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  1. 模拟电子技术学习资料

  2. 包含各类题解 及模拟试卷 复习纲要 〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要 第一章:常用半导体器件 (1) 熟悉下列定义、概念及原理:自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区、PN结、耗尽层,导电沟道,二极管的单向导电性,稳压管的稳压作用,晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。 (2) 掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。掌握其应用。 (3) 了解选用器件的原则。了解集成电路制造工艺。 第二章:基本放大电路 (1) 掌握以下基本概念和定义:放大、静态工作点、饱和
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2010-01-05
    • 文件大小:5242880
    • 提供者:syaing100
  1. 电子专业笔试题

  2. 模拟电路 1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子) 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律 电流定律:在集总电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流的代 数和恒等于零。电压定律:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压 的代数和恒等于零。 2、平板电容公式(C=εS/4πkd) 平行板电容器的电容 c 跟介电常数 ε成正比,跟正对面 积成 s 正比,跟极板间的距离 d 成反比,其中式中的 k 是静电力常量。(未知) 3、最基本的如三极管曲线特性。(未知) 即晶体三极管的伏安
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2012-03-27
    • 文件大小:233472
    • 提供者:huangshuisheng
  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:664576
    • 提供者:fromnewword
  1. 普传变频器7600-7800系列使用说明.pdf

  2. 普传变频器7600-7800系列使用说明pdf,普传变频器7600-7800系列使用说明竻一章检查与安仝注意事项 使用范围 第二章安装及备用电路 ※本变频器仅适用于一般的工业三相交流异步电动机。 ※本变频器只能用在本公司认可的场合,未经认可的使用环境可能导致火灾 触电、爆炸等事件。 使用环境 ※如果用于因变频器失灵而可能造成人身伤亡的设备(例如:运输人员的升 ()环境温度℃~℃ 降设备、航空系统、安全设备等),必须慎重处理,在这种情况下,请向厂家 )防止电磁干扰、远离干扰源。 咨询 ()防止水滴
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-09
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38743602
  1. PN结电容与电压的关系

  2. 增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配,形成耗尽区或耗尽层(图1中的W)。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:226304
    • 提供者:weixin_38728624
  1. 检波二极管的结构及特性

  2. 把PN 结的P 区和N 区各接一条引线,再封装起来就为一个半导体二极管。与P 区相连的引线为正极,与N 区相连的引线为负极。 检波二极管是由错半导体材料制成的,采用点接触型二极管结构,如图14-4所示。由于点接触结构的原因,它的接触面积小,不能通过大的电流,但它的结电容也较小,频率特性好,适用于高频信号的检波。 检波二极管广泛应用于收音机、电视机、收录机及通信设备中。检波二极管的检波一般是对高频小信号而昌的,因此它是利用二极管的单向导电特性进行的。 图14-5 所示为检波二极管(错二极
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:48128
    • 提供者:weixin_38727825
  1. 简析可变电抗二极管相关知识

  2. 又称"变容二极管"。是一种利用pn结电容(或接触势垒电容儿与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管。所用材料多为硅或砷化嫁单晶,并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。 主要参量是:零偏结电容。零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及截止频率等,对于不同用途,应选用不同c和vr特性的变容m极管,如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:28672
    • 提供者:weixin_38673798
  1. 元器件应用中的检波二极管的结构及特性

  2. 把PN结的p区和N区各接一条弓线,再封装起来就为一个半导体二极管。与P区相连的引线为正极,与N区相连的引线为负极。   检波二极管是由锗半导体材料制成的,采用点接触型二极管结构,如图14-4所示。由于点接触结构的原因,它的接触面积小,不能通过大的电流,但它的结电容也较小,频率特性好,适用于高频信号的检波。检波二极管广泛应用于收音机、电视机、收录机及通信设备中。   检波二极管的检波一般是对高频小信号而言的,因此它是利用二极管的单向导电特性进行的.   图一 点接触二极管的结构   图
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:61440
    • 提供者:weixin_38593380
  1. 实验:PN结电容与电压的关系

  2. PN结电容   增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配,形成耗尽区或耗尽层(图1中的W)。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下,不会发生自由载流子注入;因此,扩散电容等于零。对于反向和小于二极管开启电压(硅芯片为0.6 V)的正偏置电压,势垒电容是主要的电容。在实际应用中,根据结面积和掺杂浓度的不同,势垒电容可以小至零点几pF,也可以达到几百pF。结电容与施加的偏置
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:185344
    • 提供者:weixin_38715097
  1. 变容二极管,变容二极管电路,变容二极管原理

  2. 变容二极管是根据普通二极管内部 "PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。二极管的PN结具有结电容,当加反向电压时,阻挡层加厚,结电容减小,所以改变反向电压的大小可以改变PN结的结电容大小,这样二极管就可以作为可变电容器用。变容二极管是一种电抗可变的非线性电路元件,一般使用的材料为硅或砷化镓。变容二极管广泛用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中.  变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系,并提高Q值以适合应用。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:104448
    • 提供者:weixin_38622427