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  1. SENSEI:表面运行对Sub-GeV暗物质的第一个直接检测约束

  2. 次电子噪声Skipper CCD实验仪器(SENSEI)使用最新开发的Skipper-CCD技术,从次GeV暗物质粒子与硅中电子的相互作用中寻找电子反冲。 我们报告了原型SENSEI检测器的第一个结果,该检测器在费米国家加速器实验室的地面上收集了0.019 g天的调试数据。 这些调试数据足以为质量在约500 keV和4 MeV之间的暗物质粒子设置新的直接检测约束。 此外,由于这些数据是在表面上获取的,因此它们不利于先前允许质量约为500 keV至几百MeV的强相互作用暗物质粒子。 我们讨论了这些
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-05-04
    • 文件大小:518144
    • 提供者:weixin_38620893
  1. Sub-GeV暗物质在未来的MeVγ射线望远镜上闪耀

  2. 我们提出了一种新颖的框架,其中未来的MeVγ射线望远镜可以检测到光(亚GeV)暗物质(DM),而不会与宇宙微波背景(CMB)数据冲突。 稳定的DM颗粒χ由于其大的pair灭截面而具有非常低的热物质丰度。 DM数密度存储在一个稍重的亚稳伙伴ψ中,对偶pair灭率受到抑制,该扰动不扰动CMB,并且其后期衰变ψ→χ使χDM粒子充满了宇宙。 我们为该框架提供了明确的,与模型无关的实现,并讨论了来自CMB,大爆炸核合成和大规模结构的后期衰减约束,以及由此设置的参数约束。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-24
    • 文件大小:440320
    • 提供者:weixin_38519619
  1. Sub-GeV暗物质模型

  2. 我们提出通过量规组U(1)T3R扩展标准模型(SM)的量规对称性,以便解决SM的第三代和前两代费米子之间的Yukawa耦合层次。 我们假设在U(1)T3R下只对前两代的右手费米子进行充电。 除了新的暗规玻色子外,我们还有一个暗标量粒子,其真空期望值(vev)将U(1)T3R对称性分解为Z2对称性,并解释了层次结构问题。 需要O(GeV)的vev来自然地解释淡味区的质量参数。 该模型产生的暗物质(DM)粒子自然具有O(1-100)MeV范围内的质量。 该模型满足所有当前约束。 我们讨论了直接检测暗
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-19
    • 文件大小:742400
    • 提供者:weixin_38605604