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搜索资源列表

  1. 3D封装与硅通孔TSV工艺技术

  2. 3D封装与硅通孔TSV工艺技术，通过硅通孔（TSV）铜互连的立体（3D）垂直整合，目前被认为是半导体行业最先进的技术之一。硅片通孔（TSV）是三维叠层硅器件技术的最新进展。 TSV是一种重要的开发技术，其利用短的垂直电连接或通过硅晶片的“通孔”，以建立从芯片的有效侧到背面的电连接。TSV提供最短的互连路径，为最终的3D集成创造了一条途径。 TSV技术比引线键合和倒装芯片堆叠提供更大的空间效率和更高的互连密度。当结合微凸块接合和先进的倒装芯片技术时，TSV技术能够在更小的外形尺寸下实现更高水平的

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2018-10-29
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：hunterise

  1. 3DIC堆叠技术.pdf

  2. T 前言 个人电脑、手机、音乐播放器、游戏系统、相机和flash媒体等消费需求强劲，推动了电子系统市场的爆炸性增长。 这些电子系统的设计和制造是通过将单个集成电路组装成便携的形式因子。 根据摩尔定律，用于制造晶圆形式集成电路的底层半导体技术的突飞猛进，推动了电子系统能力的快速进步。 这本书描述了一种新的基于晶片的技术，它正在蚕食传统的基于二极管的集成电路封装和装配技术，使下一代电子系统。 今天，各种技术竞相为集成电路(IC)产品提供集成各种电子功能的解决方案。 片上系统(SoC)是将一个电子系

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：weixin_39840387

  1. 《MEMS双工器：安华高ACMD-7612》.pdf

  2. ACMD-7612是一款采用Avago的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术制造的MEMS双工器，谐振层材料为AlN压力材料。该器件采用真空晶圆级封装，使得整个芯片高度小于1.2mm；采用硅通孔（TSV）技术蚀刻盖帽实现电气接触，使得芯片尺寸减小。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：428032
    • 提供者：weixin_39840588

  1. TSV封装技术

  2. 硅通孔技术（Through Silicon Via, TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势：     1）更好的电气互连性能，     2）更宽的带宽，     3）更高的互连密

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：181248
    • 提供者：weixin_38502239

  1. 堆叠硅片互联技术突破摩尔定律

  2. 赛灵思正式在全球发布其“堆叠硅片互联技术”，旨在超越摩尔定律的束缚。堆叠硅片互联技术在单个封装中集成了4个28nm工艺的FPGA切片，以实现突破性的容量、带宽和功耗优势，其高密度晶体管和逻辑能够满足对处理能力和带宽性能要求极高的需求。该技术通过采用3D封装技术和硅通孔 （TSV） 技术来突破摩尔定律的限制，利用堆叠硅片互联封装方法可以在现有工艺节点提供200万个逻辑单元。为了实现堆叠硅片互联，赛灵思花了五年时间进行研发，并与TSMC和Amkor（封装厂）在制造流程上进行了深度合作。目前代号TV3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38631389

  1. EDA/PLD中的3D IC的EDA工具之路

  2. 最近提出了有关3D IC的三个问题：什么是3D IC，它们是否实际可行，以及它们有什么不同？这些问题的答案可能多种多样，但半导体业确实正在逐渐地为传统二维摩尔定律标尺增加一个垂直维度（即堆叠）。 　　减少IC之间互连的长度可能会给移动系统应用的性能、功率和封装尺寸带来一种巨大的飞跃，主要动力就是3D IC。将一只移动处理器芯片与独立的存储芯片结合到一起，这是一种自然发展出来的3D结构。例如，三星电子公司最近推出了一款3D IC，该公司将一只存储芯片堆叠在硅片芯上，两者间采用了（垂直的）TSV（

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：381952
    • 提供者：weixin_38690830

  1. 基础电子中的中介层在3-D集成IC中发挥重要作用

  2. 中介层（Interposer）可以在堆叠芯片中再分布互连线，它在采用穿透硅通孔（TSV）的3D集成商业化进程中正扮演着越来越重要的角色，日前在日本东京附近举行的JissoForum2008上有与会者这样宣称（Jisso是日本语，代表各种封装技术）。 　　例如3-D集成会将存储芯片和逻辑芯片的焊垫进行阵列。论坛上专家表示，尽管长期目标是采用标准的焊垫尺寸和位置来集成芯片，但是标准实现还有些困难。在过渡期，再分布互连层的中介层将充当连接芯片和不同位置及尺寸的焊垫的角色。 　　若没有中介层，堆叠I

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38526421

  1. 基于3D封装的TSV建模和热分析

  2. 建立了具有不同螺距，直通Kong和圆锥台的TSV热模型。 获得了仿真结果，并将其与引线键合结果进行了比较。 结论是TSV技术的散热效果优于引线键合技术。 在相同的TSV间距下，散热效果与TSV形状无关。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：655360
    • 提供者：weixin_38618094

  1. 集成无源器件和硅转接板集成方案设计

  2. 集成无源器件（IPD）和穿硅通孔（TSV）技术是目前封装发展的一大趋势。为了实现高性能集成无源器件和硅转接板集成的目的，本文采取了设计两套不同的集成方案，对比研究的方法。方案结合了深槽电容，液态金属填充等先进技术，从集成方式、通孔制作、通孔填充、IPD类型等多方面进行对比，全面的研究IPD和TSV的集成方案。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：802816
    • 提供者：weixin_38675506

  1. TSV封装技术

  2. 硅通孔技术（Through Silicon Via, TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势：     1）更好的电气互连性能，     2）更宽的带宽，     3）更高的互连密

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38559203

  1. 3D IC的EDA工具之路

  2. 近提出了有关3D IC的三个问题：什么是3D IC，它们是否实际可行，以及它们有什么不同？这些问题的答案可能多种多样，但半导体业确实正在逐渐地为传统二维摩尔定律标尺增加一个垂直维度（即堆叠）。 　　减少IC之间互连的长度可能会给移动系统应用的性能、功率和封装尺寸带来一种巨大的飞跃，主要动力就是3D IC。将一只移动处理器芯片与独立的存储芯片结合到一起，这是一种自然发展出来的3D结构。例如，三星电子公司近推出了一款3D IC，该公司将一只存储芯片堆叠在硅片芯上，两者间采用了（垂直的）TSV（硅通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：547840
    • 提供者：weixin_38685521