您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. RFID技术中的高频电感元件的等效电路模型

  2. 当考虑电感元件寄生电容时,高频电感的等效电路模型可以采用图1来表示。图中Rc,为磁心损耗的等效电阻,C为电感绕组的寄生电容,Rac为代表绕组铜损的交流电阻,由于绕组铜线高频电流的集肤效应(在后面介绍),使Rac>Rdc,Rdc为铜线的直流电阻。Rac/Rdc与频率、铜线直径、温度等因素有关。例如,圆铜线在20℃,fs=100 kHz时,Rac/Rdc=1.7。                 为使集肤效应的影响减小,导线的直径应不大于2△,△为渗透深度(Penetraticn dept
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-16
    • 文件大小:70656
    • 提供者:weixin_38592256