注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 单片机应用技术选编（7）

  2. 内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：zgraeae

  1. 目前高压变频器的特性论述论文.pdf

  2. 目前高压变频器的特性论述论文pdf,目前高压变频器的特性论述论文在不同的历史时期,就有不同的技术与技术产品出现 类:专用高压变频器 驱动对象:高压交流异步电动机 负载通用类:风机、水泵专用(要求不高的平方转矩和不快态动控制负载类) ()高低高方式;采用降压变压器低压变频器特殊升压变压器电机; ()脉冲变压器→整流 三电平两电位重叠间接高压方式; ()曲拆多脉冲变压器→整流 单元串联多电位重叠间接高压方式 注:间接一指在变频器变流环节中,存在利用了变压器来进行电压变换的过程。 类:通用高压变频器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-15
    • 文件大小：533504
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 6se70变频器调试与维修.pdf

  2. 6se70变频器调试与维修pdf,6se70变频器调试与维修交流电机;从内部看,他是一台经过变换的直流电机 可以看到在矢量控制中,定子电流被分解为互相垂直的两个分量iM,1,其中i用 以控制转子憾链,称为憾链分量,讧T1用」调节电机转矩,称为转知分量。因此,矢量控制 的最终结果就是实现了定子电流分解,分别进行转子磁链和电磁转矩的解藕控制。 关于功率、转矩、转速之间关系的推导如下: 功率=力*速度 P=F*V-公式1 转矩(T)扭力(F)作用半径(R-推出F-TR-公式2 线速度(V)=2πR*每

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：222208
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 新的单路电气隔离栅极驱动器具有独立的导通/关断输出

  2. 意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。 STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚，为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时，该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压，直到下一个真正的导通信号出现为止。 STGAP2SM具有独立的导通/关断输出，可配合两个外部

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38682279

  1. 优化高电压IGBT设计方案

  2. IGBT比其他功率晶体管有更多优点，当中包括更高电流能力，利用电压而非电流来进行栅极控制，以及能够与一个超快速恢复二极管协同封装来加快关断速度。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38714761

  1. 采用Mini-SPM设计高压侧栅极驱动电路

  2. Mini-SPM系列产品,为低功率 (100W ~ 2.2kW) 电机驱动电路提供高效率、高可靠性和设计简便的方案。Mini-SPM采用内置高压驱动IC (HVIC) 作为栅极驱动电路，使设计更简单紧凑，从而大幅降低整个系统的成本并提高可靠性，并且更为系统设计人员带来极佳的高压侧栅极电路设计灵活性。本文着重讨论Mini-SPM采用的高压侧栅极驱动电路的特点和优点。设计中采用外接栅极电阻优化开关损耗和开关噪声之间的权衡，降低可能引起HVIC误操作的电压应力。本文中的讨论在通常情况下适用于所有IGB

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：409600
    • 提供者：weixin_38665490

  1. 优化高电压IGBT设计方案

  2. IGBT比其他功率晶体管有更多优点，当中包括更高电流能力，利用电压而非电流来进行栅极控制，以及能够与一个超快速恢复二极管协同封装来加快关断速度。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38576229

  1. 同类的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩

  2. 插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过AEC车规的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：563200
    • 提供者：weixin_38709139