Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay:trade_mark:) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1

Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 （Mb）、2.0至3.6V、具有串行外设接口 （SPI） 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟（NoDelay?） 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EE

非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM (SRAM) 管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。