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  1. PNP 型半导体三极管工作原理

  2. PNP 型半导体三极管和NPN 型半导体三极管的基本工作原理完全一样，下面以NPN 型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程，进而介绍它的工作原理。半导体三极管常用的连接电路如图15-3 (a) 所示。半导体三极管内部的电流传输过程如图15-3 (b) 所示。半导体三极管中的电流传输可分为三个阶段。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-18
    • 文件大小：53248
    • 提供者：wxf001688

  1. 单向可控硅充电电路图

  2. 单向可控硅工作原理 单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个电极，由四层半导体PNPN构成。单向可控硅有三个PN结，其内部结构与等效电路符号如图4-10所示。单相可控硅可等效看成一个PNP型三极管Vl和一个NPN型三极管V2组合而成，Vl基极和V2集电极相连，Vl集电极和V2基极相连，此连接处为可控硅控制极G，Vl的发射极为可控硅阳极A，V2的发射极为可控硅阴极K。可控硅没有触发前，阳极A和阴极K之间呈关断状态，可控硅被触发后阳极A和阴极K之间呈导通状态，电流从阳极A流向阴极K，其电路如下图所

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：114688
    • 提供者：weixin_38502510

  1. IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：105472
    • 提供者：weixin_38664989

  1. 如何测量三极管9014的好坏

  2. 本文主要是关于三极管9014的相关介绍，并着重对三极管9014的好坏判断进行了详尽的阐述。 三极管 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 工作原理 理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38700779

  1. 13001和13003管脚图 浅谈三极管的原理及应用

  2. 本文主要是关于13001和13003的相关介绍，并着重对13001和13003的管脚进行了详尽的阐述。 三极管 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 工

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38722721

  1. PNP三极管分析方法

  2. PNP三极管的分析方法 PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。 晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的， 我们知道NPN型晶体管有三个工作区（截止区，放大区，饱和区），同样PNP型三极管也有三个工作区。下图为两类三极管的输入输出特性曲线： 图1 npn型晶体管特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：132096
    • 提供者：weixin_38595528

  1. 基础电子中的IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38723105

  1. 元器件应用中的通俗易懂的三极管工作原理

  2. 1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。 　　2、晶体三极管的工作原理。 　　其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：192512
    • 提供者：weixin_38637983

  1. 解析增强型MOS场效应管的工作方式

  2. MOS管是一种半导体场效应管，在大多数情况下，MOS管中的两个区是能相互替换的，并不会影响器件的性能。MOS管分为耗尽型和增强型两种。本篇文章将为大家介绍的是一种增强型MOS管的工作原理。     增强型MOS场效应管的内部结构图如图1所示。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38748740

  1. 元器件应用中的晶体三极管原理及特性

  2. 三极管的电流放大原理       晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。 而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。  图一:晶体三极管（NPN）的结构      图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38583278

  1. 元器件应用中的单向晶闸管的基本结构及工作原理

  2. 晶闸管有许多种类，下面以常用的普通晶闸管为例，介绍其基本结构及工作原理。　　单向晶闸管内有三个PN结，它们是由相互交叠的4层P区和N区所构成的，如图(a)所示。晶闸管的三个电极是从P1引出阳极A，从N2引出阳极K，从P2引出控制极G，因此可以说它是一个四层三端半导体器件。　　为了便于说明，可以把图(a)所示晶闸臂看成是由两部分组成的[见图(b)]，这样可以把晶闸管等效为两只三极管组成的一对互补管，左下部分为NPN型管，右上部分为PNP型管[见图(c)]。 　　单向晶闸管结构原理图 　　当

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：126976
    • 提供者：weixin_38685857

  1. 解析增强型MOS场效应管的工作方式

  2. MOS管是一种半导体场效应管，在大多数情况下，MOS管中的两个区是能相互替换的，并不会影响器件的性能。MOS管分为耗尽型和增强型两种。本篇文章将为大家介绍的是一种增强型MOS管的工作原理。     增强型MOS场效应管的内部结构图如图1所示。它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38686658

  1. IGBT的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展为迅速的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38697753

  1. 通俗易懂的三极管工作原理

  2. 1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄；(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。 　　2、晶体三极管的工作原理。 　　其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38679233

  1. IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  2. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展为迅速的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：122880
    • 提供者：weixin_38688820