注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 低功耗CMOS电压基准源的设计

  2. 给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2。测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5~6 V工作电压下,线性调整率为0.025%;4 V输入电压;20~100℃范围内,平均温度系数为64 ppm/℃。以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38627521

  1. 0．5μm CMOS带隙基准电路设计

  2. 现以带隙基准电压源的产生原理为基础，提出了一种具有良好自启动和低功耗特性的CMOS带隙基准电压源。该带隙基准电压源用于BLVDS总线收发器电路，主要为BLVDS总线驱动器、接收器提供所需的1．25 V偏置电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38629303

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 低功耗带隙基准电压源电路设计

  2. 文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：561152
    • 提供者：weixin_38677234

  1. 0.13 μm CMOS电流模式高精度基准源设计

  2. 为提升基准源的精度，降低功耗，设计了一种新型带曲率补偿的低功耗带隙基准电路。该电路根据MOS管亚阈值区固有指数关系去补偿PNP型晶体管发射结电压的高阶温度特性，在只增加两股镜像电流下，该带隙基准电路与传统一阶低压带隙基准电路相比，具有低功耗和更低的温漂系数。基于中芯国际130 nm COMS工艺，仿真表明，温度在-20 ℃～80 ℃范围内，温漂为4.6 ppm/℃，电源抑制比为60 dB，输出基准电压为610 mV，整体电路功耗为820 nW。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38528459

  1. 一款应用于物联网芯片的皮安级CMOS电压基准源

  2. 设计了一种应用于物联网芯片的极低功耗电压基准源。由于漏致势垒降低(Drain-Induced Barrier Lowering，DIBL)效应，栅致漏极泄漏(Gate-Induced Drain Leakage，GIDL)效应及栅-漏电容馈通效应的影响，传统的基于MOS管漏电流的皮安级电压基准源虽然可以实现较低的温度系数，但是线性调整率及电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio，PSRR)过低，大大限制了其在具有高电源噪声的物联网芯片中的应用。在传统的双MOS管电压基

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：501760
    • 提供者：weixin_38544625

  1. 基于不同VTH值的新型CMOS电压基准

  2. 本文利用高电源抑制比电路设计的和式偏置电流源进一步提高了电源抑制比，并利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VTHN和VTHP具有相同方向但不同数量的温度系数，设计了一种基于不同VTH值的新型CMOS基准。该设计充分利用CMOS器件高输入阻抗、低功耗的特点，利用相同电流减少了载流子迁移率对温度性能的影响，利用VRHN和VTHP温度系数抵消原理和高电源抑制比和式电流源，大大降低了基准的温度系数，提高了电源抑制特性，使电路的性能得到优化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：560128
    • 提供者：weixin_38587005

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：197632
    • 提供者：weixin_38750999

  1. 电源技术中的一种低电压低静态电流LDO的电路设计（一）

  2. 摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器，在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一，因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5 μm 双阱CMOS工艺进行仿真模拟，这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA,输出暂态电压最大变化为9 mV. 　　随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器（Low Drop-out Regulator,LDO）因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：120832
    • 提供者：weixin_38741317

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3 V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1 mV，室温时电路的功耗为5．283 1 mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38628150

  1. 最大消耗380nA电流的电压基准源设计

  2. 传统的带隙电压基准源面积大、功耗大、不适应低功耗小面积的要求。本文立足于低功耗、小面积、利用工作于弱反型区晶体管的特点，对传统的带隙电压基准源做出改进，设计了一款最大消耗380 nA电流的电压基准源，大大减小了面积，且与CMOS工艺兼容，同时提出一种新的不耗电的启动电路。本文先介绍传统典型带隙基准电路的原理与功耗组成，提出改进电路结构，并进行分析，最后给出基于0.5μm CMOS工艺模型的仿真结果和测试结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38577648

  1. 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 设计一种以共源共栅电流镜为负载的低温漂高电源抑制比CMOS带隙基准电压源，利用新型核心电路和NMOS为输入管的套筒式共源共栅运算放大器使得带隙基准的输出温度系数远小于传统带隙基准的温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38696922

  1. 高精度电流偏置电路的设计

  2. 提出了一款应用于RF无线收发芯片的高精度电流偏置电路。综合考虑功耗、面积和失调电压对基准电压的影响，设计了一款符合实际应用的带隙基准电路。并以带隙基准电路作基准电流源的偏置，采用电压电流转换器结构设计了具有高电源电压抑制比（PSRR）的基准电流源。电流镜采用辅助运放的设计方法来提高电流镜的输出阻抗，减小沟道调制效应对输出的基准电流的影响，从而提高输出基准电流的精度。采用0.35 μm CMOS工艺设计芯片版图，版图面积为0.18 mm2。提取寄生参数（PEX）仿真结果表明，该电路在-55 ℃~+

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：385024
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 模拟技术中的单芯片极窄微弱脉冲检测系统设计

  2. 摘要：采用0．18 μm CMOS工艺设计了一款单芯片集成极窄微弱脉冲检测系统，该芯片包括输入匹配、放大器、脉冲展宽器、驱动及带隙基准电压电流产生电路。为提高检测系统灵敏度，文章采用了多级放大器级联以及有源电感。测试表明该芯片可以检测1ns脉宽10mV的脉冲，输出数字信号，可以应用于00K系统接收机，接收超过40M数据率的清晰视频。该芯片低功耗、低成本，具有研究和实践推广价值。 　　0 引言 　　随着大规模集成电路的发展，单芯片方案由于成本低、体积小、功耗低等优点，被越来越多的电子系统所采用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：274432
    • 提供者：weixin_38737751

  1. 电源技术中的一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

  2. 摘 要： 设计了一种可在低电源电压下工作，具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理，对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 umCMOS工艺模型，使用Hspice 进行模拟，设计的基准源输出电压为900 mV，电源电压可降低到1.1 V，温度系数为8.1*10-6/°C。 　　输出不随温度、电源电压变化的基准电压源，在模拟和混合集成电路中应用广泛，特别是在高精度的场合，基准电压源是整个系统设计的前提。 　　由于带隙基准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：331776
    • 提供者：weixin_38694023

  1. 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

  2. 引 言 　　带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙基准的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。 　　本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38629801

  1. 电源技术中的一种改进的超低压电压基准源设计

  2. 1 概述 　　在便携式设备广泛使用的今天，低电源电压和低功耗已经成为模拟电路设计的主要主题之一。其中电压基准源是模拟电路设计中的关键模块，应用广泛。它一般要求低电源电压敏感性，低温度漂移特性。传统的基准源电路都是基于带隙基准，利用标准CMOS工艺中的垂直PNP管，但输出电压一般为1.2V左右。随着电路工作电压的继续下降，基准源的输出电压也需要下降。作为可供选择的另一种方案，可以利用阈值电压的不同温度特性产生电压基准。利用有选择的沟道注入，不同浓度的栅注入引入功函数之差。但以上均不适用于标准的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：137216
    • 提供者：weixin_38652090

  1.  一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

  2. 介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：807936
    • 提供者：weixin_38677255

  1. 基于一阶温度补偿技术的CMOS电压源电路

  2. 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 　　近年来，集成电路的快

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：245760
    • 提供者：weixin_38586428

  1. 单芯片极窄微弱脉冲检测系统设计

  2. 摘要：采用0．18 μm CMOS工艺设计了一款单芯片集成极窄微弱脉冲检测系统，该芯片包括输入匹配、放大器、脉冲展宽器、驱动及带隙基准电压电流产生电路。为提高检测系统灵敏度，文章采用了多级放大器级联以及有源电感。测试表明该芯片可以检测1ns脉宽10mV的脉冲，输出数字信号，可以应用于00K系统接收机，接收超过40M数据率的清晰视频。该芯片低功耗、低成本，具有研究和实践推广价值。 　　0 引言 　　随着大规模集成电路的发展，单芯片方案由于成本低、体积小、功耗低等优点，被越来越多的电子系统所采用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：388096
    • 提供者：weixin_38720762
« 12 »