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搜索资源列表

  1. Network Controller Sideband Interface (NC-SI) 6 Specification

  2. NCSI英文参考手册，在项目bring up时需详细参阅。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-10-31
    • 文件大小：911360
    • 提供者：duanzhang512

  1. NC-SI Specification Rev1.0.1

  2. Network Controller Sideband Interface (NC-SI) Specification Rev1.0.1, released at 2013-01-24

  3. 所属分类：网络监控

    • 发布日期：2018-07-15
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_42332224

  1. Intel I210数据手册

  2. Intel Ethernet Controller I210 Datasheet • Small package: 9 x 9 mm • PCIe v2.1 (2.5 GT/s) x1, with Switching Voltage Regulator (iSVR) • Integrated Non-Volatile Memory (iNVM) • Three single port SKUs: SerDes, Copper, Copper IT • Value Part (Intel® Et

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-07-30
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：fb1505947180

  1. Low temperature deposition of p-type nc-Si:H thin films for superstrate a-Si:H based p-i-n solar cells

  2. 低温沉积p型氢化纳米硅与非晶硅pin顶衬太阳电池，胡志华，Shi Qingnan，Boron doped nc-Si:H p-layers were deposited by PECVD technique at a low substrate temperature (~60 0C) with various hydrogen dilution ratio of 150, 100 and 50 respectively. Transmi

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-14
    • 文件大小：429056
    • 提供者：weixin_38719564

  1. 纳米硅/单晶硅异质结的电学特性

  2. 纳米硅/单晶硅异质结的电学特性，周哲，刘爱民，本文主要研究了i nc-Si:H/p c-Si异质结的能带结构和载流子输运特性。采用HWCVD技术在p型单晶硅衬底上分别制备了晶化率为66% 和38%的本征纳�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：521216
    • 提供者：weixin_38500734

  1. nc-si协议的介绍

  2. 网络技术的飞速发展使得人们对于服务器的带外可管理性及可控制性提出了更高的要求。通过带外管理，工程师可以在任意地点通过网络连接到相应的服务器上，进行一系列的管理与维护，而不再需要长时间驻守在嘈杂的实验室环境中。NCSI（Network Controller Sideband Interface）就是一个由分布式管理任务组（Distributed Management Task Force, DMTF）定义的用于支持服务器带外管理的边带接口网络控制器的工业标准。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-28
    • 文件大小：146
    • 提供者：qq_38583464

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的PPS提供带架上LAN连接的TCA管理控制器解决方案

  2. 爱特公司 (Actel Corporation) 的子公司Pigeon Point Systems (PPS) 发布板级管理参考设计 (board management reference, BMR) 入门级工具套件的更新版本，提供突破性的TCA管理控制器解决方案，包括首个通过网络控制器—边带接口(Network Controller Sideband Interface, NC-SI) 标准以支持先进的架上 (in-shelf) 网络连接。BMR解决方案所提供的NC-SI支持基于Actel F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38507923

  1. 模拟技术中的恩智浦推出具有顶级音效和能效的双通道D类放大器新系列

  2. 爱特公司 (Actel Corporation) 的子公司Pigeon Point Systems (PPS) 发布板级管理参考设计 (board management reference, BMR) 入门级工具套件的更新版本，提供突破性的TCA管理控制器解决方案，包括首个通过网络控制器—边带接口(Network Controller Sideband Interface, NC-SI) 标准以支持先进的架上 (in-shelf) 网络连接。BMR解决方案所提供的NC-SI支持基于Actel F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：48128
    • 提供者：weixin_38582506

  1. 激光定域晶化技术制备纳米硅的研究

  2. 朱乐仪，黄信凡，王 立，王晓伟，马忠元，李 伟，陈坤基(南京大学物理系，固体微结构物理国家重点实验室，江苏南京 210093)摘要：利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束，定域晶化a-Si：H(4am)／a-SiNx：H(10nm)多层膜中的超薄a-Si：H层，成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列。原子力显微镜(AFM)、微区喇曼光谱、剖面透射电子显微镜(X-TEM)及高分辨电子显微镜HREM)技术分析揭示了晶化后薄膜中形成了横向周期与移相光栅周期相同、纵向周期与a-S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：108544
    • 提供者：weixin_38738506

  1. 利用电激发表面等离子体激元提高Si纳米晶体发光器件的亮度

  2. 已证明在银纳米颗粒（Ag-NPs）中使用电激发表面等离激元（SP） 增强了Si纳米晶体发光器件（Si-NC LED）的亮度。 Ag-NP是通过超声辐射和后退火处理在Si-NC薄膜上制备。 电激发发现了Ag-NPs上的SPs，这是由于电子对Ag-NPs的撞击而引起的。 LED的电荷注入过程中的前电极Al层。 电激励SP 通过与SP场耦合的SP场增强Si-NC的电致发光或LED亮度Si-NC的激子偶极矩。 Si-NC LED的最大亮度增强为5.2倍在200°C的退火后温度下达到的。 产生的残余远场辐

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：786432
    • 提供者：weixin_38723527

  1. Si纳米晶体存储器件中循环诱导的峰状界面状态生成

  2. 在硅纳米晶体（Si-NC）存储器中观察到界面陷阱产生的峰状行为Fowler–Nordheim程序/擦除循环。 除了从Pb 0中心在0.3和0.85 eV处的两个峰外，在Pb 1中心还观察到并建议了两个额外的峰（0.45和0.7 eV）。 相反，在没有Si-NC的参考设备中仅观察到Pb 0中心。 该结果将有助于理解Si-NC对接口可靠性的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：352256
    • 提供者：weixin_38552871

  1. 尺寸控制的nc-Si：H / a-SiC：H量子点超晶格及其在氢化非晶硅太阳能电池中的应用

  2. 尺寸控制的nc-Si：H / a-SiC：H量子点超晶格及其在氢化非晶硅太阳能电池中的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-12
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38660579

  1. 组合方法制备具有高光致发光强度的Si纳米晶体

  2. 这项工作表明，通过将三种方法与不同机制结合起来，可以增强嵌入SiO2（或Si-nc：SiO2）的Si纳米晶体的光致发光（PL）强度用于开发Si光源的材料可以实现非常高的PL强度。 30层样品通过交替将SiO和SiO2蒸发到Si（1 0 0）衬底上来制备Si-nc：SiO2 / SiO2 然后在1100 8C下进行热退火。 这种多层样品具有相当高的PL效率格林汉姆（Greenham）方法测得的结果是14％，是同一层单层方法的44倍过量的硅含量。 基于该多层样品，对CeF3掺杂和氢进行处理随后进行钝

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：525312
    • 提供者：weixin_38677046

  1. nc-Si / c-Si异质结MAGFET的制备和特性

  2. nc-Si / c-Si异质结MAGFET的制备和特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：509952
    • 提供者：weixin_38552871

  1. 纳米Si镶嵌SiN

  2. 采用射频磁控溅射技术和热退火处理技术制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiNx薄膜(nc-Si-SiNx),薄膜厚度为200 nm。由X射线衍射(XRD)谱计算得出,经800 ℃连续3 h退火的薄膜中的Si晶粒平均尺寸为1.7 nm。把纳米Si镶嵌SiNx薄膜作为可饱和吸收体插入闪光灯抽运的平凹腔Nd∶YAG激光器内,实现1.06 μm激光的被动锁模运转。当激光器腔长为120 cm时,获得平均脉冲宽度32 ps,输出能量25 mJ的单脉冲序列,脉冲序列的包络时间约480 ns,锁模调制深度接近100%

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：706560
    • 提供者：weixin_38693967

  1. 激光干涉结晶法制备三维有序分布的nc-Si阵列

  2. 利用准分子激光干涉结晶法使a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的超薄a-Si:H层定域晶化,成功地制备出三维有序分布的nc-Si阵列.原子力显微镜(AFM)、微区拉曼(micro-Raman)光谱及剖面透射电子显微镜(X-TEM)的分析结果揭示在晶化薄膜中已形成平均尺寸约为3.6 nm,横向周期2 μm,纵向周期与a-Si:H/a-SiNx:H多层膜周期(14 nm)相等的nc-Si阵列.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38622983

  1. nc-Si:H薄膜的三阶非线性光学性质

  2. 用简并四波混频技术(DFWM)研究了nc-Si:H薄膜的三阶非线性光学性质，观察到了这种纳米薄膜材料的位相共轭信号，测得晶态比为XC1=15%和XC2=30%的二个样品在光波波长为589nm处的三阶非线性极化率分别为χ1(3)=3.8×10-6esu和χ2(3)=4.3×10-7esu，并对其光学非线性产生机理作了探讨。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：124928
    • 提供者：weixin_38693084

  1. Large Storage Window in a-Six/nc-Si/a-SiNx Sandwiched Structure

  2. Large Storage Window in a-Six/nc-Si/a-SiNx Sandwiched Structure

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：726016
    • 提供者：weixin_38554781

  1. Fabrication of nc-Si/SiO2 structure by thermal oxidation method and its luminescence characteristics

  2. Nano-crystalline silicon/silicon oxide (nc-Si/SiO2 structures have been prepared from amorphous silicon films on both silicon and quartz substrates by using electron-beam evaporation approach and annealing at temperatures about 600 oC in air. As a th

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：546816
    • 提供者：weixin_38727928

  1. (nc-Si/SiO

  2. 采用球型量子点模型, 应用有效质量近似理论, 研究了 (nc-Si/SiO2)/ SiO2多层量子点结构的激子能级和波函数。结果表明, 有限深势阱模型的引入更符合实际更加准确。无论在无限深或有限深势阱下, 激子质心运动部分基态能量随量子点半径的减小而急剧增大。对于相同的量子点半径a, 无限深势阱下的质心部分能量总比有限深势阱高, 且二者的差距随a的减小而增大。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：551936
    • 提供者：weixin_38681628
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