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  1. 常用国产双极型晶体管（BJT）Multisim 10.0元件库

  2. /**************************************************/ /* 常用国产双极型晶体管（BJT）Multisim 10.0元件库 */ /**************************************************/ /* by phoenix */ /* sagegao2008@126.com */ /**************************************************/ 包含器件型号： S

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-06-09
    • 文件大小：933888
    • 提供者：sagegao1985

  1. 晶体管的检测经验

  2. (一)晶体管材料与极性的判别 1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。 ***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型(不代表极性)。其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。 欧洲产晶体管型号命名的第一部分用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38716590

  1. 关于晶体管的检测经验

  2. (一)晶体管材料与极性的判别 1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP型管，“D”代表硅材料NPN型管。 ***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型(不代表极性)。其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。 欧洲产晶体管型号命名的第一部分用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38596413

  1. 电力晶体管GTR的开关特性详解

  2. 电力晶体管gtr简介 电力晶体管是一种双极型大功率高反压晶体管，由于其功率非常大，所以，它又被称作为巨型晶体管，简称GTR。GTR是由三层半导体材料两个PN结组成的，三层半导体材料的结构形式可以是PNP，也可以是NPN。大多数双极型功率晶体管是在重掺质的N+硅衬底上，用外延生长法在N+上生长一层N漂移层，然后在漂移层上扩散P基区，接着扩散N+发射区，因之称为三重扩散。基极与发射极在一个平面上做成叉指型以减少电流集中和提高器件电流处理能力。 GTR分为NPN型和PNP型两类，又有单管GTR、达

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38526780

  1. PNP与NPN晶体管的检测方法

  2. 三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流去控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。 所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。 如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：418816
    • 提供者：weixin_38737980

  1. PNP三极管和NPN三极管开关电路

  2. 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 PNP与NPN两种三极管各引脚的表示： PNP三极管和NPN三极管的开关电路 三极管开关电路设计的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：128000
    • 提供者：weixin_38526650

  1. PNP三极管分析方法

  2. PNP三极管的分析方法 PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。 晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的， 我们知道NPN型晶体管有三个工作区（截止区，放大区，饱和区），同样PNP型三极管也有三个工作区。下图为两类三极管的输入输出特性曲线： 图1 npn型晶体管特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：132096
    • 提供者：weixin_38595528

  1. 基础电子中的绝缘栅双极型晶体管的可靠性能解析

  2. 导读：近年来，开关电源已被越来越多的用户所采用，作为开关电源用的大功率开关器件IGBT以其独特的良特性，在各种电力电子装置中得到了广泛应用。而了解IGBT的可靠性能、检测及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。下面本文就对此进行了一一解析。 　　一、IGBT的简单介绍 　　绝缘栅双极型晶体管（简称“IGBT”）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38625559

  1. 基础电子中的一个小型晶体管开关电路的应用

  2. Q3是一个PNP型开关，此开关控制另一PNP型开关Q4，Q5是另另一NPN型开关，与本文无关。　　实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时，往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k变化到10M，结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了，而且R29的电流不会降低太多，也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通，此时Q3对R29分

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：330752
    • 提供者：weixin_38737980

  1. 晶体管热阻测试系统的设计与实现

  2. 本系统能对功率双极型晶体管 (NPN 和 PNP 型) 测量瞬态热阻和稳态热阻，还能测试二极管和发光管热阻。通过加载测试条件到测试系统，根据晶体管的热阻特性反映的温度变化，在计算机屏幕上显示测量数据，并根据测试结果进行快速筛选。系统具有接触检测和震荡探测功能，以防止接触不良和震荡造成的温度测量错误，系统还具有防雪崩的自我保护电路，可用作测量安全工作区SOA (safe operating area)，以提高了测试系统的稳定性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：206848
    • 提供者：weixin_38732315

  1. 元器件应用中的常规晶体管的识别与检测

  2. 液晶显示器中采用的晶体管种类较多，按半导体材料和导电极性分，有NPN型管、PNP型管；按耗散功率分，有小功率管、功率管和大功率管等，常见外形如图所示。 　　图 常见晶体管的外形 　　小功率晶体管一般外形均相似，只要各个电极引出线标志明确，且引出线排列顺序与待换管一致，即可进行更换。大功率晶体管的外形差异较大，更换时应选择外形相似、安装尺寸相同的晶体管，以便安装和保持正常的散热条件。 　　（1）晶体管引脚的判别 　　将万用电表置于电阻R×1k挡，用黑表笔接晶体管的某一引脚（假设作为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38736562

  1. 元器件应用中的晶体管的置换原则

  2. 在维修、设计和实验或试制中，常常会碰到晶体管的置换（代换）问题。如果掌握了晶体管的置换（代换）原则，就能使工作初有成效。其置换（代换）原则可划分为三种：即类型相同、特性相近、外形相似。 一、类型相同 　　1.材料相同。即锗管换锗管，硅管换硅管。　　2.极性相同。即NPN型管换NPN型管，PNP型管换PNP型管。　　3.实际型号一样，标注方法不同，如：D1555同2SD1555;R1201同GR1201;3DG9014同9014；贴片管用代号来代表原型号等。但不排除同一型号因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38738506

  1. 元器件应用中的晶体管热阻测试系统的设计与实现

  2. 1.引言 　　热阻可以反映芯片、焊接层和管壳的烧结或粘结等质量问题，热阻特性对晶体管的可靠性有着至关重要的影响。利用晶体管ΔVbe参数与热阻在一定条件下满足某种数学关系式，通过测量晶体管ΔVbe参数间接地测试热阻参数，具有测量效率高、成本低、对器件无损伤等优点，但是晶体管热特性具有复杂、敏感及不稳定的特点。要达到实用需要的测量精度有较大的难度，目前，国外已研制出原理性的热阻测试系统。国内市场迫切需要性价比较高的晶体管测试筛选设备。 　　本系统能对功率双极型晶体管 (NPN 和 PNP 型)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：175104
    • 提供者：weixin_38653040

  1. 元器件应用中的串联PNP型晶体管的低压线性调节器

  2. 串联PNP型晶体管的线性调节器最小压差可以降至1V，甚至0.5V。其原因结合如图说明如下。 　　如图a 串联NPN型晶体管的线性调节器和PNP型晶体管的线性调节器 　　如图a为串联NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流，产生电流的电压必须高于（Uo+Ube），约为（Uo+1V）。若基极串联一个电阻，则电阻的输人端电压必须高于（Uo+1V）以使电流流过。而最经济易行的方法是用串接晶体管的供电电压（初始直流电压）向基极电阻供电。 　　但是，初始直流电压（市电电压低限输入时对应的纹波谷

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38519387

  1. 显示/光电技术中的寄生双极型晶体管闩锁效应的影响

  2. 闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存在于MOS晶体管结构中的两个寄生双极晶体管各自的基极分别与对方的集电极相连，形成了四层的晶闸管的结构。当其中一个晶体管的基－射结电压超过约0.6V时，晶问管将开启，从而导致yDD与yss短路，电路将失去功能。器件甚至可能被大电流所产生的热量所损坏。由于外延层掺杂浓度的减小，PNP晶体管基区Gummel值变小，相应的提高了PNP晶体管的电流增益。同时NPN晶体管的集电极的串联电阻Rev也会随

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38517113

  1. 基础电子中的单极型集成电路和双极型集成电路有什么区别

  2. 在集成电路分类中有一种说法就是有双极型和单极型之分。所谓双极型和单极型主要指的是组成集成电路的晶体管的极性而言的。双极型集成电路是由NPN或PNP型晶体管组成。由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因此取名为双极型集成电路，就是人们平时说的TTL集成电路。 　　单极型集成电路是由MOS场效应晶体管组成的。因场效应晶体管只有多数载流子参加导电，故称场效应晶体管为单极晶体管，由这种单极晶体管组成的集成电路就得名为单极型集成电路，就是平时说的MOS集成电路。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：19456
    • 提供者：weixin_38724349

  1. 元器件应用中的什么叫双极结型晶体管（BJT）

  2. 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）　　BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38542148

  1. 元器件应用中的双极型晶体管原理

  2. 虽然二极管是很有用的器件，但它不能放大信号，几乎所有的电路都以某种方式要求放大信号。一种能放大信号的器件就是双极型晶体管（BJT）。 图1.18是两种双极型晶体管的结构图。每个晶体管有3个半导体区，他们分别是发射极，基极和集电极。基极总是夹在发射极和集电极之间。NPN管由N型的发射极，P型的基极和N型的集电极组成。类似的，PNP管由P型的发射极，N型的基极和P型的集电极组成。在这些简图中，晶体管的每个区都是均匀掺杂的矩形硅。现代的双极型晶体管稍微有点不同，但工作原理还是一样的。 图1.18中也画

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38500444

  1. 绝缘栅双极型晶体管的可靠性能解析

  2. 导读：近年来，开关电源已被越来越多的用户所采用，作为开关电源用的大功率开关器件IGBT以其独特的良特性，在各种电力电子装置中得到了广泛应用。而了解IGBT的可靠性能、检测及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。下面本文就对此进行了一一解析。 　　一、IGBT的简单介绍 　　绝缘栅双极型晶体管（简称“IGBT”）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38718434

  1. 双极型晶体管的结构_工作原理及特性曲线

  2. 双极型晶体管　　双极型晶体管一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质可以分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用作开关的三极管。按材料分为锗三极管和硅三极管，由于硅三极管稳定性较好，所以大部分的三极管都是用硅材料做的。　　双极型晶体管的结构　　双极型晶体管是由两个靠的很近的背靠背的PN结构成。一般分为PNP和NPN型两种，具体结构如下图所示。无论是NPN型或是PNP型的三极管，它们均包含三个区：发射区、基区和集电区，并相应地引出三个电极：发射极（e）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：133120
    • 提供者：weixin_38695773
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