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  1. 元器件应用中的碳化硅电力电子器件的发展现状分析

  2. 1   SiC二极管实现产业化     SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本，罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管(SBD)和JBS结构二极管。目前，SiC二极管已经存在600V~1700V电压等级和50A电流等级的产品。     SiC肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件，它的工作过

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：121856
    • 提供者：weixin_38557896

  1. 元器件应用中的标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现

  2. 摘要：随着射频无线通讯事业的发展，高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成，属于一种多数载流子器件，高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上，提出的集成肖特基二极管设计方法，并且该方法在charted 0.35μm工艺中以MPW的方式得以实现。       为了使串联电阻有效的降低，特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管，以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：279552
    • 提供者：weixin_38658086

  1. 元器件应用中的Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列

  2. Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%，任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。 　　常规开关电源一般输入电压范围为 90V~264V，可以支持世界各地的各种交流输入电源。现有的数据中心电源架构一般采用本地供电单位提供的三相

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38734506

  1. 元器件应用中的肖特基势垒二极管

  2. 肖特基势垒二极管（也叫热载子二极管）在机械构造上与点接触二极管很相似，但它比点接触二极管要耐用，而且功率也更大。图（a）给出了肖特基势垒二极管的基本构造。图（b）是其等效电路。这种形式的电路是威廉姆·肖特基（WilliamSchottky）在1938年研究多数载流子的整流现象时提出的。 　　“肖特基势垒”是一种量子力学势垒，形成于金属和半导体的界面处。反向偏置电压增加时势垒也增加，正向偏置时势垒减少（或者接近消失）。反向偏置时半导体材料的电子没有足够的能量越过势垒，所以此时没有电流。当正向

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：98304
    • 提供者：weixin_38629449

  1. 元器件应用中的安森美半导体推出4款新的30伏肖特基势垒二极管

  2. 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。 　　这些新的肖特基二极管提供低正向电压或低反向电流，额定正向电流为100毫安(mA)或200 mA，其中后者是业界最小巧的额定200 mA器件。这些新的器件为越来越多空间受限的应用解决问题，例如手机、MP3播放器和数码相机等。 　　安森美半导体小信号产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38581447

  1. 元器件应用中的Vishay小尺寸100V势垒肖特基整流器典型VF低至0.56V

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。 　　此次发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封装的厚度分别只有2.29mm和2.44mm。 　　由于器件具有0.56V的极低典型前向电压降和优异的雪崩容量

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38536716

  1. 元器件应用中的高速整流用肖特基势垒二极管1GWJ42的特性

  2. 如图表示测定的此种二极管的开关特性。额定为40V、1A，逆恢复时间在35ns以下的二极管。由于是肖特基势垒型，正向电压VF很小，所以可实现的损耗的整流电路。 　　观察波形的图片，和1S1885相比，逆恢复特性得到了大大的改善。 　　图 高速整流二极管1GWJ42的逆恢复特性　　  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38692631

  1. 元器件应用中的肖特基二极管（SBD）

  2. 一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高于100 V以上时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：204800
    • 提供者：weixin_38740144

  1. 元器件应用中的Zetex推出高效率低漏泄肖特基二级管

  2. 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex推出ZLLS350肖特基势垒二极管。该器件在30V下的典型及最大逆向额定电流分别为1μ和4μA，有助于延长从充电器到发光二极管(LED)驱动器等多种应用系统的电池寿命。 　　该器件的这种特性配合极低的正向电压 —一般在30mA正向电流下仅为380mV，这意味着采用SOD523封装的微型器件的效率远远超过了较大封装的器件。 　　Zetex亚洲区副总裁林博文指出，这款40V额定电压器件提高了最高工作温度，温度规格由125oC提升到150oC，成功突破了一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38709816

  1. 元器件应用中的东芝的多芯片模块面向大电流和高频DC/DC转换应用

  2. 东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)的TB7001FL多芯片模块整合了一个带MOSFET和该公司MOSBD的驱动IC、单裸片功率MOSFET以及一个肖特基势垒二极管，封装尺寸为8×8×0.85mm，主要面向大电流和高频电源的DC/DC转换应用。此款MCM是东芝继双通道MOSBD(集成了一个高端MOSFET和低端MOSFET/肖特基势垒二极管)后最具集成度的多芯片模块。     该MCM在DC/DC转换器的高端采用了功率MOSFET，M

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：35840
    • 提供者：weixin_38692928

  1. 元器件应用中的ROHM开发出最小的0603规格的齐纳二极管和肖特基二极管

  2. ROHM开发的最新「GMD2」系列产品，采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术，实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸，对于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品，无疑是最佳选择。 　　0603尺寸「GMD2」封装系列的主要优点 0.6mm×0.3mm超小型封装尺寸 高度0.3mm的超薄型 与过去同类产品相比较，(1006封装尺寸：1.0mm×0.6mm)，面积仅有从前产品的67％，厚度则消减了20% 。 保证100mW的封装功率 (与1006封装尺寸、1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38661939

  1. 元器件应用中的ROHM推出0603规格齐纳二极管/肖特基二极管

  2. ROHM开发的最新GMD2系列产品，采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术，实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸，对于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品，无疑是最佳选择。 0603尺寸「GMD2」封装系列的主要优点：　　1) 0.6mm×0.3mm超小型封装尺寸　　2) 高度0.3mm的超薄型　　3) 与过去同类产品相比较，(1006封装尺寸：1.0mm×0.6mm)，面积仅有从前产品的67％，厚度则消减了20% 。　　4) 保证100mW的封装功率 (与1006封

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38518638

  1. 元器件应用中的集成齐纳二极管和次表面齐纳管

  2. 肖特基势垒 Schottky—barrier 金属和半导体接触，也和PN结一样在接触处的半导体表面层内，自然地形成了由半导体中的杂质离子组成的空间电荷层或耗尽层。其中存在的电子或空穴的势垒，叫做肖特基势垒。 以金属与N型硅接触为例。N型硅的功函数一般比金属的功函数小。金属与N型硅接触时，电子由硅流入金属，在硅表面层内出现由带正电的杂质离子组成的空间电荷层。其中存在由硅指向金属的电场及电子势垒。在平衡时，势垒高度大到足以阻止电子进一步流向金属，也就是说

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38538264

  1. 元器件应用中的集成二极管及肖特基势垒二极管

  2. 内容：1 集成二极管 1.1 集成二极管的构成 1.2 集成二极管的常见结构 2 肖特基势垒二极管 2.1 肖特基势垒二极管的设计考虑 2.1.1 肖特基势垒二极管的设计要求 2.1.2 肖特基势垒二极管的面积选择 2.1.3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：28672
    • 提供者：weixin_38741950

  1. 元器件应用中的Zetex高效率低漏泄肖特基二级管

  2. Zetex推出ZLLS350肖特基势垒二极管。该器件在30V下的典型及最大逆向额定电流分别为1μ和4μA，有助于延长从充电器到发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。       该器件的这种特性配合极低的正向电压 —一般在30mA正向电流下仅为380mV，这意味着采用SOD523封装的微型器件的效率远远超过了较大封装的器件。       Zetex亚洲区副总裁林博文指出，这款40V额定电压器件提高了最高工作温度，温度规格由125oC提升到150oC，成功突破了一般肖特基二极管的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38631049