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  1. RAMTRON的4兆位非易失性F-RAM存储器荣获EDN CHINA创新奖

  2. RAMTRON宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志EDN China颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。Ramtron的FM22L16产品是半导体行业首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器,获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据IC与可编程逻辑类别的优秀产品。   Ramtron亚太区域总监徐梦岚称:“我们非常高兴获得业界知名的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同,我们深感荣幸。这款4兆位F-RAM实现了技术的突破,将引领Ramtron与F-R
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-30
    • 文件大小:73728
    • 提供者:weixin_38653664