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搜索资源列表

  1. hamamatsu滨松的Si探测器使用手册

  2. hamamatsu滨松的热探测器使用手册，si探测器的等效电路，前置放大电路等

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2017-11-30
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：ywgcumt

  1. 具有Neganov–Luke效应的大面积Si低温光探测器

  2. 用于搜索稀有事件的下一代量热实验依赖于检测少量的光（大约20个光学光子）来区分和减少背景源并提高灵敏度。 量热探测器是在低温（mK）下进行光子探测的最简单解决方案。 描述了由于使用了Neganov-Luke效应而提高了性能的硅基光探测器的开发。 该研究线的目的是生产具有工业级可重复性和可靠性的高性能探测器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-05
    • 文件大小：578560
    • 提供者：weixin_38643269

  1. Si(Li)探测器低能区的效率刻度

  2. Si(Li)探测器低能区的效率刻度，安竹，刘慢天， 本文通过测量19keV电子束轰击厚碳靶产生的韧致辐射能谱，在低能区（>1 keV）对Si(Li)探测器进行了探测效率刻度。厚碳靶的理论韧致辐�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-04
    • 文件大小：529408
    • 提供者：weixin_38677936

  1. 新型量子光电探测器读出与显示

  2. 对一种响应近红外的新型量子光电探测器特性进行测试和分析，给出了2×8探测器阵列和读出电路的对接测试结果，设计初步的成像系统采集显示焦平面输出。探测器有一个-0.8V的阈值电压，偏压大于阈值电压后器件响应率远大于1A/W,且响应率随光照功率增大减小。2×8探测器阵列与设计的读出电路通过Si基板对接后在77K条件测试，读出电路的线性度好于99.5%,信噪比达到67dB,探测器偏压为-1.5V,积分时间为200μs时探测器率达到1.38×1010cmHz1/2/W,达到实际应用的要求。设计了数据采集卡

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-08
    • 文件大小：270336
    • 提供者：weixin_38706824

  1. 显示/光电技术中的新型量子光电探测器读出与显示

  2. 摘要：对一种响应近红外的新型量子光电探测器特性进行测试和分析，给出了2×8探测器阵列和读出电路的对接测试结果，设计初步的成像系统采集显示焦平面输出。探测器有一个-0.8V的阈值电压，偏压大于阈值电压后器件响应率远大于1A/W,且响应率随光照功率增大减小。2×8探测器阵列与设计的读出电路通过Si基板对接后在77K条件测试，读出电路的线性度好于99.5%,信噪比达到67dB,探测器偏压为-1.5V,积分时间为200μs时探测器率达到1.38×1010cmHz1/2/W,达到实际应用的要求。设计了数据

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：282624
    • 提供者：weixin_38699492

  1. 消费电子中的一种可移植的机顶盒SI模块的设计与实

  2. 摘要：分布式温度采集系统大多采用单片机作为控制器,通过轮流读取每个监测点的温度进行温度监测。当要监测的温度点非常多时,系统显然无法实时监测每一个监测点,降低了系统的效率和实时性。本文采用FPGA作为分布式温度采集系统的控制器,并使用1-Wire器件DS18B20作为监测点的温度传感器,可以实时监测每个监测点,提高了系统的实时性和稳定性。 　　0 引言 　　温度测量在现代工业生产过程中发挥着重要的作用, 无论对于大型企业还是众多的小 型工厂, 往往需要监测多个设备的几十个温度值[1]。在分布式

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：139264
    • 提供者：weixin_38637665

  1. 显示/光电技术中的采用Si衬底利用AIN做缓冲层的光导型探测器

  2. Khan等人[25]在1992年报道了第一支高质量GaN材料光电导探测器，它以蓝宝石为衬底通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长而成。光响应波长为200～365 nm，在365nm处最高增益达6×103。在5 V的偏压下响应度最高可达2000 A/W。随后，由于51材料成熟的工艺技术且易于集成等优点，人们试图将GaN材料生长在Si衬底上以利于和电子器件的集成。Stevens等人⒓刨在51衬底上生长P型GaN薄膜，但光响应度较低，在14V偏压下最高响应度只有30 A/W。由于Si和GaN之

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38551837

  1. 电子测量中的牛津仪器发布全新无需液氮的X射线能谱仪探测器

  2. 英国牛津仪器向外界宣布，该公司最新一款无需液氮的X射线能谱仪Si(Li) 探测器——INCADryCool即将开始在全球市场销售。 　　INCADryCool采用了具有革命性的脉冲管制冷系统，该技术目前已申请了专利。与传统的液氮制冷探测器相比，即使是在更低的能量条件下，INCADryCool依然能够提供非常出色的分析性能。INCADryCool无需外置压缩机、燃气、气体管线，不会因为振动而导致图像质量变差。稳定的电力供应是INCADryCool唯一所需要的。 　　据牛津公司技术人员介绍，INCA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38553275

  1. Ge/Si单光子探测器的暗计数理论研究

  2. Ge/Si单光子探测器的暗计数理论研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：498688
    • 提供者：weixin_38656462

  1. 具有内部放大功能的a-Si光电探测器

  2. 具有内部放大功能的a-Si光电探测器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：929792
    • 提供者：weixin_38629042

  1. 基于锰酸盐氧化物异质结激光探测器的光电效应研究

  2. 制备了两种基于锰酸盐氧化物异质结LaxCa1-xMnO3/Si（x=0.67和0.40）的激光探测器，并分别研究了在532 nm和1064 nm激光辐照下，两种异质结探测器的光生伏特效应。在532 nm激光辐照下，具有较好整流特性的异质结产生的光生伏特电压也较大。在激光打开和关闭时，都观测到了异质结光伏信号的瞬态响应峰值，且该峰值随斩波频率不断增大并在频率较大时趋于饱和。在1064 nm激光打开和关闭时，异质结光伏信号的瞬态响应具有明显的双峰现象，双峰的出现是光电效应与热电效应共同作用的结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38719564

  1. Si-APD单光子探测器的全主动抑制技术

  2. 为了缩短单光子探测器工作的死时间,提高单光子计数率,在分析单光子探测器被动抑制工作模式的基础上,针对硅雪崩光电二极管的工作特点,实验设计了精密快速的抑制电路,用以控制探测器的雪崩淬灭和电压恢复,实施了主动淬灭与快恢复相结合的全主动抑制技术。结果表明,该技术使探测器工作在更加安全高效的全主动抑制模式下,最后实验测得探测器总的死时间由原被动抑制模式下大于2ms缩短至120ns,单光子计数率由被动模式下低于1MHz上升到8MHz以上,从而达到了提高计数率的目的,满足一些单光子高效检测和计数的需要。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38534344

  1. 基于InGaAs探测器的日光条件光子计数实验

  2. 介绍了基于InGaAs单光子探测器的日光条件测距实验，通过压缩激光接收视场、使用超窄带滤光片、结合超快主动淬灭电路等降低InGaAs单光子探测器死时间的方法，成功地进行了基于InGaAs单光子探测器的日光条件光子计数测距实验。分析实验数据，分别获取基于InGaAs探测器和Si基探测器的系统探测灵敏度、系统测距精度等参数，并进行比较。实验结果表明：经过高速主动淬灭电路优化后的InGaAs探测器，其死时间与Si基探测器的死时间相当；在背景光噪声一定的情况下，使用InGaAs探测器可以提高系统的探测灵

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38735101

  1. 1.55 μm Si

  2. 对1.55 μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：(1)对Si1-xGex光开关, Ge含量x=0.05, 波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3, 8.5和2.6 μm, 分支角为5～6°。要实现对1.55 μm波长光的开关作用, pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97 V; (2)对Si1-xGex/Si探测器, Ge含量x=0.5, 探测器由23个周期的6 nm Si0.5Ge0.5和17 nm Si交替

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38612909

  1. 硅基波导与GeSi/Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制

  2. 用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n+/n Si材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电集成,5 V偏压下PIN探测器的最小暗电流为0.8 LA,最大光响应电流为2.7LA,最大总量子效率为14%,工作波长为K=1.3 μm。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：611328
    • 提供者：weixin_38604653

  1. 波导与探测器吸收层垂直耦合结构中的光学耦合分析

  2. 利用几何光学理论分析了波导与探测器吸收层之间的光学传播情况,以硅基波导与GeSi/Si多量子阱PIN探测器吸收层为分析对象,说明光学耦合效率与两层介质的折射率分布及吸收层长度的关系。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：843776
    • 提供者：weixin_38566318

  1. 高精度光电探测器的线性测量

  2. 介绍了一种高精度的光电探测器线性测量系统,讨论了线性测量的方法,确定以光束叠加法为线性测量系统的基础。设计了测量系统,以944 nm激光器为光源,测量了Si陷阱探测器和InGaAs陷阱探测器的非线性因子。实验结果表明,利用该系统在0.1～200 μW的入射光功率范围内。Si陷阱探测器非线性因子平均值小于0.009％,联合不确定度小于3.18%; InGaAs陷阱探测器非线性因子平均值小于0.6％,联合不确定度小于6.87％。实验结果证明该系统可以作为高精度光电探测器线性测量装置。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：818176
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 具有波长选择功能的单片集成Si基长波长光探测器

  2. 报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP基PIN光探测结构。其中的GaAs/Si异质外延生长, 采用中间刻槽工序实现了高质量、无裂纹的GaAs基外延层。制备的集成器件, 在波长1573.2 nm处, 获得了1.1 nm的光谱线宽以及9%的量子效率, 其中吸收层厚度为300 nm。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：978944
    • 提供者：weixin_38630612

  1. Si基Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的设计与模拟

  2. 设计了Si 衬底上Ge 薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构，理论计算了上下反射镜Si/SiO2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/SiO2的对数分别为2 和3，Ge 薄膜的厚度为0.46 μm ，器件的台面面积小于176 μm2 时，探测器在中心波长1.55 μm 处的外量子效率达到0.64，比普通结构提高了30 倍，同时器件的带宽达到40 GHz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38730201

  1. 基于温漂自动补偿的高稳定性Si-APD单光子探测器

  2. 硅雪崩光电二极管(Si-APD)的雪崩电压对温度极大地限制了基于Si-APD的单光子探测器在全天候野外条件下的实际应用。提出了一种可以在大环境温度变化范围内稳定工作的Si-APD单光子探测技术。通过制冷与数字偏压补偿相结合的技术, 自动补偿Si-APD的工作温度漂移, 保持稳定的雪崩增益。实验证明在-40~45 ℃的温度范围内采用该技术的单光子探测器工作稳定。实验结果表明采用温漂自动补偿的技术后, Si-APD单光子探测器具备了在温度变化较大的外场稳定运行的能力, 为机载或星载光子计数激光测量提

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38725426
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