为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性，采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，通过在原有设备上加入与流量控制器相连的双起泡器，并以氩气为运载气体，正丁烷为反应物，在硅基底上实现了以液态物质四甲基硅烷(TMS)为前驱物的Si 掺杂类金刚石薄膜的沉积。硬度、应力、表面粗糙度及热稳定性的测试表明，随着运载气体流量的增加，薄膜的应力分布、表面粗糙度和热稳定性都有很大程度的改善，但也导致薄膜的硬度下降，当运载气体的流量为30 mL/min(标准状态)时，Si 掺杂DLC 薄膜的