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搜索资源 - ST-碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
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ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发
就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有的的电学和热学性质,使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中,碳化硅MOSFET正在取代标准硅器件。半导体技术要想发展必须解决可靠性问题,因为有些应用领域对可靠性要求十分严格,例如:汽车、飞机、制造业和再生能源。典型的功率转换器及相关功率电子元件必须严格遵守电气安全规则,要能在恶劣条件下保持正常工作,其鲁棒性能够耐受短路这种危险的临界事件的冲击 没有设备能够监测微秒级功率脉冲引起的器件内部
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:251904
提供者:
weixin_38529293