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搜索资源列表

  1. KLMxGxxEHx(32Gb MLC based)_0.1.pdf

  2. 为了解决MLC的 ECC等问题，以及系统对存储容量的要求MoviNand iNand等将成为明天主角。Samsung MoviNand 三星未来存储的主力

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-02-05
    • 文件大小：897024
    • 提供者：star78

  1. nand flash bch

  2. nand flash bch算法的说明和实现，另有三星一款MLC芯片k9lag08u0m的datasheet

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-11-02
    • 文件大小：965632
    • 提供者：chenonly

  1. 三星、MLC等芯邦量产工具集

  2. 用此版量产工具制作加密盘时，只要进入格式化设置界面，将“分区0写保护”的选项选中， 然后再进行格式化就可以，格式化默认的密码是“888888”。量产工具无法修改初始密码。 具体支持的芯片型号，仔细对照。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-11-22
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：changanwx

  1. K9GAG08 三星MLC nand flash

  2. K9GAG08，三星MLC nand flash 芯片手册(datasheet)

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-05-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：vensondianji

  1. 安国FC8X08 AU698X量产工具

  2. 安国FC8X08 AU698X量产工具 下面是我用ChipGenius检测到型号,可正确识别 　设备描述: [G:]USB Mass Storage Device(Generic USB Flash Disk) 　设备类型: 大容量存储设备 　协议版本: USB 2.00 　当前速度: 高速(HighSpeed) 　电力消耗: 100mA USB设备ID: VID = 058F PID = 1234 设备供应商: Alcor Micro 　设备名称: Mass Storage Device 设

  3. 所属分类：Microsoft

    • 发布日期：2011-12-21
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：ywqsa206

  1. 友善之臂ARM11 Tiny6410 开发板参数信息

  2. 友善之臂ARM11 Tiny6410 开发板参数信息： 开发板简介 Tiny6410是一款以ARM11芯片(三星S3C6410)作为主处理器的嵌入式核心板，该CPU基于ARM1176JZF-S核设计，内部集成了强大的多媒体处理单元，支持Mpeg4, H.264/H.263等格式的视频文件硬件编解码，可同时输出至LCD和TV显示；它还并带有3D图形硬件加速器，以实现OpenGL ES 1.1 & 2.0加速渲染，另外它还支持2D图形图像的平滑缩放，翻转等操作。 Tiny6410采用高密度6层板设

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2012-07-15
    • 文件大小：29360128
    • 提供者：zhengzhihust

  1. K9XXG08UXA MLC数据手册

  2. K9XXG08UXA 1G 2G 4G*8bit 三星nandfalsh 数据手册

  3. 所属分类：Android

    • 发布日期：2013-02-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：myitlover

  1. Smart210用户手册.pdf

  2. Tiny210V2简介(并以Tiny210作对比) Tiny210和Tiny210V2均是一款高性能的Cortex-A8核心板，它们由广州友善之臂设计、生产和发行销售。均采用三星S5PV210作为主处理器，运行主频可高达1GHz，S5PV210内部集成了PowerVR SGX540高性能图形引擎，支持3D图形流畅运行，并可播放1080P大尺寸高清视频。 Tiny210核心板主要采用了2.0mm间距的双排针，引出CPU大部分常用功能引脚(总共180pin)，并力求和Tiny6410核心板大小一致

  3. 所属分类：硬件开发

  1. 三星S5P4418 IBOX卡片电脑 ARM Cortex-A9 四核 中文资料

  2. *使用x-powers的AXP228 PMU电源管理设计，在保证工作稳定可靠的同时，成本足够低廉； 　　*支持多种品牌，多种容量的emmc，默认使用东芝8GB emmc(19nm MLC工艺)； 　　*使用单通道DDR3设计，默认支持1GB容量，可定制2GB容量； 　　*支持电源休眠唤醒； 　　*支持android4.4操作系统；

  3. 所属分类：Linux

    • 发布日期：2015-12-23
    • 文件大小：464896
    • 提供者：graperain_cn

  1. ARM方案公司，三星S5P4418卡片式电脑

  2. l 最佳尺寸，即保证精悍的体积又保证足够的GPIO口，仅68mm*48mm； l 使用x-powers的AXP228 PMU电源管理设计，在保证工作稳定可靠的同时，成本足够低廉；[性能远超NXE2000 PMU] l 支持多种品牌，多种容量的emmc，默认使用东芝8GB emmc(19nm MLC工艺)； l 使用单通道DDR3设计，默认支持1GB容量，可定制2GB容量； l 支持电源休眠唤醒； l 支持android4.4操作系统； l 板载千兆有线以太网； l 拒绝掉程序，远离使用na n

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-03-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qq_32123939

  1. E4418CORE-V1C资料

  2. E4418CORE 基于三星和NEXELL 联合发布的四核COTEX-A9 CPU，主频最高为1.6GHz, 4418 集成了高性能GPU，具有2D 和3D 加速功能。 E4418CORE 内部集成1GB（M18 型）和2G（M2A 型)的DDR3 内存，支持DDR3-1600 内存， 总线频率最高800MHz。核心板在布线上严格按照DDR3 规范进行LAYOUT 和阻抗匹配。 E4418CORE 集成了EMMC5.0/5.1 的EMMC（MLC 型），容量8GB（M18 型）和16GB(M2

  3. 所属分类：Linux

    • 发布日期：2016-07-04
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：coral_arm

  1. E4418CORE-V1C结构特性

  2. E4418CORE 基于三星和NEXELL 联合发布的四核COTEX-A9 CPU，主频最高为1.6GHz, 4418 集成了高性能GPU，具有2D 和3D 加速功能。 E4418CORE 内部集成1GB（M18 型）和2G（M2A 型)的DDR3 内存，支持DDR3-1600 内存， 总线频率最高800MHz。核心板在布线上严格按照DDR3 规范进行LAYOUT 和阻抗匹配。 E4418CORE 集成了EMMC5.0/5.1 的EMMC（MLC 型），容量8GB（M18 型）和16GB(M2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-07-04
    • 文件大小：193536
    • 提供者：coral_arm

  1. E4418CORE-V1C电气参数及SMT工艺

  2. E4418CORE 基于三星和NEXELL 联合发布的四核COTEX-A9 CPU，主频最高为1.6GHz, 4418 集成了高性能GPU，具有2D 和3D 加速功能。 E4418CORE 内部集成1GB（M18 型）和2G（M2A 型)的DDR3 内存，支持DDR3-1600 内存， 总线频率最高800MHz。核心板在布线上严格按照DDR3 规范进行LAYOUT 和阻抗匹配。 E4418CORE 集成了EMMC5.0/5.1 的EMMC（MLC 型），容量8GB（M18 型）和16GB(M2

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2016-07-04
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：coral_arm

  1. 三星S5P4418核心板英文资料

  2. E4418CORE 基于三星和NEXELL 联合发布的四核COTEX-A9 CPU，主频最高为1.6GHz, 4418 集成了高性能GPU，具有2D 和3D 加速功能。 E4418CORE 内部集成1GB（M18 型）和2G（M2A 型)的DDR3 内存，支持DDR3-1600 内存， 总线频率最高800MHz。核心板在布线上严格按照DDR3 规范进行LAYOUT 和阻抗匹配。 E4418CORE 集成了EMMC5.0/5.1 的EMMC（MLC 型），容量8GB（M18 型）和16GB(M2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-08-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：coral_arm

  1. 三星4418核心板Linux、贴片工业介绍

  2. E4418CORE 基于三星和NEXELL 联合发布的四核COTEX-A9 CPU，主频最高为1.6GHz, 4418 集成了高性能GPU，具有2D 和3D 加速功能。 E4418CORE 内部集成1GB（M18 型）和2G（M2A 型)的DDR3 内存，支持DDR3-1600 内存， 总线频率最高800MHz。核心板在布线上严格按照DDR3 规范进行LAYOUT 和阻抗匹配。 E4418CORE 集成了EMMC5.0/5.1 的EMMC（MLC 型），容量8GB（M18 型）和16GB(M2

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2016-08-05
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：coral_arm

  1. 三星4GB MLC nand flash 芯片资料

  2. 三星4GB MLC nand flash 芯片资料,现在很少有了，需要的就下吧

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-03-27
    • 文件大小：947200
    • 提供者：liangkaiyang

  1. 三星 K9GB或K9Ga的datasheet

  2. 三星 K9GBG08或者K9Ga的datasheet MLC

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-11-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qingting88

  1. 存储/缓存技术中的三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

  2. 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。 　　三星（Samsung）早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元（MLC） 3D V-NAND快闪存

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：601088
    • 提供者：weixin_38659248

  1. 三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

  2. 近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展三星电子公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。 　　与30纳米级MLC NAND相比，三星电子的20纳米级MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度(读取速度为20MB/s，写入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38751177

  1. 三星演示世界首款50nm 16GB NAND闪存

  2. 今日，三星公司对外宣布，他已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16GB NAND闪存设备。该多层核心（MLC）的设计采用了一个4KB的页值，而非竞争产品中所采用的2KB。正因为此，新型设备的读速度比以2KB设计方式的设备要快一倍，写速度快50%。                                              三星50nm 16Gb NAND闪存芯片     当设计到计算机存储技术时，硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”（S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38709511
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