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  1. IGBT 智能化驱动电路设计

  2. IGBT( 绝缘栅双极性晶体管) 是一种电压控制型 功率器件, 它所需驱动功率小, 控制电路简单, 导通 压降低, 且具有较大的安全工作区和短路承受能力。 因此, 目前IGBT 已在中功率以上的电力电子系统中 ( 如变频器、三相逆变器、四相限整流器等) 逐渐取代 了POWER MOSFET 及IPM 等器件而成为功率开关 元器件市场中的重要一员。然而如何有效地驱动并 保护特别是高压大电流IGBT 则成为目前电力电子 领域中的重要研究课题之一。一个性能好的驱动电 路不但能在正常工作状态下给IGB

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-07-07
    • 文件大小：575488
    • 提供者：qq_29633789

  1. 开关电源核心技术.pdf

  2. 开关电源核心技术pdf,开关电源是一种电压转换电路，主要工作内容是升压和降压，广泛应用于现代电子产品，因为开关三极管总是工作在开和关的状态，所以称为开关电源。维修 有些开关电源很复杂,元器件密密麻麻,很多保护和控制电路, 在没有技术支持的情况下,维修起来是一件很头疼的事。在我面对这种情 况时,首先我会找到开关管及其参与振荡的外围电路,把它从电路屮分离 出来,看它是否满足振荡的条件,如检测偏置是否正常,正反馈冇无故障, 还有廾关管本身,计关电源有板强大的保护功能,排除后检察掉制和保护 及负载电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743602

  1. igbt及MOSFET隔离驱动技术

  2. 为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-21
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38628183

  1. 常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总

  2. 因IGBT具有电流拖尾效应，在关断时要求更好的抗干扰性，需要负压驱动。MOSFET速度比较快，关断时可以没有负压，但在干扰较重时，负压关断对于提高可靠性有很大好处。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-15
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38557670

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005

  2. 2015年12月11日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容，推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机变频器应用提供全面保护，比如电动园艺设备、高尔夫球车、电动工具及代步车等。IRS200x家族产品包括高边和低边驱动以及半桥式驱动，采用英飞凌成熟而强大的高压结隔离（HVJI）工艺，以实现小型封装，同时保持对负瞬变电压的耐受性。这种200 V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38550334

  1. 传感技术中的隔离驱动IGBT等功率器件设计所需要的一些技巧

  2. 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用，这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力，及开关速度快等长处之外，更重要的，它也具有保护功率器件的所需功能。这些功率器件的保护功能包括欠压锁定(UVLO)，DESAT检测，和有源米勒钳位。在电力转换器，电机驱动，太阳能和风力发电等系统的应用上，所有这些保护功

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38499349

  1. 电源技术中的Allegro提供新型600 V MOSFET门极驱动器IC

  2. Allegro MicroSystems, LLC宣布推出一款新型高压（600 V） BLDC MOSFET门极驱动器 IC.此款新设备专为混合动力、电动车辆及48 V汽车用电池系统的高压电动机控制而设计，如电子动力转向系统、交流压缩机、风扇、泵和鼓风机。此外，A4900还将为高压工业及商业应用推出非汽车用版本 　　Allegro的A4900提供六个门极驱动，可驱动范围广泛的N通道IGBT或功率MOSFET开关。门极驱动分别配置为三个高压高端驱动和三个低端驱动。高端驱动的隔离电压高达600 V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38643307

  1. Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器

  2. 导读：近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。 　　VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm.该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。 　　除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38688820

  1. Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器

  2. 导读：近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。 　　VOW3120-X017T的短电气间隙和外爬电距离为10mm.该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。 　　除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38632797