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搜索资源列表

  1. 变频原理介绍与变频驱动

  2. 变频空调器的原理及特点 在科学技术发展日新月异的今天，空调器也与其他高科技产品一样，以加速度的趋势发展。电动机变频调速技术的发展与应用，更为变频空调器的发展注入了新的活力。 1964年，德国的 A•Schonung等提出脉宽调制变频技术（Pulse Width Modulation）。这种调速控制技术的核心部件是逆变器——将直流电变为频率可调的交流电的装置。随着电子技术、微电子技术、单片机控制技术的发展，逆变器的功率、功能日益强大，性价比越来越高。三洋公司从1974年开始生产变频空调器，目前三

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-05-20
    • 文件大小：198656
    • 提供者：qiaoqiao159

  1. IGBT模块 技术 驱动和应用 中文版(书签)

  2. IGBT模块 技术 驱动和应用 中文版(书签)主要是讲解IGBT相关工艺及其IGBT驱动设计相关知识,该书是有英飞凌原厂推出的,极具代表性.硬件开发必备

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-04-22
    • 文件大小：80740352
    • 提供者：ad596142041

  1. 开关电源核心技术.pdf

  2. 开关电源核心技术pdf,开关电源是一种电压转换电路，主要工作内容是升压和降压，广泛应用于现代电子产品，因为开关三极管总是工作在开和关的状态，所以称为开关电源。维修 有些开关电源很复杂,元器件密密麻麻,很多保护和控制电路, 在没有技术支持的情况下,维修起来是一件很头疼的事。在我面对这种情 况时,首先我会找到开关管及其参与振荡的外围电路,把它从电路屮分离 出来,看它是否满足振荡的条件,如检测偏置是否正常,正反馈冇无故障, 还有廾关管本身,计关电源有板强大的保护功能,排除后检察掉制和保护 及负载电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 电源技术中的基于2SC0108T的即插即用型IGBT驱动器

  2. 摘要：针对IGBT 驱动电路复杂且保护功能不尽完善的问题，设计了一个基于2SC0108T的即插即用型IGBT驱动器，以及相应的前级驱动电路、 后级功率驱动电路和故障报警电路。该驱动器具有直接模式和半桥模式、驱动信号硬件互锁、硬件死区时间可调节、IGBT过流及短路保护、驱动电源过欠压监控和易于安装的特点。结合英飞凌EconoDUAL3封装IGBT模块，完成了即插即用型IGBT驱动器的硬件设计及调试，有效减小了双绞线传输方式寄生电容及寄生电感的影响。 　　IGBT具有耐压高、电流大、开关速度高和低

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：325632
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 电源技术中的简述IGBT保护电路设计中必知问题

  2. 1 引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：167936
    • 提供者：weixin_38736562

  1. 电源技术中的汽车级IGBT在混合动力车中的实现

  2. IGBT（绝缘栅双极晶体管）是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。IGBT模块是由一个或多个IGBT芯片分别装在绝缘的衬底上，该衬底被固定在散热用的铜基板上。为便于系统组装，且保持模块内外的引线电感最小，模块中还安装有续流二极管。IGBT主要应用领域包括工业控制、消费电子产品、计算机和网络通信领域等

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：219136
    • 提供者：weixin_38507208

  1. 工业电子中的浅谈IGBT驱动器提供可靠保护方案

  2. 为确保电力电子组件在非允许工作的条件影响下得到可靠的保护，需要快速和可靠的错误检测及有效的保护措施。在功率模块中，即可通过系统控制器或者通过IGBT驱动器提供错误管理。绝缘栅双极晶体管 IGBT 是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管 GTR 和功率场效应管 MOSFET 的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 （10-40 kHz） 的特点，是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。 IGBT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：142336
    • 提供者：weixin_38621630

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的高压IGBT集成驱动模块的应用研究

  2. 2SD315AI-33是瑞士CONCEPT公司专为3300V高压IGBT的可靠工作和安全运行而设计的驱动模块，它以专用芯片组为基础，外加必需的其它元件组成。该模块采用脉冲变压器隔离方式，能同时驱动两个IGBT 模块，可提供±15V的驱动电压和±15A的峰值电流，具有准确可靠的驱动功能与灵活可调的过流保护功能，同时可对电源电压进行欠压检测，工作频率可达兆赫兹以上；电气隔离可达到6000VAC. 　　1 2SD315AI-33简介 　　1.1 外形及管脚功能 　　图1所示为2SD315AI-33的外

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38631599

  1. 基于IGBT模块驱动及保护技术

  2. 导读:  IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。        IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。 　　I

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：193536
    • 提供者：weixin_38625599

  1. IR新增完善的IGBT模块系列

  2. 全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出完善的IGBT模块系列，适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及焊接应用等高功率工业应用。 　　全新模块系列采用IR极为坚固可靠的IGBT技术（包括非击穿平面栅极和场截止沟道栅极技术）及成熟的二极管技术，提供一系列稳健的高效模块。这些产品采用了行业标准封装，加上宽泛的配置及电流额定值范围，有助于设计师灵活、轻易地部署高功率系统。这72款模块提供600V或120

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38746574

  1. 基础电子中的Littelfuse为电机控制扩充IGBT功率模块

  2. Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A. 这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 除了标准设计外，Littelfuse还可提供定制解决方案以满足客户的具体规范。 这些模块将被用于工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38717980

  1. Littelfuse推出高额定值的IGBT模块功率半导体产品

  2. Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A。这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 除了标准设计外，Littelfuse还可提供定制解决方案以满足客户的具体规范。 这些模块将被用于工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源/开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 基础电子中的IGBT模块的参数特性术语及说明

  2. IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38666300

  1. 显示/光电技术中的APT推出首款场终止IGBT模块，适合三相主电路应用

  2. Advanced Power Technology (APT)公司的新型IGBT模块在输出电压为600V、1,200V和1,700V下的输出电流分别为20A到600A、50A到400A和50A到300A。这些IGBT模块是该公司第一款采用“场终止”(Field stop)技术的产品，可同时确保击穿(PT)和非击穿(NPT)器件的优势，实现更精确的参数控制、更高的温度稳定性和更快的运行速度。     这些模块有降压、升压、双降压、双升压、双共源、相脚、全桥、不对称桥、三相脚和三重双共源等多种结构形

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38680393

  1. 电源技术中的基于PM50RSAl20的小型通用变频器实用电路设计

  2. 1 前言     变频器已应用于各行各业的多种设备,并成为当今节电,改造传统工业,改善工艺流程,提高生产过程自动化水平,提高产品质量,改善环境的主要技术之一。变频器技术是一种绿色技术,是国民经济和日常生活中普遍需要的新技术,也是国际上技术更新换代最快的领域之一。     开关器件是变频器的核心器件,绝缘栅双极型品体管(ICBT)投入市场以后,很快成为中小功率电力电子设备的主导器件,而且其电压、容量及开关频率性能还在提高。智能功率模块(IPM)集成了多个常规IGBT,为用户降低设计和生产成本提

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：223232
    • 提供者：weixin_38613173

  1. 电源技术中的Powerex智能功率模块面向光伏逆变器应用

  2. Powerex公司近日推出新款系列智能功率模块(IPM)PV-IPM，该产品主要面向光伏逆变器等应用。  　　PV-IPM控制器模块提供3种不同的电路拓扑结构，可用于50A或75A/600V(共12种型号，可选择引脚或螺钉端子)，包括单相逆变电路、带一个升压斩波电路的单相逆变器以及带两个升压斩波电路的单相逆变器。该系列产品适用于功率开关系统，工作频率高达30kHz。最高频率下功耗低于所有IGBT模块，因而对于太阳能/PV系统具有最高的逆变效率。PV-IPM还含有一个控制IC，可进一步降低该控制器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38569109

  1. PCB技术中的基于2SD106的IGBT驱动电路设计与应用

  2. 引言 　　IGBT驱动电路的关键是驱动保护电路设计，良好的驱动电路必须保证IGBT的开关损耗量尽可能小。在IGBT承受短路电流时，如能实现可靠关断，则可以保护IGBT。 　　由于大功率的IGBT模块在开通关断时，需要瞬间大电流。本系统选择2SD106AI-17作为驱动模块，该模块驱动能力强，驱动峰值电流达到6A，隔离能力强，具有完善灵活的保护电路。 　　本文设计的驱动电路应用在混合动力汽车的异步电机的逆变器系统中，三相全桥逆变器选用IGBT型号为UPEC的FF400R12KE3，考虑到开关频

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38683895

  1. IGBT模块驱动及保护技术

  2. IGBT模块驱动及保护技术 蒋怀刚，李乔，何志伟 (华南理工大学雅达电源实验室，广东广州510641） 1引言IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件，在它的栅极?发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极?发射极间存在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：104448
    • 提供者：weixin_38741101

  1. Littelfuse推出高额定值的IGBT模块功率半导体产品

  2. Littelfuse公司是电路保护领域的企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。IGBT功率模块提供广泛的包装设计，现包括半桥、六只装以及S、D、H、W和WB封装的PIM模块，额定值高达1700V和450A。这些模块依托现代IGBT技术能够可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。 除了标准设计外，Littelfuse还可提供定制解决方案以满足客户的具体规范。 这些模块将被用于工业电子产品的众多功率应用中，包括工业驱动与运动控制硬件、太阳能逆变器、不间断电源/开关电源和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38642864

  1. IR新增完善的IGBT模块系列

  2. 功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出完善的IGBT模块系列，适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及焊接应用等高功率工业应用。 　　全新模块系列采用IR极为坚固可靠的IGBT技术（包括非击穿平面栅极和场截止沟道栅极技术）及成熟的二极管技术，提供一系列稳健的高效模块。这些产品采用了行业标准封装，加上宽泛的配置及电流额定值范围，有助于设计师灵活、轻易地部署高功率系统。这72款模块提供600V或1200V的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38746166
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