NEC公司和NEC电子公司近日推出多层Cu/Low-k互连技术，适于第二代65nm节点VLSI应用。通过改善互连结构和介质材料，减小有效介电常数，keff，在不影响可靠性的前提下使keff的目标值达到3.0。与常规结构比较，互连功耗缩减了15%，信号速度提高24%。 Cu/Low-k互连技术特性： （1）为第二代65nm节点低功耗VLSI应用开发出采用双重镶嵌（DD）结构的高性能、多层Cu/Low-k互连技术 （2）开发DD互连结构，引入具有次微毫米孔隙的多孔low