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  1. mx25 nand flash驱动分析.pdf

  2. mx25 nand flash驱动分析,分析mx25架构下的nand flash驱动分析和实现,将flash操作接口能提取出来。
  3. 所属分类:C

    • 发布日期:2011-12-01
    • 文件大小:573440
    • 提供者:ap0304118
  1. nandpro30.rar

  2. 提取Nand Flash的必须工具,可用来刷XBOX360的自制系统。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-03-03
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:ivjoyj
  1. gc2145_parrotv1.1_r16m_验证完成_20170523_1408没有外层目录.7z

  2. 全志R16的android4.4.2平台点亮gc2145(evb30) 版本:V1.1 1、配置ov2640在android层配置的分辨率为vga(预览/拍照/录像) 注意:系统自带的快拍APP就在这里查找分辨率参数发送到camera的HAL层。 这里得分辨率设置为:拍照1600x1200,预览640x480 驱动里面搜索可以设置为:1600x1200, 1280x720(花屏), 800x600(分辨率不能切换到这里), 640x480 提取分辨率的小知识: R:\wyb\gc2145_pa
  3. 所属分类:Android

    • 发布日期:2017-05-23
    • 文件大小:128000
    • 提供者:wb4916
  1. scrapy动态爬虫并存入mysql

  2. 有时候,我们天真无邪的使用urllib库或Scrapy下载HTML网页时会发现,我们要提取的网页元素并不在我们下载到的HTML之中,尽管它们在浏览器里看起来唾手可得。 这说明我们想要的元素是在我们的某些操作下通过js事件动态生成的。举个例子,我们在刷QQ空间或者微博评论的时候,一直往下刷,网页越来越长,内容越来越多,就是这个让人又爱又恨的动态加载。 爬取动态页面目前来说有两种方法 分析页面请求(这篇介绍这个) selenium模拟浏览器行为(霸王硬上弓,以后再说) 言归正传,下面介绍一下通过分
  3. 所属分类:网络监控

    • 发布日期:2018-07-18
    • 文件大小:15360
    • 提供者:weixin_40245436
  1. Nandpro30 XB360 NAND提取和烧写工具

  2. Nandpro30 是一个XBOX360 NAND的烧写工具,通过这一个工具可以对XBOX360薄机和厚机的NAND进行操作,当然前提是你要有一个USB读取NAND的硬件小工具
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-13
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:u012388993
  1. 模拟技术中的使用现有布局来省去缓冲器/逆变器(对)的解决方案

  2. 摘要   在SoC设计中,EDA工具处理完网络列表之后插入的逻辑均被称作ECO。可以不必进行合成、地点和路线、提取、串音等整个SoC设计周期,从而节省完成ECO的时间。可以采用省钱方式来执行后掩膜工程变更清单。 如果只修改少量金属层就能完成一项更改,那么涉及的成本要比将整个设计完全重做少得多。 ECO通常会使用到备用门模块(在合成期插入)。通常,这些备用门模块包括NAND、NOR、 触发器、 缓冲器、逆变器以及其他可能使用到的逻辑单元。 本文重点介绍如何使用现有布局的缓冲器/逆变器(对)逻辑,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-05
    • 文件大小:126976
    • 提供者:weixin_38587473
  1. HiyaCFW-Helper:用于简化HiyaCFW(和TWiLightMenu ++)安装过程的工具-源码

  2. HiyaCFW-Helper 为了使事情变得更容易,并且因为我没有Windows,我通过jerbear64和LmN编辑了HiyaCFW Helper Python脚本,以便向其中添加图形用户界面。 它能做什么: 允许您浏览您的NAND备份,而无需将其放在同一文件夹中。 显示选择输出目的地的选项,该目的地应该是(最好是空的)FAT格式的SD卡或任何其他文件夹。 下载最新版本的HiyaCFW并解压缩。 从NAND转储中自动检测控制台区域,下载并解密其v512启动器。 为自定义固件创建修补的00000
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-18
    • 文件大小:7340032
    • 提供者:weixin_42120997
  1. 静电力显微镜研究界面相关电荷陷阱和高k基陷阱结构的损耗特性

  2. 通过静电力显微镜研究了高k基俘获层结构的电荷俘获和损耗特性,证明了界面提供了主要的俘获位点。 确定HfO(2)和Al(2)O(3)单层的沉积后退火的影响。 基于上述发现,我们证明了HfO(2)/ Al(2)O(3)双层陷阱结构具有改进的性能。 还可以通过提取扩散系数来评估横向电荷扩散特性,以进一步了解界面效应。 这项研究可以为电荷陷获结构的基本评估和优化提供见解,尤其是对于高密度NAND闪存应用。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-16
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38665046
  1. 使用现有布局来省去缓冲器/逆变器(对)的解决方案

  2. 摘要   在SoC设计中,EDA工具处理完网络列表之后插入的逻辑均被称作ECO。可以不必进行合成、地点和路线、提取、串音等整个SoC设计周期,从而节省完成ECO的时间。可以采用省钱方式来执行后掩膜工程变更清单。 如果只修改少量金属层就能完成一项更改,那么涉及的成本要比将整个设计完全重做少得多。 ECO通常会使用到备用门模块(在合成期插入)。通常,这些备用门模块包括NAND、NOR、 触发器、 缓冲器、逆变器以及其他可能使用到的逻辑单元。 本文重点介绍如何使用现有布局的缓冲器/逆变器(对)逻辑,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:142336
    • 提供者:weixin_38623819