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  1. STM32F10xxx参考手册

  2. 目录 1 文中的缩写 24 1.1 寄存器描述表中使用的缩写列表 24 1.2 术语表 24 1.3 可用的外设 24 2 存储器和总线构架 25 2.1 系统构架 25 2.2 存储器组织 27 2.3 存储器映像 28 2.3.1 嵌入式SRAM 29 2.3.2 位段 29 2.3.3 嵌入式闪存 30 2.4 启动配置 33 3 CRC计算单元(CRC) 34 3.1 CRC简介 34 3.2 CRC主要特性 34 3.3 CRC功能描述 34 3.4 CRC寄存器 35 3.4.1
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-10-17
    • 文件大小:12582912
    • 提供者:lhlvictory
  1. NAND闪速存储器的内部结构

  2. TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大,则块数也将增加,但内部的基本结构没有改变。 图 TC58V64的内部结构   NAND闪速存储器的特点   ①按顺序存取数据;   ②存储器内部以块为单元进行分割,而各块又以页为单位进行分割;   ③以块为单位进行擦除操作;   ④以页为单位进行编程(写人);   ⑤页的大小存在尾数(TC28V64是roodZJ字节);   ⑥也存在有坏块(bad block)的产品。   以NAND闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-14
    • 文件大小:75776
    • 提供者:weixin_38638309