在本文中，我们研究了O2沉积后退火（PDA）对金属/ Al2O3 / Si 3N4 / SiO2 / Si（MANOS）器件的影响。 与低能等离子体氧预处理和N2 PDACraft.io相比，O2 PDACraft.io可以显着提高保留率。 改善归因于Al 2O3块状氧化物中氧空位的去除和Si3N4 / Al2O3界面层中的氧结合，这是通过X射线光电子能谱（XPS）深度分布和电学特性确定的。 还对金属/ Al2O3 / SiO2 / Si（MAOS）器件进行了研究，以确认这些效果。 因此，我们认