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  1. PCB技术中的元器件堆叠封装与组装的结构

  2. 元器件内芯片的堆叠大部分是采用金线键合的方式（Wire Bonding），堆叠层数可以从2～8层）。 STMICRO声称，诲今厚度到40μm的芯片可以从2个堆叠到8个（SRAM，Hash和DRAM），40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm，堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。 图1 元器件内芯片的堆叠 　　堆叠元器件（Amkor PoP）典型结构如图2所示： 　　·底部PSvfBGA（Package Stackable very thin fine pitch BGA）； 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：310272
    • 提供者：weixin_38722891

  1. 元器件堆叠封装与组装的结构

  2. 元器件内芯片的堆叠大部分是采用金线键合的方式（Wire Bonding），堆叠层数可以从2～8层）。 STMICRO声称，诲今厚度到40μm的芯片可以从2个堆叠到8个（SRAM，Hash和DRAM），40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm，堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。 图1 元器件内芯片的堆叠 　　堆叠元器件（Amkor PoP）典型结构如图2所示： 　　·底部PSvfBGA（Package Stackable very thin fine pitch BGA）； 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：466944
    • 提供者：weixin_38691970