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  1. microsemi usg

  2. microsemi user guide
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-10-20
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:bn9701
  1. Linux on Microsemi SmartFusion

  2. Linux on Microsemi SmartFusion
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2013-07-23
    • 文件大小:154624
    • 提供者:austin0529
  1. Microsemi-RF Wireless Technology Solutions

  2. 2014年Microsemi公司RF系列全套射频器件介绍
  3. 所属分类:互联网

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Microsemi的65nm嵌入式快闪平台可降低动态功耗

  2. 致力实现智能化的安全互连世界的半导体技术供应商——美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布,旗下SoC产品部门(原为爱特公司Actel Corporation)发布全新的65nm嵌入式快闪平台( 所有器件均可使用共同开发的UMC 65nm eFlash工艺平台 )。以用于构建公司下一代基于快闪的可定制系统级芯片(system-on-chip, SoC)。美高森美的低功耗智能混合信号和系统关键系列SoC具有四输入查找表(look up table, LUT)架构,将会集中使用
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:77824
    • 提供者:weixin_38640443
  1. 电源技术中的Microsemi最新推出高效型电源模块

  2. 电源模块是可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器,随着电力电子技术的高速发展,人们生活及工作场合电子类产品日益增多,而电子设备却离不开电源,现在的计算机已全部模块电源化,从而导致电源模块的快速发展。   Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅(SiC)标准电源模块,非常适用于大功率开关模式电源供应器、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高电压工业应用。该电源模块系列还扩展了温度范围,以满足新一代电源转换系统对于功率密度、工作频率和效率的更高要求。   S
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:51200
    • 提供者:weixin_38653687
  1. Microsemi发布全新高性能光传输网络时钟转换器ZL30169

  2. 美高森美公司(Microsemi Corporation)发布全新高性能光传输网络(Optical Transport Network, OTN)时钟转换器ZL30169,该产品完全符合ITU-T G.8251标准,确保达到互操作性和令人满意的网络性能。超小尺寸的ZL30169支持三路输入,三路输出,输入输出端口间可实现任意频率转换,提供业内领先的250fs RMS输出抖动性能,适用于100G相干光网络。   市场研究机构Infonetics指出,100Gb/s是2015年至2030年的下一个
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:64512
    • 提供者:weixin_38565221
  1. Microsemi推出一个新的PIN二极管微波开关驱动器

  2. Microsemi推出一个新的PIN二极管微波开关驱动器系列,该产品具有小于10毫微秒的开关速度,达到了最新技术发展水平,是专门为国防以及其它高可靠性应用而设计的。   Microsemi 新的微波开关驱动器命名为MSD7800系列,是设计用于SPST和SP2T这两种开关的,该产品包括有内部峰值形成和退耦电容,并能与标准逻辑协议相兼容。额外的配置可根据具体的要求提供。   该新系列产品组装在FR4电路板上,采用符合RoHS无铅标准的敷形涂层的元件,可提供完全的MIL-883筛选。   由于
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-09
    • 文件大小:35840
    • 提供者:weixin_38607026
  1. 电源技术中的Microsemi推出SOT227型的新电源模块系列

  2. 日前,Microsemi推出SOT227型的新电源模块系列,采用SOT227封装的35个全桥器件扩展了其二极管系列。器件覆盖范围为6A~100A和45V~1.7kV。   SiC二极管模块在600V和1.2 kV提供电流6A~40A,而肖特基二极管模块覆盖电流和电压为30A~60A和45V~200V。2个标准全桥整流二极管全桥模块,电流分别为40A和 90A,电压为1.6 kV,还可提供30A~ 100A 和200V~1,700V的FRED二极管模块。这些模块提供超快和低压两种FRED二极管。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-08
    • 文件大小:31744
    • 提供者:weixin_38502510
  1. 显示/光电技术中的Microsemi宣布全系列背光-驱动IC

  2. Microsemi公司,日前宣布在它所有的全系列背光-驱动IC方案中又添加了LX24132 32-端口LED背光控制器和LX23108L 8-端口LED驱动器。   Microsemi的芯片系列为平板LCD TV显示器的直照和侧照式背光应用提供了能符合各种不同尺寸的实际需求的组合方案,能同时支持白色LED和彩色RGB LED的设计要求,可为高性能的LCD TV,笔记本电脑,汽车和其它显示器的应用提供卓越的性能和功能。该芯片系列能够和Microsemi的光电传感器和色彩处理系统等方案紧密的配合起
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-08
    • 文件大小:55296
    • 提供者:weixin_38614636
  1. 电源技术中的Microsemi功率MOS 8首推15款产品 带来更低EMI和热阻抗

  2. Microsemi日前推出其最新一代功率MOS 8产品的首批15款产品。这些新型的功率MOS 8 MOSFET和REDFET系列器件设计用于包括功率因子校正、服务器和电信电源系统、太阳能逆变器、电弧焊、等离子切割、电池充电器、半导体资本设备和感应加热等高功率、高性能开关模式应用。其主要优点有:受振荡影响减小,电磁干扰(EMI)降低;低导通电阻RDS(on);低栅电荷;低开关损耗;额定雪崩能量;更低的热阻抗。   FREDFET具有更快的寄生二极管恢复时间。Microsemi的工程师们采用先进的设
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-27
    • 文件大小:52224
    • 提供者:weixin_38750861
  1. 元器件应用中的Microsemi推出可用于长脉冲调制雷达的大功率超高频晶体管

  2. Microsemi推出了一款达到最新技术水平的大功率晶体管,可应用于超高频长脉冲调制雷达。          在Santa Clara, California的雷达和射频模块事业部主任Jerry Chang说:“在市场完全认可了我们的超高频 "单个晶体管,一千瓦"的器件——0405-1000M之后,我们非常高兴地在市场上又推出新的超高频长脉冲调制、高占空比的500瓦晶体管”。        在“Microsemi's 射频功率产品部门继续开发具有最新水平的硅双极结型射频晶体管技术的同时,还对
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-26
    • 文件大小:41984
    • 提供者:weixin_38669881
  1. RFID技术中的Microsemi推出专为超高频雷达设计的大功率超高频晶体管

  2. 高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi日前宣布推出一个达到最新技术水平的大功率晶体管,可应用于超高频长脉冲调制雷达。   在Santa Clara, California的雷达和射频(RF)模块事业部主任Jerry Chang说:“在市场完全认可了我们的超高频 "单个晶体管,一千瓦"的器件--0405-1000M--之后,我们非常高兴地在市场上又推出新的超高频长脉冲调制、高占空比的500瓦晶体管”。   “在Microsemi 射频功率产品部门继续开发具有
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-26
    • 文件大小:43008
    • 提供者:weixin_38688352
  1. 元器件应用中的Microsemi推出业界应用于长脉冲调制雷达的最大功率UHF晶体管

  2. Microsemi Corporation宣布推出一个达到最新技术水平的大功率晶体管,可应用于超高频长脉冲调制雷达。    在Santa Clara, California的雷达和射频(RF)模块事业部主任Jerry Chang说:“在市场完全认可了我们的超高频“单个晶体管,一千瓦”的器件--0405-1000M--之后,我们非常高兴地在市场上又推出新的超高频长脉冲调制、高占空比的500瓦晶体管”。    “Microsemi’s 射频功率产品部门继续开发具有最新水平的硅双极结型射频晶体管技术的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-25
    • 文件大小:41984
    • 提供者:weixin_38515573
  1. 元器件应用中的Microsemi 推出具业界最低导通电阻的MOSFET系列

  2. 领先的高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi 日前宣布扩展其COOLMOS:trade_mark: FREDFET和Server 系列,进一步推出在业界同类产品中具有最低导通压降Rds(on)的新器件。   Microsem 新的FREDFET和 Server系列器件是设计用于大功率和高性能的开关模式应用,其中包括功率因数校正、服务器和电信供电系统、太阳能逆变器、电弧焊、等离子切割、电池充电器、医疗系统、半导体工艺设备和感应加热。 其主要特性为:  导通压
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:41984
    • 提供者:weixin_38601311
  1. 模拟技术中的Microsemi推出具有高性能和价格竞争优势的超薄紧凑型功率模块

  2. Microsemi公司宣布推出一个包括有38个标准功率模块的新产品系列,该系列产品采用非常扁平的超薄型紧凑SP1封装。主要应用于功率因数校正、电动机控制、UPS、电源、太阳能逆变器以及电焊机变换器等。 由于新产品系列的外廓只有12mm高,所以寄生电感极小;可焊接引脚容易安装到顶部印制的电路板上。该系列模块集成了一个基板,因而可以使用更薄的DBC 衬底。这使得模块与散热器之间能完全电隔离的同时,又具有极好的散热能力,很低的热阻。   这个超薄紧凑型新系列模块,相当于两个SOT227封装组合在单
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:69632
    • 提供者:weixin_38553681
  1. 显示/光电技术中的Microsemi推出用于7~15英寸LCD显示器供电的CCFL背光照明控制器

  2. 模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi公司, 宣布在它的集成电路产品系列中添加一颗高性能的背光照明控制器,这类产品是给使用冷阴极荧光灯(CCFL)的7~15英寸LCD显示器供电的。   新推出的背光照明控制器 LX6512? 的设计主要是为诸如笔记本电脑、网络写字板、数码像框、便携式DVD播放器等具有价格竞争的较小LCD 显示器的应的提供高性能的解决方案。而且同时也考虑到大到30英寸的较大显示屏的显视器和电视的市场的应用。   LX6512 控制器能够支持谐振全桥
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:66560
    • 提供者:weixin_38729399
  1. Microsemi推出CCFL背光照明控制器LX6512,适用于7~15英寸LCD

  2. Microsemi宣布在它的集成电路产品系列中添加一颗高性能的背光照明控制器,这类产品是给使用冷阴极荧光灯(CCFL)的7~15英寸LCD显示器供电的。   新推出的背光照明控制器LX6512的设计主要是为诸如笔记本电脑、网络写字板、数码像框、便携式DVD播放器等具有价格竞争的较小LCD显示器的应的提供高性能的解决方案。而且同时也考虑到大到30英寸的较大显示屏的显视器和电视的市场的应用。   LX6512控制器能够支持谐振全桥或者推挽逆变器驱动电路。新产品的特点包括具有很宽的亮度调整范围以及
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:66560
    • 提供者:weixin_38721252
  1. 传感技术中的Microsemi新款可见光传感器LX1973B可探测极低亮度

  2. Microsemi宣布在它的可见光传感器专利产品系列中添加了一个可探测亮度最低的新产品LX1973B。新传感器LX1973B的特点是采用创新的穹顶形透镜封装,以及暗电流消除技术对最低亮度等级进行优化,是汽车显示器、自动调光镜和头灯亮度自动控制的理想解决方案;也可用于笔记本电脑、LCD监视器、TV、手持显示器、便携式电话、数码相机、公用电话亭和户外照明等目标应用。   “我们所设计的LX1973B能够在非常暗淡的环境光线下,提供最精确的可控制响应,” Microsemi公司的副执行总裁、模
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:69632
    • 提供者:weixin_38669793
  1. 元器件应用中的Microsemi宣布新的Power MOS 8穿通型IGBT系列

  2. Microsemi Corporation宣布推出一个新的高速Power MOS 8(r)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)系列,该系列器件产品采用穿通工艺技术,电压为600V和900V。   新系列的Power MOS 8(r) IGBT器件的应用对象包括有太阳能逆变器、高性能SMPS以及诸如电焊机、电池充电器和感应加热之类的工业设备。   其主要特性为:   穿通工艺技术   更加快速的开关工作   高效率-饱和电压低   电流拖尾短-使开关损耗最小化   导
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-21
    • 文件大小:40960
    • 提供者:weixin_38608866
  1. Microsemi发布低Rds(on)的COOLMOS FREDFET和Server Devices器件

  2. Microsemi Corporation宣布扩展其COOLMOS FREDFET和Server系列,进一步推出在业界同类产品中具有最低导通压降Rds(on)的新器件。   Microsem新的FREDFET和Server系列器件是设计用于大功率和高性能的开关模式应用,其中包括功率因数校正、服务器和电信供电系统、太阳能逆变器、电弧焊、等离子切割、电池充电器、医疗系统、半导体工艺设备和感应加热。   其主要特性为:   导通压降Rds(on)极低   栅极电荷Q(g)低   额定的雪崩能
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-21
    • 文件大小:38912
    • 提供者:weixin_38699302
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