功率器件有多种不同的短路模式，其中严重的一种是桥臂短路，在这种短路模式下，电流迅速上升，同时器件承受母线电压。我们需要首先对这种短路模式下的MOSFET的行为进行研究。 　　短路测试平台如图1所示。测试驱动板由英飞凌专为单管SiC MOSFET研发。待测器件为TO-247 4pin封装的IMZ120R045M1。测试在室温下进行。 　　图1 SiC功率MOSFET短路特性测试平台及测试线路 　　图2 为400V和800V两种母线电压下，且门极电压在