片技术中的TRINAMIC推出全新4A步进电机驱动芯片,功耗降低85%

  2. TRINAMIC近日发布了一款全新的步进电机驱动芯片,驱动电流可达4安培,丰富了其现有的微步控制的步进电机驱动产品线。新的TMC2660集成预驱动器和功率MOSFET管,预驱动部分可以实时计算电机线圈电流,功率MOSFET将电流放大驱动电机。   该芯片采用多芯片模组封装技术,将驱动器和放大器封装在一个芯片内,实现了最低功耗,目前可用于4安培的步进电机驱动器。TMC2660的Rds为65毫欧,于4安培电流的情况下工作只耗能2.8瓦,与之前最具竞争力的解决方案相比减少了85%.新芯片的低能耗消除
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:87040
    • 提供者:weixin_38522323
  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 随着电力电子技术的发展,各种新型的驱动芯片层出不穷,为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路,外围电路大大减少,使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁,性能也获得到了很大地提高。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:209920
    • 提供者:weixin_38705873
  1. 基础电子中的新型绝缘栅双极晶体管IGBT驱动芯片MC33153

  2. IGBT(Isolate Gate Bipolar Transistor)是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管工作电压高、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几kHz~几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位[1~2]。   对于IGBT 电压型功率器件,目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片,如IR2110、EXB841、M57962 等,它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-15
    • 文件大小:59392
    • 提供者:weixin_38681628
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