注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 10位40MSPS模数转换器片内基准电压源设计.

  2. 10位40MSPS的ADC片内面积小、高精度的基准电压源,采用带隙电压源为基本结构,重点设计 了一种新型的高增益、宽输入范围的CMOS运算放大器,以提高基准电压源精度;并设计出两组基准电压RET与 REB,及其差值为ADC的基准比较电压,以进一步减小绝对误差.采用Chart 0.35μm CMOS工艺参数进行了 Hspice仿真,所设计的运算放大器增益为88 dB,基准电压源的随电源电压变化的偏差小于5 mV,温度系数小于 10-4/°C.经流片测试所设计的基准电压源能很好地满足ADC的要求.

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-01-08
    • 文件大小：102400
    • 提供者：sinb5257

  1. 一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38571992

  1. 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

  2. 采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38500709

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 0.13 μm CMOS电流模式高精度基准源设计

  2. 为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统一阶低压带隙基准电路相比，具有低功耗和更低的温漂系数。基于中芯国际130 nm COMS工艺，仿真表明，温度在-20 ℃～80 ℃范围内，温漂为4.6 ppm/℃，电源抑制比为60 dB，输出基准电压为610 mV，整体电路功耗为820 nW。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38528459

  1. 一种新型带隙基准源设计

  2. 在对传统一阶补偿带隙基准分析的基础上，提出了一种新型高阶补偿技术，并应用该技术设计了一款在宽温度范围内具有低温度系数的曲率补偿电压基准。基于VIS 0.15 μm BCD工艺对提出的电路结构进行了设计与仿真。仿真结果表明，该基准电路的输出电压平均值为539 mV；在宽温度范围(-60 ℃~120 ℃)内，温度系数为1.40 ppm/℃；环境温度为27 ℃，电源电压在1.3 V~2.1 V范围内时，输出电压的线性调整率为0.001 9%，电源抑制大于84 dB100 Hz。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：476160
    • 提供者：weixin_38557980

  1. 一种新型的电流模式曲率补偿带隙基准源

  2. 提出了一种新型的低压带隙基准源，与传统的带隙基准不同，该电路引入了第三个电流，以消除双极型晶体管射基电压的温度非线性项，从而实现曲率补偿。采用0．18μm CMOS工艺进行设计验证，HSpice仿真结果表明，室温下的输出电压为623 mV，-55～+125℃范围内的温度系数为4．2 ppm／℃，1．0～2．1 V之间的电源调整率为0．9 mV／V。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：258048
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 设计一种以共源共栅电流镜为负载的低温漂高电源抑制比CMOS带隙基准电压源，利用新型核心电路和NMOS为输入管的套筒式共源共栅运算放大器使得带隙基准的输出温度系数远小于传统带隙基准的温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38696922

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 本文通过对传统带隙基准源的基本原理分析，设计的基准电路工作电压为5～10 V，通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流反馈补偿，得到了82 dB的电源电压抑制比和低于7．427 ppm／℃的温度系数，版图面积0．022 mm2。该电路产生的基准源电压基本满足普通应用要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：300032
    • 提供者：weixin_38551749

  1. 模拟技术中的一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：251904
    • 提供者：weixin_38631182

  1. 电源技术中的一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 摘 要：设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。 　　0 引 言 　　基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38547532

  1.  低功耗低温漂高PSR带隙基准电压源的设计

  2. 在专用医学微弱信号放大电路中，需要非常精准的电压源，为此，提出了一种新型的带隙基准电压源，采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式，输出带隙基准电压为1.109 V，在-40~125 ℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR（电源抑制），使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB，在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10 μA，消耗的功耗在36 μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点，工艺差别使输出电压最大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38713061

  1. 一种新型高CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采用的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：344064
    • 提供者：weixin_38596267