在硅纳米晶体（Si-NC）存储器中观察到界面陷阱产生的峰状行为Fowler–Nordheim程序/擦除循环。 除了从Pb 0中心在0.3和0.85 eV处的两个峰外，在Pb 1中心还观察到并建议了两个额外的峰（0.45和0.7 eV）。 相反，在没有Si-NC的参考设备中仅观察到Pb 0中心。 该结果将有助于理解Si-NC对接口可靠性的影响。