日前，设计和制造高压GaN FET供应商Transphorm公司，宣布推出其第二款900V FET，Gen III TP90H050WS（现已开始提供样品），增强了业界的900V GaN产品线。这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分利用GaN的速度，效率和功率密度。此外，新的FET平台基于Transphorm的650V前身，符合JEDEC和AEC-Q101标准的HV GaN技术。 　　TP90H050WS的典型导通电阻为50mΩ，瞬态额定值为1000V，采用标准TO-247封装。