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搜索资源列表

  1. 功率MOSFET高速驱动电路的研究

  2. 介绍了一种输出电流大、带负载能力强的MOSFET 高速驱动电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-05
    • 文件大小：97280
    • 提供者：chenyun1218

  1. 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南,高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

  2. 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南,高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-18
    • 文件大小：353280
    • 提供者：fanshowtime

  1. 高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南(有图完整版)

  2. MOSFET驱动电路设计指导，非常详尽，非常有用

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2014-12-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：yyx082827

  1. SiC MOSFET隔离式高速驱动电路设计

  2. SiC MOSFET隔离式高速驱动电路设计，李刚，高强，近年来随着宽禁带器件的逐步商业化，其市场占有率迅速攀升。为了充分体现SiC器件的优势，本文以高温石油井下参数测量系统为背景，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-23
    • 文件大小：385024
    • 提供者：weixin_38723192

  1. 自我总结之MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理 电路设计 问题总结）.rar

  2. 文件名 大小 MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/MOSFET管经典驱动电路设计大全.pdf MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/MOSFET驱动电路设计参考.pdf MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/MOS管电路工作原理及详解.ppt 2516KB MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/mos管驱动电流计算.pdf MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/高速MOS驱动电路设计和应用

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-07-23
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：WUAILINA

  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单，高效，快速的驱动芯片。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-30
    • 文件大小：150528
    • 提供者：weixin_38731239

  1. 基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路设计

  2. 本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由MC34152与CMOS逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38722721

  1. MOSFET隔离型高速驱动电路，具体的驱动方案

  2. MOSFET隔离型高速驱动电路，具体的驱动方案

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-03-02
    • 文件大小：400384
    • 提供者：zuoshouge2009

  1. 电源技术中的高速面阵CCD KAI-01050 功率驱动电路的设计方案

  2. 摘要：KAI-01050是KODAK公司生产的最高帧频可达120 f/s的高速面阵CCD.本方案针对其驱动信号特点，详细介绍CCD各部分功率驱动电路设计。 　　此CCD功率驱动电路的难点包括40 MHz高速水平转移和复位时钟驱动、三电平阶梯波形垂直转移时钟V1和高压脉冲电子快门信号驱动设计。利用高速时钟驱动器ISL55110和钳位电路实现了高速水平转移时钟的驱动；利用两个高速MOSFET驱动器组合的方案，实现了三电平阶梯波形垂直转移时钟V1的驱动；利用两个互补高速三极管轮流开关工作实现了高压脉

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：285696
    • 提供者：weixin_38517904

  1. 集成电路中的四轴飞行器三相六臂全桥驱动电路

  2. 四轴飞行器是近来在专业与非专业领域都非常火爆的技术产品。下面这篇文章针对四轴飞行器无位置传感器无刷直流电机的驱动控制，设计开发了三相六臂全桥驱动电路及控制程序。设计采用ATMEGA16单片机作为控制核心，利用反电势过零点检测轮流导通驱动电路的6个MOSFET实现换向;直流无刷电机控制程序完成MOSFET上电自检、电机启动软件控制，PWM电机转速控制以及电路保护功能。该设计电路结构简单，成本低、电机运行稳定可靠，实现了电机连续运转。近年来，四轴飞行器的研究和应用范围逐步扩大，它采用四个无刷直流电机

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：141312
    • 提供者：weixin_38731226

  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，性能也获得到了很大地提高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 适合高速驱动电路的推挽电路

  2. 图1是使用NPN/PNP型晶体管的互补推挽电路，适于驱动功率MOSFET的门极。此电路虽然具有门极电流的驱动能力，但射极输出波形不能比输人信号快。 　　图2是此电路的开关波形。它表示出tf、tr都快，且响应极好．进一步观测门极电流，如图3所示，流过 　　±0.5A(PEAK)的电流，此微分波形的面积与门极所消耗的功率成比例． 　　图1晶体管推挽驱动电路 　　图2 晶体管推挽驱动的开关特性 　　图3晶体管推挽驱动时的栅极电流波形　　  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：172032
    • 提供者：weixin_38668225

  1. 元器件应用中的射极跟随器时的功率MOSFET的驱动

  2. 功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用控制IC的数据表，就会发现作为功率MOS的常见驱动的设备。 　　代表性的开关电源用控制IC TL494等，如图1所示，驱动输出发射极接地，无论射极跟随器的哪种形式均可使用，将输出晶体管的集电极、发射极独立，管脚被分配排列。虽然一般情况下射极跟随器的使用较多，但以高速驱动为目的还需仔细考虑。 　　图1开关电源用PWM控制器一例 　　图2是用晶体管射极跟随器，驱动功率MOSFET

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：217088
    • 提供者：weixin_38672800

  1. 开路集电极时的功率MOSFET的驱动

  2. 晶体管开路集电极组成的电路是最基本的开关电路。图1所示的74系列TTL的开路集电极上附加上拉电阻的电路，图2所示的晶体管2SC2655上，附加集电极负载电阻RC进行驱动。 　　图1 晶体管开路集电极——TTL时 　　功率MOSFET的门闭合时，通过电阻Rc对输入电容Ciss充电，门打开时集电极一发射极间发生快速地放电。但此电路的缺点是tdON依赖于电阻Rc，高速化时需要Rc的值很低，所以驱动电路的电流也增大。 　　图2是Rc＝1kΩ时的开关波形。它产生了由Rc＝1kΩ、Ciss＝870

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：136192
    • 提供者：weixin_38519763

  1. 150W级功率MOSFET的门驱动电路

  2. 作为高速的开关器件，功率MOSFET比较被注目。要充分地使用它，就必须非常清楚其门驱动电路。 　　功率MOSFET在苴流～低速开关用途上，与以往的场效应品体管相比易于驱动是其最大的特色．但如要在高频时实现高速开关动作，则因门输入阻抗低而非常困难，教科书卜提到过功率MOSFET的输人阻抗极高，但那是有适用条件的． 　　图1是用于测试功率MOSFET(2SK1379)的开关特性的电路．试验中使用的2SK1379(东芝)是60V、50A，漏极损耗150W,gm＝25～35S的功率开关器件．注意其输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38520275

  1. 用作超快速离子偏转板驱动器的MOSFET

  2. 图1所示的电路可在实验仪器中的一组大容量离子偏转板上提供20MHz方波。为了获得所需的偏转量，偏转板电压必须达到20～30V，远大于普通逻辑电路系列或驱动器系列所能提供的电压。为了减小人为寄生信号，上升时间和下降时间必须极短，过冲和波动最小。驱动偏转板的是两个相位相差180○的相同电路。这一驱动器使用Directed Energy公司（其网址为www.directedenergy.com）的DEIC420型高速MOSFET栅极驱动电路来驱动一个1000pF容性负载，驱动电压为0～25V，驱动时间

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38672815

  1. 基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路的设计

  2. 引言 在高频PWM开关变换器中，为保证功率MOSFET在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的栅极驱动电路。一个性能良好的驱动电路要求触发脉冲应具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；驱动源的内阻要足够小、电流要足够大，以提高功率MOSFET的开关速度；为了使功率MOSFET可靠触发导通，栅极驱动电压应高于器件的开启电压；为防止误导通，在功率MOSFET截止时最好能提供负的栅-源电压。而对于软开关变换器，在设计驱动电路时，还需考虑主开关与辅助开关驱动信号之间的相位关系。本文以升压ZVT-

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：141312
    • 提供者：weixin_38736760

  1. 基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路设计

  2. 摘  要：本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由MC34152与CMOS逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。　　关键词：驱动电路；功率MOSFET；开关电源；变换器 引言　　在高频PWM开关变换器中，为保证功率MOSFET在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的栅极驱动电路。一个性能良好的驱动电路要求触发脉冲应具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；驱动源的内阻要足够小、电流要足够大，以提高功率MOSFET的开关速度；为了使功率MOSFET可靠触

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：252928
    • 提供者：weixin_38673798

  1. 开关电源的驱动电路

  2.  驱动电路的主要功能是将脉宽控制器输出的可变宽度脉冲进行功率放大，以作为高压功率开关器件的驱动信号。驱动电路一般都具有隔离作用，常用变压器耦合方式来实现对高压功率开关器件的激励和输入级与输出级之间的隔离，同时还兼有对功率开关器件关断时，施加反向偏置，来加速器件的关断。当驱动MOSFET器件时，常规的驱动电路是用一个驱动变压器实现的。考虑到驱动变压器的漏感和引线电感，给具有大Cg-s的主MOSFET高速充放电造成困难，因此，通常的方式是利用驱动变压器驱动一个具有较小Cg-S的MOSFET的图腾式驱

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：120832
    • 提供者：weixin_38658405

  1. 基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路的设计

  2. 摘   要：本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由MC34152与CMOS逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。关键词：驱动电路；功率MOSFET；开关电源；变换器引言在高频PWM开关变换器中，为保证功率MOSFET在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的栅极驱动电路。一个性能良好的驱动电路要求触发脉冲应具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；驱动源的内阻要足够小、电流要足够大，以提高功率MOSFET的开关速度；为了使功率MOSFET可靠触发导通，栅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：240640
    • 提供者：weixin_38637805
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