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  1. 0．5μm CMOS带隙基准电路设计

  2. 现以带隙基准电压源的产生原理为基础，提出了一种具有良好自启动和低功耗特性的CMOS带隙基准电压源。该带隙基准电压源用于BLVDS总线收发器电路，主要为BLVDS总线驱动器、接收器提供所需的1．25 V偏置电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38629303

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 这里设计了一种具有低温漂低功耗且不需要trim的基准电压源,利用低压共源共栅电流镜来减小输出电压对电源电压的依赖。测试结果表示：电路在2 V电源电压下就可以正常工作,输出基准电压为1．326 65 V;在-40～+85℃之间的温度系数为2．563 ppm／0C;电路在3．3 V电源电压下,功耗仅为2．81 μW,可以广泛应用在移动电子设备中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-05
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38663036

  1. 低功耗带隙基准电压源电路设计

  2. 文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：561152
    • 提供者：weixin_38677234

  1. 0.13 μm CMOS电流模式高精度基准源设计

  2. 为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统一阶低压带隙基准电路相比，具有低功耗和更低的温漂系数。基于中芯国际130 nm COMS工艺，仿真表明，温度在-20 ℃～80 ℃范围内，温漂为4.6 ppm/℃，电源抑制比为60 dB，输出基准电压为610 mV，整体电路功耗为820 nW。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38528459

  1. 一款新颖的带隙基准电压源设计

  2. 基于TSMC0．5μmCMOS工艺，设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比，该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌套式密勒补偿，设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源。仿真结果显示，该电路所产生的基准电压精度为13．2×10-6／℃，低频时的电源抑制为-98dB，静态工作电流为3μA。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：205824
    • 提供者：weixin_38725902

  1. 电源技术中的分析带隙基准电压源设计

  2. 电压基准与系统有关。在要求绝对测量的应用场合，其准确度受使用基准值的准确度的限制。但是在许多系统中稳定性和重复性比绝对精度更重要；而在有些数据采集系统中电压基准的长期准确度几乎完全不重要，但是如果从有噪声的系统电源中派生基准就会引起误差。单片隐埋齐纳基准（如AD588和AD688）在10 V时具有1 mV初始准确度（0.01 %或100 ppm）， 温度系数为1.5 ppm/°C.这种基准用于未调整的12位系统中有足够的准确度（1 LSB=244 ppm），但还不能用于14或16位系统。本文设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38689223

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：197632
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 电源技术中的一种低电压低静态电流LDO的电路设计（一）

  2. 摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器，在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一，因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5 μm 双阱CMOS工艺进行仿真模拟，这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA,输出暂态电压最大变化为9 mV. 　　随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器（Low Drop-out Regulator,LDO）因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：120832
    • 提供者：weixin_38741317

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3 V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1 mV，室温时电路的功耗为5．283 1 mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38628150

  1. 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 设计一种以共源共栅电流镜为负载的低温漂高电源抑制比CMOS带隙基准电压源，利用新型核心电路和NMOS为输入管的套筒式共源共栅运算放大器使得带隙基准的输出温度系数远小于传统带隙基准的温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38696922

  1. 开关电源控制器欠压锁定电路的研究

  2. 针对电源管理芯片中的重要模块UVLO，在带隙基准电压源结构的基础上，引入了对带隙基准的高阶温度补偿功能，有效减小迟滞电压的漂移。同时，该UVLO电路不需要外部提供基准电压和偏置电流，提高了模块电路的可靠性，而且电路具有结构简单、功耗低、电压精确、温度敏感性低等优点。在BCD工艺下，采用Cadence的Spectre软件对电路进行仿真验证。仿真结果证明了所设计UVLO的可行性和正确性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：393216
    • 提供者：weixin_38723027

  1. 模拟技术中的单芯片极窄微弱脉冲检测系统设计

  2. 摘要：采用0．18 μm CMOS工艺设计了一款单芯片集成极窄微弱脉冲检测系统，该芯片包括输入匹配、放大器、脉冲展宽器、驱动及带隙基准电压电流产生电路。为提高检测系统灵敏度，文章采用了多级放大器级联以及有源电感。测试表明该芯片可以检测1ns脉宽10mV的脉冲，输出数字信号，可以应用于00K系统接收机，接收超过40M数据率的清晰视频。该芯片低功耗、低成本，具有研究和实践推广价值。 　　0 引言 　　随着大规模集成电路的发展，单芯片方案由于成本低、体积小、功耗低等优点，被越来越多的电子系统所采用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：274432
    • 提供者：weixin_38737751

  1. 电源技术中的一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

  2. 摘 要： 设计了一种可在低电源电压下工作，具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理，对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 umCMOS工艺模型，使用Hspice 进行模拟，设计的基准源输出电压为900 mV，电源电压可降低到1.1 V，温度系数为8.1*10-6/°C。 　　输出不随温度、电源电压变化的基准电压源，在模拟和混合集成电路中应用广泛，特别是在高精度的场合，基准电压源是整个系统设计的前提。 　　由于带隙基准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：331776
    • 提供者：weixin_38694023

  1. 电源技术中的一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 0 引 言 　　便携式电子产品在市场上占有越来越大的份额，对低电压、低功耗的基准电压源的需求量大大增加，也导致带隙基准的设计要求有了较大的提高。带隙基准广泛应用于数／模转换、模／数转换、存储器以及开关电源等数模混合电路中。基准源的稳定性对整个系统的内部电源的产生，输出电压的调整等都具有直接且至关重要的影响。基准电压必须能够克服制造工艺的偏差，系统内部电源电压在工作范围内的变化以及外界温度的影响。 　　由文献可知传统的一阶补偿通常可以得到10 ppm／℃左右的温度系数，而新发展的比较成熟的补偿

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：244736
    • 提供者：weixin_38733355

  1. 电源技术中的低压CM0S带隙基准电压源设计

  2. 0 引言 　　基准电压源广泛应用于电源调节器、A／D和D／A转换器、数据采集系统，以及各种测量设备中。近年来，随着微电子技术的迅速发展，低压低功耗已成为当今电路设计的重要标准之一。比如，在一些使用电池的系统中，要求电源电压在3 V以下。因此，作为电源调节器、A／D和D／A转换器等电路核心功能模块之一的电压基准源，必然要求在低电源电压下工作。 　　在传统的带隙基准源设计中，输出电压常在1．25 V左右，这就限制了最小电源电压。另一方面，共集电极的寄生BJT和运算放大器的共模输入电压，也限制了P

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：276480
    • 提供者：weixin_38741244

  1.  一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

  2. 介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：807936
    • 提供者：weixin_38677255

  1.  低功耗低温漂高PSR带隙基准电压源的设计

  2. 在专用医学微弱信号放大电路中，需要非常精准的电压源，为此，提出了一种新型的带隙基准电压源，采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式，输出带隙基准电压为1.109 V，在-40~125 ℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR（电源抑制），使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB，在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10 μA，消耗的功耗在36 μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点，工艺差别使输出电压最大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38713061

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路的快

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：245760
    • 提供者：weixin_38586428

  1. 单芯片极窄微弱脉冲检测系统设计

  2. 摘要：采用0．18 μm CMOS工艺设计了一款单芯片集成极窄微弱脉冲检测系统，该芯片包括输入匹配、放大器、脉冲展宽器、驱动及带隙基准电压电流产生电路。为提高检测系统灵敏度，文章采用了多级放大器级联以及有源电感。测试表明该芯片可以检测1ns脉宽10mV的脉冲，输出数字信号，可以应用于00K系统接收机，接收超过40M数据率的清晰视频。该芯片低功耗、低成本，具有研究和实践推广价值。 　　0 引言 　　随着大规模集成电路的发展，单芯片方案由于成本低、体积小、功耗低等优点，被越来越多的电子系统所采用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：388096
    • 提供者：weixin_38720762
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