写周期的详细情况将在后面进行描述，这里要说明的是，写周期在闪速存储器中利用WE的存取操作不是类似RAM那样的向指定地址的直接写人操作，而是通过指令对闪速存储器进行操作。与NAND闪速存储器相同，通过一连串的指令序列，可以进行编程（数据写人）和芯片擦除操作。 　　　　为此，时序图也以包括用于编程及擦除操作时间的形式被记录。图1为编程操作，图2为擦除操作。    图1 编程操作 　　图2 擦除操作 　　另外，在图中，如编程操作，是通过向555h写人A0h、然后给予PA（编程地址）和P