注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计.pdf

  2. 无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计pdf,无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计口经验交流口 仪器仪表用户 △Vo Re t 12 瞬间下拉,进入系统的动态调节过程,输出电流增加 输出重新进入稳定状态点。同样,当负载电流瞬间减 3)瞬态特性 小,引起电路新的动态调节,最终进入稳定状态点。表 瞬态特性为负载电流突变时引起输出电压的最1给出LDO仿真结果。 大变化,它是输出电容C及其等效串联电阻Rs和旁 表1LDO仿真结果 路电容C的函数,其中旁路电容C的作用是提高负载 参数 典型值

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 开关电源环路中的TL431应用.pdf.pdf

  2. 开关电源环路中的TL431应用.pdfpdf,开关电源环路中的TL431.pdf)4卖) 由 1na-1nb= ln 2).因此 1 312s Vr 1n6= R 从这个公式我们可以析取出电流I Vr In6 R 根据R4的值(为4829),可以计算出I1的值。 26m×1.79 ≈97A 482 得到这个电流后,集电极负载R2和R3的压降可根据欧姆定律快速计算出来。 VR2=VR3=3R2I1=R31=1.9k×97m=5.7k×97m=553m(10) 这个电压离采用SPCE计算的偏置点并不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 10位40MSPS模数转换器片内基准电压源设计.

  2. 10位40MSPS的ADC片内面积小、高精度的基准电压源,采用带隙电压源为基本结构,重点设计 了一种新型的高增益、宽输入范围的CMOS运算放大器,以提高基准电压源精度;并设计出两组基准电压RET与 REB,及其差值为ADC的基准比较电压,以进一步减小绝对误差.采用Chart 0.35μm CMOS工艺参数进行了 Hspice仿真,所设计的运算放大器增益为88 dB,基准电压源的随电源电压变化的偏差小于5 mV,温度系数小于 10-4/°C.经流片测试所设计的基准电压源能很好地满足ADC的要求.

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-01-08
    • 文件大小：102400
    • 提供者：sinb5257

  1. 0.13 μm CMOS电流模式高精度基准源设计

  2. 为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统一阶低压带隙基准电路相比，具有低功耗和更低的温漂系数。基于中芯国际130 nm COMS工艺，仿真表明，温度在-20 ℃～80 ℃范围内，温漂为4.6 ppm/℃，电源抑制比为60 dB，输出基准电压为610 mV，整体电路功耗为820 nW。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38528459

  1. 一种新型带隙基准源设计

  2. 在对传统一阶补偿带隙基准分析的基础上，提出了一种新型高阶补偿技术，并应用该技术设计了一款在宽温度范围内具有低温度系数的曲率补偿电压基准。基于VIS 0.15 μm BCD工艺对提出的电路结构进行了设计与仿真。仿真结果表明，该基准电路的输出电压平均值为539 mV；在宽温度范围(-60 ℃~120 ℃)内，温度系数为1.40 ppm/℃；环境温度为27 ℃，电源电压在1.3 V~2.1 V范围内时，输出电压的线性调整率为0.001 9%，电源抑制大于84 dB100 Hz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：476160
    • 提供者：weixin_38557980

  1. 一种新型的电流模式曲率补偿带隙基准源

  2. 提出了一种新型的低压带隙基准源，与传统的带隙基准不同，该电路引入了第三个电流，以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项，从而实现曲率补偿。采用0．18μm CMOS工艺进行设计验证，HSpice仿真结果表明，室温下的输出电压为623 mV，-55～+125℃范围内的温度系数为4．2 ppm／℃，1．0～2．1 V之间的电源调整率为0．9 mV／V。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：258048
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 一种带隙基准电压源的设计与仿真

  2. 设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：286720
    • 提供者：weixin_38735782

  1. 最大消耗380nA电流的电压基准源设计

  2. 传统的带隙电压基准源面积大、功耗大、不适应低功耗小面积的要求。本文立足于低功耗、小面积、利用工作于弱反型区晶体管的特点，对传统的带隙电压基准源做出改进，设计了一款最大消耗380 nA电流的电压基准源，大大减小了面积，且与CMOS工艺兼容，同时提出一种新的不耗电的启动电路。本文先介绍传统典型带隙基准电路的原理与功耗组成，提出改进电路结构，并进行分析，最后给出基于0.5μm CMOS工艺模型的仿真结果和测试结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38577648

  1. 一种二阶补偿带隙基准设计

  2. 基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数，提出了一种新颖的二阶补偿结构，仅引入一股与温度成平方关系的电流，既补偿了低温阶段的基准电压，又补偿了高温阶段的基准电压，大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。采用0.5 μm BCD工艺对电路进行仿真，结果表明，输出电压为1.24 V，温度范围在-35 ℃～135 ℃时，温度系数为2.82 ppm/℃；在低频时，电源抑制比达到了75.6 dB。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：418816
    • 提供者：weixin_38668672

  1. 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

  2. 引 言 　　带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙基准的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。 　　本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38629801

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1. 基于汽车环境的带隙基准电压源的设计

  2. 比较了传统带运算放大器的带隙基准电压源电路与采用曲率补偿技术的改进电路，设计了一种适合汽车电子使用的带隙基准电压源，该设计电路基于上海贝岭2 μm 40 V bipolar工艺，采用一阶曲率补偿技术，充分考虑了汽车空间有限、温差大、噪声多的环境特点，没有使用运放，避免其复杂的结构以及所引起的失调，因此降低了电路成本并改善性能，设计中还引入了启动电路，大大降低了附加功耗。用Cadence Spectre对电路仿真，结果表明，电路温度特性好，抗干扰能力强，有较高的电源抑制比(PSRR)，达到预期指标

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-01
    • 文件大小：706560
    • 提供者：weixin_38723527

  1.  一种高精度带隙基准电压源电路设计

  2. 针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电流产生电路，设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电压源。基于0.5 μm高压BiCMOS工艺对电路进行了仿真，结果表明，在-40℃~85℃范围内，该带隙基准电路的温度系数为7ppm/℃，室温下的带隙基准电压为1.215 V。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38748740

  1. 一种带隙基准电压源设计与修调方法研究

  2. 传统的带隙基准一般温度系数在20~100 ppm/°C，无法满足高精度的要求。本设计利用Cadence，Hspice等工具，对传统基准源电路进行改进，最终采用了放大器反馈方式的Brokaw结构，通过修调电路修调之后可以获得温度系数在4.5 ppm/°C以下，在工业级温度范围内误差小于±0.1%的2.5 V高精度带隙基准电压源。利用上海华虹NEC的BCD180工艺在Cadence下通过了仿真验证。并且研究了能够满足批量生产要求的基准源温度特性的修调方法。利用控制变量法分析影响基准源温度特性及精度的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：593920
    • 提供者：weixin_38627769

  1. 一种采用数字修调技术的低温漂带隙基准设计

  2. 基于tsmc0.25μm CMOS工艺，设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题，通过引入额外的PTAT电流来改变流过PNP的电流，进而补偿由于工艺角变化引起的带隙基准温度系数的改变，实现低温漂基准电压源。仿真结果表明，5 V电源电压下，在-50~+150 ℃，基准电压温度系数为3ppm/℃，与无数字修调的带隙基准相比，温度系数减小了5 ppm/℃。低频时电源抑制比为-90 dB，整体功耗电流约为60 μ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38515270